一款JFET缓冲区（共漏放大器）是很有用的，因为与晶体管相比它具有非常高的输入阻抗。

N-Channel JFET Buffer

N沟道场效应管缓冲区偏差
　
VDD (V)
Desired VRS (V)
Vp or VGS(off) (Pinch off Voltage, negative)截止电压 (V)
IDSS (Zero Gate Voltage Drain Current)  零栅电压漏极电流 (mA)
结果：

IDS (mA)
RS (Ω)
VGS (V) 

Equations:

 IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2

 RS= VRS/IDS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。