专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。
提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸
延长智能手机和VR头显的电池续航时间及视频显示器寿命
结合铜夹片封装和宽禁带半导体的优势
1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型
此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术
双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度
可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装,并集成BJT和电阻,加倍节省空间
奈梅亨,2023年9月19日 – 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG风险评级中取得了18.7分的优异成绩,达到了新的重要里程碑。这是Nexperia首次参与ESG风险评级,在全球半导体设计和制造子行业的221家评估实体中排名前11%,这一优异表现也使其顺利跻身于知名企业前列。
精准控制功耗,具备超强系统安全性。
实现长达10倍电池寿命,扩展在物联网设备中的应用范围
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装
无需人工计算,参数可随用户输入动态响应
liqinglong1023