透过三安光电崛起，看我国LED产业持续快速发展

 中国LED产业持续快速发展，龙头受益集中度提升

LED产业自诞生以来，各种不同应用不断推升对其的需求，包括LCD背光源、LED照明等，使得LED产业一直都呈现持续高速成长的态势。中国LED市场规模近年来迅速发展，根据中国产业信息网的数据，2015年，我国LED市场规模达到4245亿元人民币，同比增长21%，仍然保持较高的增速。

产业链分工明确，规模优势愈发明显

LED产业链主要包括原材料、设备，上游芯片制造，中游LED封装以及下游LED应用。我国LED 产业起步较晚，大多厂商从封装起步，逐步进入上游芯片生产。目前国内LED上中游企业较少，使得外延片和芯片行业产业集中度较高;而涉足封装及应用领域的企业较多，但形成规模效应的企业较少，产业集中度较低，竞争相对比较激烈。

上游芯片准入门槛高

LED产业链中属LED芯片制造行业准入门槛较高：即需要大规模的资金投入，也需要长期的技术积累。这也使得中国LED芯片制造企业自2011年以来大规模减少，UBS(瑞银)预计目前中国能够大规模量产LED芯片的企业约为10家左右。自2014年以来，国内各大LED芯片厂商先后加码LED芯片业务，造成产能过剩明显，价格出现大幅下滑，部分企业亏损严重。2015年，我国LED芯片产量达到3918.21亿颗，同比增长24.32%。而在经历过“投资热”、“产能过剩”后，2016年LED芯片行业逐渐回归理性，一些芯片厂商消减LED芯片投入力度，消化库存。

中游封装环节发展平稳

据全球LED厂商的LED封装元件营收排名显示，2015年日亚化学依旧盘据龙头地位，欧司朗光电半导体(OSRAM OPTO)、Lumileds则紧追在后。三星等韩系厂商则因背光应用衰退、杀价竞争激烈，使得营收普遍呈现衰退。由于LED价格竞争激烈，多数LED厂商营收出现下滑。加上美元升值的影响，部分厂商营收表现换算成美元之后反而呈现衰退的现象。

国内LED封装环节总体发展平稳，2015产值达到615亿元，同比增长19%。从产能端来看，LED封装器件产量整体增长达50%，但因为平均价格下降过快，拖累整体产值的高速增长。

下游应用指的是LED成品，包括LED显示屏、LED照明产品及各式各样的LED亮化产品。由于下游行业门槛相对较低，大量企业涌入，厂商之间激烈的价格战使得很多企业纷纷转型，或做差异化产品，小间距LED显示屏，各种异形屏，创意产品进入市场，并取得不错的效果。目前国内LED 已逐渐在通用照明、背光源、景观照明、显示屏、交通信号、车用照明及家用电子消费等领域获得了较好应用和推广。

下游应用领域广泛

2015年LED应用领域的产业规模达到3479亿元，虽然受到价格不断降低的影响，但仍然是产业链中增长最快的环节，应用整体增长率接近22%。其中LED通用照明仍然是市场发展的最主要推动力，产值达1552亿元，增长率为32.5%，渗透率超过30%，占应用市场的比重也由2014年的41%，增加到2015年的45%。

LED芯片价格企稳，行业集中度提高

全球供给增速放缓，产能过剩情况改善

全球LED市场自2011年以来，出现了严重的供大于求。这主要是由于中国政府推进节能减排，各地政府相继推出了鼓励LED芯片企业的政策，包括对于LED芯片生产核心设备MOCVD给予人民币800万元到1000万元的补贴。公开资料显示，我国从2009 年开始对LED 产业进行补贴，补贴幅度很大。2013年从国务院到地方政府都相继出台政策大力推广LED 产业。

UBS(瑞银)2015年6月发布的电子元器件行业研报指出，全2011年全球LED芯片的产能约为4420万平方英寸，而同期需求仅为3397万平方英寸，供需比高达130%。不过，由于全球主要LED芯片厂商新增产能有限，且需求持续增长，2014年全球LED芯片供需比从2011年的130%，下滑至104%。

根据GLII统计数据显示，2010-2014年，国内LED外延芯片设备MOCVD从327台增长到1372台，年复合增速达到33%。2015年全球MOCVD机台安装量达到3,130台(MOCVD数据统一换算为K465i机型)，其中中国大陆累计安装数量就达1473台，占全球MOCVD产能的47%。

