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“一时’瑜’亮”——NUCLEO-F413ZH评测

ST NUCLEO F413ZH F412 M4

2017-01-12
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作者：LKL
来源：21ic

[导读]
原文标题为“既生‘瑜’，何生‘亮’？"听起来似乎有点悲情，故此小编妄自将其改成”一时‘瑜’‘亮’“。412之后又出413，表面上看起来着实令人摸不着头脑，本文将为你解开这个谜题。

3、对比

下面来看看意法半导体公司最近先后推出的这两块Nucleo-144开发板，估计很多人会认为是同一款开发板，其实左边的是NUCLEO-F412ZG开发板，右边的是NUCLEO-F413ZH开发板，是不是有点卵生兄弟的感觉?

如果你仔细对照一番，就会发现其实两款开发板除了MCU不同之外，其它的地方还真是完全一样!!!

而STM32F412和STM32413都是高性能的STM32F4中的入门级产品，根据芯片编号，必然有着非常相似的片内外设，让我有种“既生瑜，何生亮?”的感觉。

仔细对照图表看了一下，可以看出STM32413相比较STM32F412在存储器、运行时典型功耗、BAM模块等有所不同，其中FLASH和RAM上均有提高，运行时的功耗反而变大，BAM模块改为了BAM+模块，看来是一个增强型BAM模块。

FLASH容量就不说了，这个运行时每MHz的耗电量多出的3个uA在哪里?

BAM(Batch Acquisition Mode)大量数据采集模式在STM32系列MCU中也是十分常见的，这是意法半导体动态能效技术创新，可将传感器数据直接传入SRAM存储器，同时CPU及闪存仍处于关断状态，这有利于开发人员高效使用微控制器的电源管理模式来降低功耗。只是在STM32F413微控制器中，BAM变成了增强型BAM(BAM+)，这里查了一下官方的数据手册和参考文档，发现这一增强在于BAM通过添加SRAM2来增强功能，SRAM2允许通过Ibus和Dbus执行SRAM代码，从而提高代码执行性能。这里也就是为什么STM32F413微控制器比STM32F412的RAM多了64KB空间(256kB的SRAM1，64kB的SRAM2)。其实SRAM1也允许通过Ibus和Dbus执行SRAM代码的功能，为什么还要单独设置一个64KB的SRAM2呢?主要是可以利用SRAM1和SRAM2分别连接Ibus和Dbus，一个用来执行RAM代码，一个用来访问数据，从而提高运行效率，此外，可以单独设置SRAM1和SRAM2的电源，更加方便的控制消耗的功耗!

关于增强型BAM相关的描述在STM32F413的数据手册上也得到了印证，当然更详细的使用及注意事项可以查阅相关的参考手册和应用文档，这里就不过多分析了。

下面再来对照一下STM32F412xG和STM32F413xH两个微控制器的数据手册的功能表，可以清楚的从表格上看出，STM32F413相比较STM32F412而言，还是有不少的提升，除了在FLASH和SRAM上的提升，定时器上增加了一个低功耗定时器;串行口USART/UART的数量更是达到10个;增加了一个CAN(共3个)和一个SAI;用于Σ-Δ调制器的数字滤波器;此外还增加了2个12位DAC。所有的这些增加，都明显带有工业控制应用的烙印，可以看出，意法半导体新增加的这款STM32F413微控制器的一个明显的定位是工业控制应用!

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经过上面对于STM32F413和STM32F412的对比，我们可以简单的看出，两款MCU在硬件资源上有很多相似之处，特别是STM32F413的增强功能，使得这款芯片更适合在工业控制领域应用。关于意法半导体新出的这款STM32F413微控制器的更详细文档及使用，大家可以参看参考手册和丰富的应用文档支持。

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