高效、智能、环保,如今的电源技术已经不单纯是能量的搬运工,它是整个世界的强力驱动器。为了将最优秀的电源技术展现给行业, 21IC中国电子网已经连续举办了十七年的TOP-10电源奖的评选。参与厂商之多,参选产品类别之广,使其成为了当今电源技术的最佳展示平台。 2020年的评选我们设置了TOP10 POWER电源奖(年度十佳产品),以及四个不同类型的单项奖(表彰某方面特色产品)。今年的评选同样又获得了各大电源厂商的积极参与,经过21ic编辑部的认真评选,现将结果公布如下。

“TOP-10 电源产品奖”的评选范围包括所有电源产品。依据“在技术或应用方面取得显著进步,具有开创性的设计,性价比显著提高”三个评选标准之下,通过厂商推荐和编辑筛选,最终确定年度十佳产品。

  • UCC12050隔离式DC/DC电源模块

    • 最新推出的新型UCC12050是首款采用TI新型专有集成变压器技术开发的500mW高效隔离式DC/DC转换器,TI突破性的集成变压器技术可以实现高密度隔离DC/DC电源转换,同时保持耗电工业系统所必需的较低的EMI。它具有更低电磁干扰(EMI),其5kVrms增强隔离和1.2kVrms的工作电压,可以防止工业应用中出现高压峰值。它2.65 mm的厚度能够让设计师减小解决方案的体积,功率密度是比较隔离电源模块的两倍。
  • MAX17301/11 电量计

    • MAX17301/11 IC是首款能够为单节Li+电池提供两级保护的电量计方案,该系列的所有IC均配备有Maxim的ModelGauge m5 EZ专利算法,提供最高精度的电量状态(SOC)指示,精度比竞争产品平均高出40%,且无需对电池进行特征分析。此外,这些电量计还提供业界最低的静态电流(IQ) —— 相比最接近的竞争产品低80%。
  • PMEG120G30ELP

    • Nexperia多年来一直在开发其硅锗(SiGe)技术,为设计工程师带来更高的固有电荷载流子密度和快速的开关频率的优势,SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充。通过提升低正向电压(Vf)和低Qrr,Nexperia的SiGe整流器的优势是可将传导和开关损耗降低10%至20%,因此在高温应用中特别受益,例如LED照明,发动机控制单元或燃油喷射。使用这些泄漏量极低的设备的设计工程师现在可以依靠扩展的安全操作区域,而不会产生高达175度的热失控。
  • AgileSwitch®数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包

    • Microchip新发布的AgileSwitch®数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包是一个统一的系统解决方案,将SiC功率模块和软件可配置栅极驱动器相结合,采用Augmented SwitchingTM技术,使设计人员能够更好地应对如电压过冲、开关损耗和电磁干扰等动态问题。这种“点击配置”的方法采用基于Windows的计算机界面(使用鼠标而不是烙铁),可应用于从加快前期评估到对最终优化进行简化的整个设计过程。开发人员无需再单独分别采购功率模块和栅极驱动器,也无需对功率模块检验后再花费时间开发自己的栅极驱动器,从而将开发周期缩短数月。
  • 低RDS(on) SiC FETs

    • 采用Si基MOSFET和SiC基的JFET,采用共源共栅的方式将其烧结在一起,是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压,从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件,更是以小于10mΩ的业界最低RDS(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度,面对电动汽车和5G等全新应用需求,United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
  • BMR683系列

    • 随着2020年5G商用化的落地和普及,射频相关应用迎来了大爆发,射频功率放大器的市场也迎来了大幅增长。BMR683系列是Flex 数字解决方案中首款适用于射频功率放大器(RFPA)的1/4砖电源模块,它尺寸仅为58.4×36.8×13.2mm(2.3×1.45×0.52in),可节省宝贵的射频电路板空间,在48V输入电压和满载条件下的效率典型值为95.5%。该电源模块在热设计方面也充分考虑到了RFPA的典型应用场景,优化了基板设计和生产工艺,在环境温度85°C,电源模块基板温度95°C以及无风条件下可以满功率输出,具有出色的热降额特性。
  • 高效同步4开关集成升降压变换器(MP28167)

    • MP28167是一款高效同步4开关集成升降压变换器,在2.8V~22V的宽输入电压范围高效率地调节输出电压。MP28167 在降压模式下使用恒定导通时间(COT)控制模式,在升压模式下使用恒定关断时间控制模式,可提供快速负载瞬态响应和平滑的升降压模式切换。 MP28167 提供强制 PWM 开关模式、可编程恒流 (CC)电流限制功能,可灵活支持各种不同应用。
  • ADBMS6815

    • ADBMS6815是ADI第五代锂电池主监控IC产品,能够对12个通道的电压和温度进行监测(未来产品提供更灵活的通道数),为了提高电池的一致性,ADBMS6815支持所有通道的电池均衡。菊花链通讯采用独创的isoSPI隔离通讯,速度最高可达到2Mbps,提供业界最快的转换速度和最佳数据保护。
  • 支持4MHz开关频率的sub-PMIC
    (DA9217/DA9220/DA9121/DA9122)

    • Dialog半导体公司推出的DA9217、DA9220、DA9121、DA9122系列是其首个支持4MHz开关频率的sub-PMIC系列,该新sub-PMIC系列一般为系统应用处理器中的CPU内核供电,或为系统存储器供电,通过Dialog的先进技术可以根据CPU的负载动态调整电压幅值。高开关频率可以使用更小尺寸的电感,从而缩小设备尺寸。
  • NXH25C120L2C
    NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E