此外， LED背光电视需求增长，导致台湾地区、韩国LED厂商也纷纷扩产，从而导致全球LED芯片产能大幅提升，超出了需求的增长。

2015年以来，随着十三五计划不再将LED产业列入培植行业，上游芯片补贴正在逐步收窄。政府层面收窄补贴，将从产业链源头抑制了LED 芯片产能无序扩张。2015 年LED产业洗牌之后，大型芯片厂商纷纷调整产能，控制扩产计划。晶电、CREE 从2015年下半年开始分别减产25%。瑞银的数据显示2015 年LED芯片端供给产能大约不到9200 万平方英寸，预计2016年仅将略微增长。

价格下跌淘汰落后产能，行业集中度提高

前期的粗放扩张导致整个行业产能过剩，大幅度的产能过剩使得LED芯片的价格在2015年经历了大幅下跌，也使得整个外延芯片市场规模增速下滑明显。2015年我国LED芯片产量增加40%，但由于芯片价格大幅下降，导致总共的市场规模增速只有10%。

LED芯片价格的下跌使得产业经历深度洗牌，大多数规模较小的企业，由于机台落后、技术更新不畅、经营不善而成为“僵尸”企业，或者减产或者转型，导致落后产能被淘汰，仅大陆就有约4000 家LED企业退出市场。此外，国家2015年的MOCVD设备补贴力度减少，缺乏成本优势的中小企业的竞争力将被削弱，而龙头企业的竞争优势则更明显。使得少数技术沉淀较好的中小企业成为被大企业并购的对象，产业集中度在不断提升，并且速度有加剧的趋势。

连续5年价格战临近尾声，LED芯片价格企稳

由于前几年进入LED行业厂商过多，整个行业也面临着转型升级。2015年上半年，中国LED芯片行业多数芯片企业产品价格降幅达到20%以上，而作为中国LED芯片龙头企业的三安光电更是引领了这波降价潮。2016一季度末以来，LED产业链各环节产品价格均迎来不同程度的上涨。台湾晶元光电发布产品调价联络函后，国内LED芯片龙头三安光电、华灿光电也陆续发布调价联络函。三安光电针对中小尺寸产品价格上浮10%，华灿光电调整了利润较低的产品价格，整个LED行业迎来新的发展阶段，大厂的议价能力进一步提高，LED各环节引来涨价趋势。

至于下游的LED照明产品也出现了不小的涨价幅度，主因是反映原物料成本的上涨，特别是铜，铝等大宗金属原物料在今年下半年出现价格上涨，使得LED照明厂商不得不公告涨价来反映成本。此次涨价是市场回归理性的前奏， LED产业单纯靠降价竞争无法走远，只有让LED产品回归到本来的价值，LED产业回归到理性的竞争环境，通过竞争获取份额，市场才有长久发展的动力。2016年全球LED市场产值成长幅度不高，但整体产业却发生剧烈变化，在小间距LED显示屏的需求崛起下，上游LED芯片供给吃紧，使得部分LED芯片与封装器件，出现过去五年来的首度涨价。

Micro LED将成下游新的增长点

Micro LED即微发光二极管显示器，指的是在一个芯片上集成众多间距小、体积小的LED阵列，可理解为LED技术的微型化和矩阵化。Micro LED体积约为目前主流LED大小的1%，并且每一个模块都能实现定址、单独发光与微米级间距。在智能终端小型化、物联网时代趋势带动下，Micro LED成为平板显示界的新热点。

Micro LED显示技术的发展历史现在被市场广泛熟知的OLED技术上主要是由韩厂主导，其中三星更是在小尺寸OLED面板技术的拥有技术优势，使得其他大厂只能望其项背。因此，布局Micro LED成为了实现显示技术弯道超车的良方。MicroLED的发展可以追溯至2000年，Cree教授申请了有关专利，使得Micro LED成为学术界的研究方向;直达2009年，以Micro LED技术为核心的Luxvue成立，标志着其商业化的开始。

OLED 和 Micro LED 为未来平板显示两大发展趋势

较为成熟OLED技术与起步阶段的Micro LED技术成为未来平板显示技术的两大阵营。其中，Micro LED技术具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度与反应速度快等特点，将成为未来智能可穿戴设备、VR和AR设备的新宠。

再加上，Micro LED技术可以吸收至少有70%左右的TFT-LED工艺，技术通用性高。根据评估，考虑到投入成本，Micro LED要是导入在8.5代的LCD生产线上，现有制程约70%无需转换，并且可多台机器共用。相较于，资本支出高昂的OLED生产线，成本优势明显。但是在量产方面，巨量转移的良率与精确度成为Micro LED发展的难点。只有完美突破这两点，MicroLED技术才能真正发挥优势，实现广泛应用。各大企业都已经在转移技术上提出相应专利，像苹果收购的Luxvue就拥有多项专利技术。

Micro LED应用前景广阔

Micro LED为跨领域技术，实现大规模量产后，该技术将形成全新行业，不仅仅局限于可穿戴设备与显示屏。未来，Micro LED市场规模现在还难以定论，但从其广泛的应用前景，市场发展空间广阔。

