联华试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM

台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术，试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此，实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SRAM，加上此次的成果，预计2010年能够开发32/28nm工艺技术。

该公司试制的28nm工艺SRAM利用了低泄漏工艺技术。该技术采用了基于液浸光刻（Lithography）的两次图形曝光技术和应变硅技术。UMC的32/28nm工艺按不同用途有两种生产技术。一种是面向便携设备等使用的IC，利用了原Si栅极/SiON栅极绝缘膜的低泄漏工艺；另一种是面向图形处理器和应用处理器等高性能元件的high-k/金属栅极导入工艺。