    • 安森美半导体的NXH25C120L2C2,NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E,分别为25、35和50 安培(A)版本的行业首款压铸模功率集成模块(TM-PIM),用于1200伏(V)的应用,提供转换器-逆变器-制动(CIB)和转换器-逆变器(CI)配置版本。TM-PIM采用最新的裸芯片技术和压铸模封装,延长模块的温度循环寿命至最接近的竞争方案的十倍左右,所用的封装技术还延长模块的功率循环寿命约三倍,有利于逆变器系统实现长的使用寿命及高可靠性。

获奖产品在技术方面有重大进步,能引领技术潮流

  • ISL78714

    • ISL78714是瑞萨电子第四代锂离子(Li-ion)电池管理IC,可监测并均衡多达14个串联电池,在汽车工作温度范围内测量精度可达±2 mV,帮助系统设计人员根据绝对电压水平进行判断。多个ISL78714可通过专用菊花链连接,支持多达420个电池(30个IC)的系统,提供业界领先的瞬态和EMC/EMI抗扰性,超越汽车等级要求。ISL78714菊花链拓扑结构采用低成本电容或变压器隔离(或将两者结合),利用双绞线将多个电池组堆叠,同时防止热插拔和高压瞬变。当与主MCU失去通信,看门狗定时器会自动关闭菊花链IC。
  • LS-R3系列超小体积开板电源

    • 工程师们都想用最短产品设计周期制作出一个方便使用、满足不同电子装置的个性化产品,但在自搭过程中,缩短设计时间往往会导致产品设计粗糙,追求个性化则会致使电源种类繁杂、兼容性差、难以形成批量、经济性差。金升阳的LS-R3系列抓住核心关键难点,利用外围百搭设计的巧妙构思,很好解决了客户的烦恼。仅仅需要简单的更改外围电路,就可以使产品既可以用于消费类产品,在低成本竞争中脱颖而出,也可以用于工业场合中最严酷的户外极端苛刻环境,满足极高可靠性要求。

获奖产品在性价比方面表现优异,能准确把握市场热点

  • MasterGAN1

    • MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在配置中集成了半桥双通道栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成功率GaN具有150mΩ的RDSON和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
  • 1200V 第4代SiC MOSFET

    • 1200V 第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构,改善了低导通电阻和高速开关性能二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。 而且,通过大幅减少寄生电容(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。因此,采用兼具的第4代 SiC MOSFET将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。
  • 搭配InnoSwitch™3-MX PowiGaN™的InnoMux™芯片组

    • InnoMux芯片组由InnoMux控制器IC和InnoSwitch3-MX隔离式开关IC组合而成,可为采用LED显示屏的电视、显示器和家电提供91%的效率。与传统的显示器电源不同,InnoMux同时提供恒流LED驱动和恒压电子系统电源,可省去常规的DC-DC变换器,减少50%以上的元件数。该芯片组使制造商能够符合严格的新能效标准。

获奖产品易于开发,能够大幅减少工程师设计时间

  • EFP01电源管理IC(PMIC) 系列产品

    • 开发人员经常使用PMIC来满足其IoT设计的独特低功耗要求。然而,从数千种零件中选择合适的PMIC既困难又耗时,这给开发人员在上市时间压力下增加了复杂性。EFP01针对Silicon Labs的物联网连接平台进行了优化,从而不再需要将多个供应商参考设计合并到原理图或布局中。Silicon Labs的PMIC解决方案通过扩展其无线和MCU产品的能源效率,同时提供一流的工具和支持简化产品设计,从而满足了IoT开发人员对于电源管理的需求。与Silicon Labs的无线Gecko平台配套,EFP01 PMIC提供了易于配置,低功耗的解决方案,并具有卓越的无线性能。
  • AP62600 Synchronous Buck Converter

    • AP62600是基于 Diodes 最近推出的 AP64xxx (40V) 与 AP63xxx (32V) 直流对直流转换器而扩充,进一步发挥同级最佳的 EMI 效能。AP62600 专有的闸极驱动器搭配快速的瞬时反应,可减少高频辐射EMI 与切换节点振铃现象。400kHz、800kHz 与 1.2MHz 的可选切换频率为工程团队提供了更大的灵活性,有助于优化组件、提升效率,或是设计更为精巧的外型。本产品配备供电良好的指示器,提醒使用者可能面临的故障状况。可编程的软启动模式可控制上电时的涌浪电流,有助设计人员使用多个 AP62600 为大型集成组件(如FPGAs、ASIC、DSP和微处理器)供电时实现电源排序。

获奖产品符合节能环保要求,具有超高能效比

  • IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

    • IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。 单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。去饱和检测电路检测碳化硅MOSFET的过电流状态,并启动软关断,从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。逻辑输入是TTL和CMOS兼容的;即使在负栅驱动偏置电压下,该输入也不需要进行电压偏移。保护功能包括UVLO和热关机检测。开路漏极故障输出向微控制器发送故障状态信号。
  • 有源桥式整流器控制器(TEAT2208T)

    •  TEA2208T是恩智浦新一代有源桥式整流器控制器的首款产品,旨在替代传统的二极管桥。 将TEA2208T与低电阻高压外部MOSFET配合使用,可消除典型整流器二极管正向传导损耗,从而显著提高功率转换器的效率。在90 V(AC)电源电压下,效率可以提高约1.4%。 TEA2208T可IC自我供电,并且具有极低的功率消耗(2mW)。
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