无论是FPGA还是MCU,功耗的一般都是由两部分组成:静态功耗和动态功耗。
静态功耗
静态功耗主要是由漏电流引起,漏电流是在芯片上电的时候,无论是处于工作还是处于静止状态,都一直会存在的一个电流,来源于晶体管的三个极,如图 1.1所示,它分为两部分,一部分是来自源极到漏极的泄漏电流IS-D,另一部分是来自栅极到衬底的泄漏电流IG,漏电流与晶体管的沟道长度和栅氧化物的厚度成反比。
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源极到漏极的泄漏电流IS-D:也称为亚阀值电流,是泄漏的主要原因,我们都知道MOS管在关断的时候,沟道阻抗非常大,但是再大都会有一个值,所以只要芯片供电必然会存在一个从源极到漏极的泄漏电流,随着半导体工艺不断先进,晶体管尺寸不断减小,沟道长度也逐渐减小,使得沟道阻抗变小,从而IS-D变得越来越大,而且源极到漏极的漏电流随温度增加呈指数增长,例如:结温从25℃上升到85℃时源极到漏极的泄漏电流会增加5倍之多。
栅极到衬底的泄漏电流IG:虽然没有亚阀电流那么关键,但是也非常重要,栅极的漏电流随着栅氧化物的厚度减小而增大,特别在65nm、45nm的技术中显得尤为突出。
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动态功耗
动态功耗主要由电容充放电引起,如图 1.2所示,它与三个参数有关:节点电容、工作频率和内核电压,它们与功耗成正比例关系,如公式1-1所示,节点电容越大、工作频率越高、内核电压越大,其动态功耗也就越大。而在FPGA中动态功耗主要体现在存储器、内部逻辑、时钟、I/O消耗的功耗,如图 1.2所示,在一般的设计中,动态功耗占据了整个系统功耗的90%以上,是主导性功耗,所以降低动态功耗是降低整个系统功耗关键因素。
以Actel的IGLOO系列为例,IGLOO的Nano系列最低静态功耗只有2μW,并能保存RAM和寄存器的状态。当前的FPGA完全可以满足消费电子的低功耗要求,甚至可穿戴设备的需求。
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