小米3两种版本曝光：均采用5寸夏普IGZO屏

距离小米新品发布会似乎已经不到1个月的时间了，而关于小米3手机的配置说法是众说献纷纭，真心不知道谁说的比较靠谱。日前有用户参加了小米3的一次交流会，似乎更加确定了小米3的配置详情。根据他说，小米3将会搭载骁龙800和Tegra 4处理器，运行空间为2GB。而屏幕方面，其中一款小米3会采用5.5英寸1080p屏幕，另一款暂时还不能确定，但是应该会比前者小一些。

消息人士称，在这次小米交流会上，他得到消息小米3两个版本的均会采用5英寸显示屏，屏幕材质为夏普提供的IGZO屏，置于其它配置方面，则与其它媒体 爆料的一样，没有太大出入。关于小米3的消息已经很多了，真的配置是怎样的，我们静待这不到一个月的小米新品发布会吧。

　一、IGZO是什么？

IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在 TFT行业中应用，目前该材料及技术专利主要由日本厂商拥有，IGZO-TFT技术最先在日本夏普公司实现量产。

IGZO是一个缩写。我们来看四个单词：铟(Indium)、镓(Gallium)、锌(Zinc)、氧(Oxygen)，他们的首字母凑在一起就是我们的主角IGZO，我们也可以称他为铟镓锌氧化物。现在我们知道，IGZO只是一种材料。

大家也都应该知道，TFT一般是由非晶硅薄膜晶体管制成，随着显示器尺寸的不断增大，非晶硅薄膜晶体管电子迁移率不足、均一性差、占用像素面积、导致透光率降低的缺陷逐渐显现了出来。因此夏普在研究中将焦点投向了氧化物半导体材料上，其解决方案就是用由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)三种金属元素组成的IGZO，来取代由非晶硅薄膜晶体管制成的传统TFT。

这种IGZO解决了传统TFT的缺陷：晶体尺寸更小，可以使设备更轻薄;全透明，对可见光不敏感，能够大大增加元件的开口率，提高亮度，降低功耗。此外，电子迁移率方面，IGZO大约为10cm2/Vs，临界电压飘移几乎一致，比传统材料提升了20~50倍，进步非常明显。因此在面板的主要性能参数上，IGZO面板比传统TFT面板有了全面的提升。不过IGZO对液晶面板的NTSC色域、可视角度、显示色彩数量没有太多影响，这是由光源以及液晶分子排列特性决定的。

所以我们所说的IGZO面板只是一种新型薄膜晶体管的TFT-LCD面板。他既不是一种新的显示技术，也与液晶分子排列1方式没有什么关系(与IPS、MVA等不是一个概念范畴)。

二、IGZO是如何被发现的?

全球最早发现IGZO具有可在均一性极佳的非结晶状态下实现不逊于结晶状态的电子迁移率特性的是日本东京工业大学前沿技术研究中心&应用陶瓷研究所教授细野秀雄。

细野秀雄教授在一次专业研讨会上介绍了IGZO发现的过程："我自1993年起开始研究透明氧化物半导体材料。最初研究的是结晶材料。同时，我对非结晶材料也怀有强烈兴趣。当时业界普遍认为，包括硅在内，“非结晶材料的电子迁移率比结晶材料要低3～4个数量级”。我觉得这种看法不对。我认为以硅为代表的共价键合性物虽然有这样的性质，但像素氧化物那样的离子结合性物质应该与此不同"。

但问题是，离子结合性的物质很难形成非结晶状态。“不过，我发现如果从气相材料开始制作的话，就比较容易形成非结晶状态。最初，只发现了1种令人感兴趣的材料。通过描绘这种材料的电子轨道，我发现很可能有大量的非结晶的透明氧化物”。

要想作为TFT(薄膜晶体管)来使用，则必须是可对载体进行控制的物质。迁移率多少牺牲一些不要紧，但可随意转换成导电体或者绝缘体这一点至关重要。有一种电子迁移率较高、且作为透明导电氧化物也十分出色的代表性材料，这就是IZO(In-Zn-O)。然而，这种材料很难制成绝缘体，无法直接应用于TFT。“于是我想出了一个方法，即：掺入Ga(镓)后将其制成IGZO。掺入了Ga之后，电子迁移率会降至IZO的1/3，即便如此，仍可保证 10cm2/Vs的迁移率。迁移率如果达到10cm2/Vs，作为显示器驱动用已足够。”