碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
可立即使用的SCALE-iFlex系统轻松支持四个模块并联;出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性
与安克创新(Anker Innovations)携手合作，推动大众AC-DC电源适配器的氮化镓革命 。
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)近日宣布BridgeSwitch™集成半桥(IHB)电机驱动器IC产品系列已有新的扩展，现在支持最高400W的应用。BridgeSwitch IC内部集成了两个性能加强的FREDFET(具有快恢复外延型二极管的场效应晶体管)分别用于半桥电路的上管和下管，且具有无损耗的电流检测功能，可使无刷直流(BLDC)电机驱动器应用中的逆变器效率达到99.2%。IHB驱动器所提供的业界先进的效率性能和分布式散热方法可省去散热片，有助于降低系统成本和重量。
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号：POWI)近日宣布，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并具有先进的安全和保护特性。
InnoSwitch3-AQ采用Power Integrations的高速FluxLink™耦合技术，可在无需专用隔离变压器检测绕组和光耦的情况下，实现±3%的高精度输入电压和负载综合调整率。FluxLink技术即使在瞬态应力测试下也能保持输出电压稳压，这对于基于PSR的方案而言尤其具有挑战性。集成的750 V MOSFET可满足严格的汽车降额要求，片上同步整流控制器在标称400 VDC输入电压下可提供90%以上的效率。优化后的InnoSwitch3-AQ设计可在整个输入电压范围内实现小于10 mW的空载能耗。InnoSwitch3-AQ系列IC采用表面贴装式InSOP封装，其初级至次级爬电距离为11 mm，超过了高海拔(5000米以上)绝缘的严格要求。
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日宣布其InnoSwitch™3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容，再添三款全新PowiGaN™器件。作为已采用Power Integrations的InnoMux™控制器IC芯片组的一部分，新的开关电源IC现可支持显示器和家电电源应用，可提供高达75 W的连续输出功率，并且无需无散热片。
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)近日发布已通过AEC-Q100认证的新款LinkSwitch™-TN2开关IC，新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源，这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片，只需要很少的外围元件，而且占用的PCB面积非常小。
1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率， 并通过三路精确调整的输出提供高达70W的功率
使用软硬件结合的方式将BLDC电机逆变器睡眠模式功耗降低至10mW以下，输出功率扩展至1马力的应用
近日，Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道”IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器。该款超紧凑单板驱动器可对逆变器模块进行主动温升管理，从而提高系统利用率，并简化物料清单（BOM）以提高逆变器系统的可靠性。
该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
新款氮化镓IC将AC-DC和DC-DC变换级简化为一个单级功率变换器;可将系统功率损耗降低高达50%
零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术，可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器
