随着LTE在全球部署的加快，业内普遍认为，2012年是LTE发展的关键一年。而目前在 TD-LTE 发展中，也不可避免的需要面临着很多的挑战。

1、需协调不同频谱资源
    由于LTE是纯数据网络，只提供高速数据业务，因而需要与具有高质量语音业务的2G、3G技术融合发展，多模LTE解决方案成为必备技术。多模LTE解决方案面临多重挑战，主要挑战是要支持日渐增多的频段，以满足部署和漫游需求。在 TD-LTE 方面，目前，中国移动需要为 TD-LTE 应用在38频段、39频段和40频段提供支持;在日本，Softbank在41频段上提供 TD-LTE 服务;而在美国，ClearWire也计划在41频段上部署 TD-LTE 技术。对于LTE FDD，使用的光谱频段更具多样性。在美国，Verizon Wireless利用700兆赫的13频段， 而AT&T则利用700兆赫的不同的次频段。根据GTI的数据，为了支持在不同的LTE应用(网络)上的漫游， 一台终端设备需要支持近17个不同的频段，显而易见，这对成本和性能有很大的影响。如何协调不同地域和国家之间的频谱资源，将对 TD-LTE 乃至LTE得以广泛采纳和部署起着至关重要的作用。[详情]

2、TD-LTE 芯片对功耗的挑战
    而由于多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构对功耗优化带来很大的挑战。因为3G和4G无线接收发射器各自独立运行，这样在测量、处理、协调等方面会造成许多重复。
    工艺也是影响 TD-LTE 芯片功耗的关键，业界认为 TD-LTE 芯片较为适用28nm工艺，而目前这一工艺尚未成熟。虽然包括28nm甚至是14nm在内的、更高的半导体制程节点使芯片设计面积和相关功耗能得以降低，但是最根本的问题是怎样开发出一个系统级的解决方案，以提高OFDM无线电技术的功率。OFDM信号的特性是它包含了多个窄频讯号，其信号轮廓和峰均比值很高，导致了发射效率的降低，因此需要针对OFDM信号开发更好的解决方案。
因而在设计上，需要能够适应不断提升的LTE互操作需求;在技术上，需要提供稳健的切换能力及低功耗性能。

3、TD-LTE 芯片必须支持大量的实时数据的处理
    整个芯片就是一个多核多线程的架构，每个核可采用一个多线程的设计结构。这样的处理架构能够降低整个芯片的功耗以及运行频率压力。每个硬件加速模块一定有它所拥有的独立的存储单元，如果没有独立的存储单元，总线带宽的压力非常大，这方面的因素将是未来需要考虑的重点。

4、芯片科研方面的挑战
    芯片主要分三大块，一是单芯片的功能、基本性能，射频指标，以及场性能。二是芯片和系统调试，保证双方对协议，算法的理解，为后期的商用进行很好的铺垫。三是在各系统下，进行多终端同时接入，真实加载的终端性能测试。
    中国在信息产业上的芯片、系统方面的短板，让 TD-LTE 受到很大影响 ，虽然国内的芯片厂商展讯，大唐电信下面的联芯一直致力于 TD-LTE 芯片的发展，但终归是实力有限，作为标准这样的东西需要得到更多的厂家支撑才能做起来。 包括展讯在内的芯片厂商面对的难题主要在科研方面，芯片集成技术是在原有单核技术本身要通过质量关的基础上，还要把众多技术融合，实现无缝对接也是一个很大的问题，所以，单核技术和集成多核技术都有难度。 业内分析称，TD-LTE 网络建设对终端芯片的要求非常迫切。获悉，王建宙对正在研发的 TD-LTE 芯片亦提出了四个需求：首先是支持多个频段，其次是支持2G和3G的多种网络模式，三是语音通话的技术标准需要界定，四是4G网络终端需要相对确定。面对以上 TD-LTE 技术发展中的最大困难，芯片企业需挑起这艰巨的任务。