IBM阵营high-k技术发生变化

IBM联盟的high-k技术正在发生转变。

在32nm和28nm采用先栅high-k工艺（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，将在20nm转向竞争对手所采用的后栅工艺（gate last），此前IBM联盟坚持认为gate-first是更好的方案。

IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示，对于20nm来说，gate last是更好的方案，可以在密度和尺寸缩小上带来一定优势。

换句话说，IBM及其伙伴已经承认此前高调推广的gate first技术只用了一个节点。Intel、TSMC和UMC是gate last技术的倡导者，Intel已在45nm节点导入了high k工艺，台积电预计将在28nm节点导入。

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http://www.eetimes.com/electronics-news/4212271/IBM--fab-club--switches-high-k-camps