目前，作为最早涉足Micro LED的Sony专攻大屏 Micro LED的生产，而苹果则选择了小尺寸作为方向。但苹果、Sony这两家大企均是采用缩小发光面积的方式实现微型化，其中苹果技术有抢眼跟进，尺寸可缩小至10umx10um。除此之外，三星、LG、夏普、友达光电、群创科技、晶电等也开始谋划Micro LED。

MicroLED 的市场前景给在OLED方面反应较慢的企业提供了新的机遇。国内厂商若是能利用该新技术方向，趁着技术空档期，加速布局，也将给OLED市场带来巨大冲击，实现反转突围。在Micro LED市场的推动下，有核心作用的Micro LED芯片市场也会被相应带动，值得期待。如果以20umx20um的方形芯片计算，芯片间隔为30um进行衡量，那1平方毫米的屏幕需要400颗左右的LED芯片，2016年LCD出货面积预计为1.68亿平方米，如果假设Micro LED渗透率0.1%，则需要67.2万亿颗芯片市场空间，需求非常巨大!

三安光电有望成为LED领域的台积电

公司是国内最大的LED芯片生产厂商，就MOCVD 设备数目来看，公司2015年底约有170台设备投入生产，2016年一季度共有226台设备投入生产，截止到6月底公司的MOCVD设备已经投入生产256台，预计到目前为止公司现有设备应全部开出，处于满产状态，约280台MOCVD设备。后续公司还有47台MOCVD(换算成2寸54片机为94台)设备的采购计划，明年有望继续扩充产能。

正是由于公司产能不断释放，公司收入规模才能持续增长。公司前三季度实现营业收入44.86 亿元，归属于上市公司股东净利润14.96亿元，分别同比增长24.55%和3.39%。加上今年四季度表现，预计公司将实现收入与净利润双增长。

台积电是集成电路芯片制造领域的巨无霸，受益于其技术创新和规模扩张，公司的持续保持大规模领先优势，且毛利水平稳中有升。

利润率维持高水平

公司在发展过程中产能持续扩张，且在LED芯片制造领域保持技术创新，我们认为其毛利率未来也将保持稳中有升的态势。有从净利润率的角度，公司一直维持良好的利润水平，保持在30%左右;从净资产收益率的角度，公司利用自有资产获取利润的能力也一直平稳，盈利能力稳定。

公司主营业务以LED芯片与应用为主，2016年上半年占比达到90%以上，是公司主要业绩支撑。从毛利情况来看，公司二季度毛利率降低到36.59%，主要由于随着前期募投项目产能逐步释放，而产品价格波动与成本下降滞后双重影响导致。三季度，公司加强研发，把控成本，毛利率水平有所提升，达到了39.26%。

后期，随着其他产品陆续完成认证，新设备扩产加速，以及生产项目落地，公司未来收入、净利润、毛利表现都值得期待。

国家支持力度大

公司近期又与国开行共同签署《开发性金融合作协议》。国开行与公司的合作可以追溯到2012年，在这四年间其通过注资，实现了对三安的全面覆盖。除去融资，国开行还引导了集成电路产业基金的投资方向，给三安成立安芯产业投资基金带来64亿的支援。国开行对公司的支持完全体现了其对于LED芯片制造的关注。

此次《合作协议》通过并购贷款、项目贷款，集团统借等方式与公司更加深度的合作，并且也拉开了国开行300亿资金重点布局LED芯片、集成电路等领域的序幕。受到了注资的三安，能有更多的余力实现并购或者项目拓展，表现值得期待。

公司布局化合物半导体，把握二次创业

化合物半导体主要包括以GaAs为代表的第二代半导体和以GaN为代表的第三代半导体。GaAs一直主导手机功率放大器(PA)市场，带动了无线通信、多媒体等技术的飞速发展，同时还可以用来生产红黄光发光二极管、激光器等光信息处理元器件。GaN早在20世纪50年代就已经被发现并研究，但是由于工艺的限制，产业化一直难以解决，直到近一二十年，宽禁带半导体的研究和应用才得到了真正的发展，产业规模不断壮大。

砷化镓在射频领域优势突出

GaAs作为第二代半导体材料，相对于第一代的Si材料相比，它的电子迁移率为Si的6倍。其较高电子迁移率、较宽的禁带、较低的功耗等特性，决定了它的广泛用途及广阔的市场。

GaAs主要适用于高频及无线通信领域中的IC器件。由GaAs制出的高频、耐高温、防辐射的器件已经被应用在无线通信、光通信、激光器等领域。此外，由于GaAs的光电特性，GaAs通常也是制作光电元器件的基本材料。

