IGBT是目前发展最为迅速的新一代功率器件

摘要：  “十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。

关键字：  新能源，  半导体，  功率器件

“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重视，近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展最为迅速的新一代功率器件。