石墨烯在导电机制(电子和空穴)方面与半导体的行为相似，但不同之处在于它在绝对零度时不是绝缘体。在本教程中，我们将了解量子统计力学可以告诉我们什么。
我们通过费米理想气体模型解释了半导体的行为，考虑了两个不同的物理系统：电子和空穴。我们认为，这有点牵强，在本教程中，我们引入了具有可变粒子数的理想费米气体的概念。
在许多研究 pn 结中电流随温度变化的实验室实验中，反向饱和电流被假定为常数。这是一个近似值，因为这个量很大程度上取决于温度。在更现实的情况下，我们建议在 Mathematica 计算环境中进行虚拟/计算实验。
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瞬态电压抑制二极管(Transient voltage suppression diode)也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏
单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。
传统上，硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金属陶瓷基板上，使用铝线键合作为互连技术，并使用焊膏或导热硅脂将功率模块连接到底板或冷却器。这种结构如图1(左)所示。
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