根据strategy Analytics的调查数据，2013年全球砷化镓微博功率半导体市场总产值约64.7亿美元。而根据TriQuint的数据显示，其GaAs产品主要用于三个领域——移动设备、网络基础设施、国防和航空航天。

砷化镓产业链包括外延片、IC设计、晶圆制造、封装测试四个环节，采用IDM模式的厂商主要有Skyworks、Qorvo、Avago等;外延片厂商主要有IQE、Emcore、全新等;IC设计厂商主要有Microchip、Microsemi、和茂、锐迪科等;晶圆制造厂商主要有GCS、稳懋、宏捷科技、三安光电等;封测厂商主要有同欣、菱生、台达电等。

在手机无线网络中，系统中的无线射频模组必定含有两个关键的砷化镓半导体零组件：射频功率放大器(HBT工艺)和射频开关器(pHEMT)。目前一部4G手机平均使用7颗PA和4个射频开关器，未来随着4G手机、5G手机渗透率不断提升，手机用的砷化镓元件还将不断增长。

氮化镓半导体性能出众

目前第三代半导体材料被称作宽禁带半导体。禁带宽度是一个半导体的重要特征参量，其大小决定了半导体的能带结构。禁带宽度直接决定了半导体器件的耐压和最高工作温度。宽禁带半导体器件可以实现高耐压、低导通电阻、更高工作频率,相比于传统的半导体材料具备更为强大的功能且更为高效节能，GaN/SiC功率器件在AC/DC、DC/DC、DC/AC电流转换中损耗大幅低于Si器件，未来可以大幅消减电力损耗的宽禁带半导体功率器件将广泛应用于光伏逆变器、节能电机、大型数据中心、电网、电动汽车领域,成为整个节能产业的核心。

由于对高速、高温器件需求的不断增长，使得半导体业界开始重新考虑半导体的设计和材料。目前Si材料已经难以维持摩尔定律，由于GaN材料的特性，为多种应用提供了独特的选择，如消费电子领域、军事电子领域、工业领域等等。我们预计需求量的增加主要来自于GaN材料器件带来的器件在性能方面的提高，以及由于重量、尺寸等缩小打来的便捷性和经济性。

三安光电化合物半导体业务进展顺利

定增募集资金投向化合物半导体项目

三安光电化合物半导体业务进展顺利公司2015年公布定向增发，募集资金投入到厦门光电产业化(二期)项目及通讯微电子器件(一期)项目。

据公司2016年半年报，化合物半导体业务参与的客户设计案263个，有19个芯片通过性能验证，部分客户开始出货，二季度三安集成实现245.06万元销售收入。公司后续将尽快完成其他产品的认证，加快新设备采购进度，加快并购步伐并尽快落实项目，提升核心竞争力和盈利能力。目前，公司的主要竞争对手为Qorvo、稳懋、宏捷科技等厂商。

投资GCS，优势互补

2016年11月，公司与GCS成立合资公司——厦门三安环宇集成电路有限公司，其中三安光电出资204万美元，占比51%。GCS拥有先进成熟的生产工艺技术，没有足够的产能;三安光电则处于工艺的摸索阶段，有先进的设备和足够的产能。两者结合可以以迅速提升公司在射频通讯和光通讯元件技术水平和专利平台的构筑，广阔的客户网络与公司现有业务技术与产能形成互补，为公司集成电路开拓海内外市场提供强有力保障，有利于加快公司集成电路业务的发展进程，扩大业务范围及规模，提高公司盈利水平，提升公司核心竞争力。

为服务RFIC/MMIC行业，GCS提供广泛的III-V族化合物半导体制程技术组合，包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技术，以提升客户产品性能和市场竞争力。公司的GaAs PHEMT工艺可以制作低成本手机开关、高达40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪声放大器芯片(LNA)等。此外，硅基氮化镓射频功率放大器(RF PA)的制程技术也已经通过大批量生产所需的验证。

在测试仪器中经常使用超高速混合信号集成电路，在光纤通讯会用到40-100G的跨阻放大器(TIA)，GCS开发了两代具有截止频率180千兆赫至300千兆赫的磷化铟(InP)HBT技术(四个制程分别为SHBT、DHBT1、DHBT2、DHBT3)，多位客户已经证明其优越的性能并已实现批量生产。

GCS正在开发氮化镓制程技术，以供功率电子的应用，诸如太阳能逆变器、风力发电机、traction、不断电的电力供应器(UPS)、马达驱动及混合电动车/全电动汽车。GaN功率电子的工艺技术为0.5um的制程，包括Si基GaN技术和SiC基GaN技术两种。相比较而言，Si基GaN产品成本更低，而SiC基GaN产品性能更好。

主要财务指标

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