1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型
此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术
双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度
可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间
奈梅亨，2023年9月19日 – 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG风险评级中取得了18.7分的优异成绩，达到了新的重要里程碑。这是Nexperia首次参与ESG风险评级，在全球半导体设计和制造子行业的221家评估实体中排名前11%，这一优异表现也使其顺利跻身于知名企业前列。
精准控制功耗，具备超强系统安全性。
实现长达10倍电池寿命，扩展在物联网设备中的应用范围
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应
业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商
采用创新的可配置上拉电阻和引脚兼容封装
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率
电容式DC-DC转换器有助于节省高达90%的BOM成本
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