假设我们需要测试 1.5V、AA 尺寸的碱性电池。我们可以应用短路并测量电流,也可以测量开路电压,但两种方法都不能正确测试电池。大约 250 mA 的合适测试电流可为我们提供更合理的测试。我们可以在 1.5V 下使用 6Ω 电阻负载,如果电池状况良好,它会在 25°C 的环境温度下产生 1.46V 的输出电压。劣质电池可能产生低于 1.2V 的电压。给定负载,1.2V 的输出电流将为 200 mA 而不是 250 mA。电池将只有 80% 的满载电流。相反,我们可以使用图 1 中的电路 来产生恒流负载。
您肯定知道风力发电是一种可靠的能源,并且已经看到那些带有缓慢旋转叶片的大塔。(我对这些塔以及风作为大量稳定电力的可行来源有矛盾的感觉,但这是另一天的讨论。)
在住宅、商业、校园甚至电网级别进行更大规模的储能是一项挑战,没有明确的最佳解决方案。选项包括电化学(电池)、势能(升高的水或重量)、氢(通过燃料电池)、相变材料(熔盐)和机械功(在巨大的水箱或洞穴中压缩/减压空气)几种可能性。
无论如何,在衰落一个世纪后,电池又开始受到重视。这一趋势是在巨额投资的推动下进行的,研究不仅在电动汽车领域展开,还在手机或游戏机等其他重要领域展开。这些蓄能器正在沿着不可思议的道路前进。
随着我们在日常生活中更多地转向使用无线产品,电力电子研究同时也在为电动汽车 (EV) 等事物发展无线充电的新趋势。许多国家现在正在实施燃油经济性法规并推动以电动汽车取代汽油车的举措;因此,汽车制造商现在非常关注电动汽车的开发。虽然锂离子电池和超级电容器等技术进步大有希望,但更平稳地向电动汽车过渡的主要要求是基础设施和合适的快速充电系统的可用性。
众所周知,随着汽车智能化和网联化的演进,汽车上配装的芯片数量和种类越来越多,但芯片产能并没有及时跟上,且工业电源应用、消费电子、电力、通信及其他领域对于半导体产品也存在着巨大的需求。更何况,在去年疫情暴发后,大量汽车组装厂关闭,很多车企也误判了车市复苏的速度以及对芯片的需求,导致大量芯片资源向笔记本电脑、智能手机等消费电子产品倾斜。再加上车规级芯片的技术门槛相对较高,生产周期也较长,不可能像口罩等防疫物资一样快速投产。
在许多较大的系统设计中,通常有多种可能性和方法来提供基本电源。例如,在电力与碳氢化合物之间可能存在基本选择,然后是更多细节:清除和收获、太阳能、风能、天然气、丙烷、甲烷、压缩空气……这是一个很长的清单。然而,假设传统上使用的电源是正确的也是正常的,尤其是当设计团队对这种方法有一定的经验时。
无论是运行可穿戴设备还是为电动汽车供电,电池寿命都是让系统设计师(和消费者)夜不能寐的问题。与电子行业的所有可比进步相比,电池技术的创新非常缓慢。 在智能手机业务中,设计工程师花费大量时间和资源来尝试改进电池管理系统 (BMS)。在电池业务中,即使是微小的改进,研究人员也会不断地大惊小怪和调整。
关于研究大脑的故事也是一个关于为此设计技术的故事。过去几十年最成功的神经科学设备之一是神经探针或微小的针状大脑植入物,它们可以从单个神经元接收信号。记录大脑活动提供了一个独特的视角,以了解神经元如何在复杂的电路中进行交流以处理信息和控制行为。最终需要大规模的录音来了解大脑的工作原理并开发更先进的脑机接口。
主导电动汽车市场的竞争取决于电池技术和改进的充电基础设施,以及标价、软件更新和造型。正因如此,中国企业纷纷投入巨资,匹配并超越特斯拉行业领先的电池技术和制造能力。 特斯拉是否正在努力实现每千瓦时 100 美元的电池组成本?
许多年前,我参与了一个项目,在该项目中,主直流电源(一个标准的开放式框架单元)需要以大约 20 A 的电流向机箱相对偏远的部分提供 5 V 电压。由于用作电源路径一部分的 PC 板中的 IR 压降引起的问题(轨道太薄,使用 1 盎司铜而不是 2 盎司),负载电压仅为 4.5 V 左右,而规范称为对于 5 V ±200 mV。结果,设计的性能不稳定且不一致,尤其是在启动时。
国际固态电路会议 ( ISSCC ) 是对 CMOS 晶体管缩放的庆祝活动。但在他的 ISSCC 全体会议上,TI 的首席技术官 Ahmad Bahai 要求采取不同的观点。他没有计算我们可以在微米级 CMOS 中渲染的晶体管数量,而是描述了一系列因素,包括巧妙的设计和专门的封装。
PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行业突破拉开帷幕,其中包括英飞凌最新的SiC MOSFET 产品组合。这种新型 SiC MOSFET 芯片基于英飞凌最近发布的先进 M1H SiC MOSFET 技术。最近的进步实现了更大的栅极电压窗口,从而提高了芯片导通电阻。
Ansys 是一家专门从事结构、流体动力学、电磁和多物理工程仿真的公司,最近与 Electro Magnetic Applications, Inc. (EMA) 合作推出了其 EMA3D Charge 软件。EMA3D Charge 是一款模拟软件,可改进从太空探索到汽车和消费电子产品等应用的设计和安全性。
本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协同集成。这些组件的添加使芯片设计具有扩展的功能和更高的性能,使单片集成 GaN 功率 IC 更进一步。这一成就为更小、更高效的DC/DC 转换器和 PoL 转换器 铺平了道路。