• 频率折返工作方式：逐渐降低频率折返，及电流频率二级折返保护

    输出短路保护固定频率折返，折返工作频率高，输出短路保护效果会降低；折返工作频率低，系统甚至进入到非连续工作模式，虽然保护效果好，但有可能导致输出短路消除后输出电压无法恢复正常。如图1所示，输入24V、输出12V的 DCDC变换器，输出短路时，固定折返频率为正常工作频率的1/16，系统进入到非连续工作模式。

    松哥电源
    2022-10-20
    短路保护 工作频率 非连续工作模式

  • 在 IoT 应用程序中平衡内存性能和功耗

    为物联网应用选择电子元件的两个关键标准是功率预算和性能。自从电子产品问世以来，就一直在这两者之间进行权衡——要么获得最佳功耗，要么获得最高性能。根据应用程序，系统架构师对系统中的不同组件有不同的要求。例如，系统可能需要高性能控制器但低功耗存储器。一个典型的案例是可穿戴设备，其中控制器需要功能强大，但由于 SRAM 用作暂存器，因此预计它具有尽可能低的功耗。

    功率器件
    2022-10-19
    SRAM 物联网功耗

  • 修改我们的开关电源架构以改善瞬态响应，第二部分

    尽管输出电压随负载的变化在美学上令人不快，但该模型相对于前一个模型的优势是巨大的。它包含相同限制之间的输出电压，具有几乎两倍的 ESR，并且当我们将它们与允许的偏差进行比较时，误差源和纹波电压会变小，这通常是这种情况。将近两倍的 ESR 意味着输出电容器的数量几乎减少了一半，从而大大降低了成本和尺寸。剩下的问题是：我们如何设计电源以具有此特性?

    电源
    2022-10-19
    开关电源 瞬态响应

  • 修改我们的开关电源架构以改善瞬态响应，第一部分

    开关电源通常具有严格的静态调节规范。使用广泛可用的精密基准，我们无需任何初始调整即可在工作温度范围内轻松实现 ±1% 的精度。我们还必须处理电源的动态调节规范，制造商通常将其指定为瞬态负载的最大允许偏差，该瞬态负载具有规定的电流阶跃和规定的最大允许压摆率。这些规格以及恢复时间定义了瞬态后输出电压需要多长时间才能恢复到静态限制范围内。

    电源
    2022-10-19
    开关电源 瞬态响应

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-亚阈值电压操作

    在阈值电压或低于阈值电压时，EPAD MOSFET 在称为亚阈值区域的工作区域中表现出关断特性。这是 EPAD MOSFET 传导通道根据施加的栅极电压快速关闭的区域。由栅电极上的栅电压引起的沟道呈指数下降，因此导致漏极电流呈指数下降。然而，通道不会随着栅极电压的降低而突然关闭，而是以每十倍电流下降约 110 mV 的固定速率下降。

    功率器件
    2022-10-18
    低功耗设计 超低压 MOSFET

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-增强型 EPAD MOSFET

    ALD1148xx/ALD1149xx 产品是耗尽型 EPAD MOSFET，当栅极偏置电压为 0.0V 时，它们是常开器件。耗尽模式阈值电压处于 MOSFET 器件关断的负电压。提供负阈值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在没有电源电压且 Vgs = 0.0V 的情况下，这些 EPAD MOSFET 器件已经开启，并且在源极和漏极端子之间表现出受控的导通电阻。

    功率器件
    2022-10-18
    低功耗设计 超低压 MOSFET

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-“零阈值”模式设备

    寻求在电路设计中实现更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并可能阻止他们最大限度地扩大可用电压范围，否则会使新电路取得成功。

    功率器件
    2022-10-18
    低功耗设计 超低压 MOSFET

  • 关于氮化镓实际使用的热管理方面讨论

    所以，我想说这个概念是完全可扩展的。因此，我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计，它可以扩展到低电压，但这个概念是成立的。这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。

    功率器件
    2022-10-18
    功率器件 氮化镓

  • 使用更高功率来进行射频抗扰度测试

    如今,无论生活亦或是工作环境中都充斥着大量不同频率的电磁场，各个电子、电气设备在同一空间中同时工作时，总会在它周围产生一定强度的电磁场，比如电视发射台、固定或移动式无线电发射台以及各种工业辐射源产生的电磁场。

    功率器件
    2022-10-16
    功率放大器 射频抗扰度测试

  • 新的 SMU 可优化物联网和半导体的电池寿命

    罗德与施瓦茨宣布进入源测量单元 (SMU) 市场，推出两款新仪器，用于分析和优化物联网 (IoT) 应用和半导体元件测试的电池寿命测试。

    电源-能源动力
    2022-10-16
    物联网 电池寿命测试

  • 对话恩智浦：有关电动汽车的电气化和电池管理

    汽车电气化正在兴起，随着世界各国政府试图实现可持续发展目标，它可能会继续增长。本文摘录了与恩智浦半导体执行副总裁兼高级模拟业务线总经理 Jens Hinrichsen 就汽车电气化的各个方面的对话——从技术方面，包括电池管理，到增长的挑战，包括解决范围焦虑等因素，这是一种常见的消费者犹豫。

    功率器件
    2022-10-15
    恩智浦 汽车电气化

  • 我们如何看待未来几年的 GaN?

    我们如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的价值呢?我们期望在哪里看到下一波增长?

    功率器件
    2022-10-15
    功率器件 氮化镓

  • 火灾的发生，让我们重新思考高效的电气化（1）

    穴居人发现了火，而人类通过发明来进化这一发现，为我们照亮道路、烹饪食物并让我们保持温暖。但现在，我们都同意我们需要改变我们对能源的看法：它是如何产生、使用的，如何提高效率。近几十年来，许多进步包括来自可再生能源的清洁能源、以前依赖燃烧燃料的事物的电气化以及对能源效率的关注。随着我们向万物电气化迈进，人类与火的这种亲密关系将会消失，因为未来人类将看不到明火。这是一个相当大的偏离!当前这一代工程师将不再需要火。

    电源AC/DC
    2022-10-15
    碳化硅 电气化

  • 火灾的发生，让我们重新思考高效的电气化（2）

    我们会在不久的将来看到镓的高压应用吗?或者我们可以在哪里做一些事情，比如通过氮化镓芯片运行列车级电压?

    电源AC/DC
    2022-10-15
    碳化硅 电气化

  • GaN 半桥集成加速电力电子革命

    功率半导体的第二次革命五年后，基于氮化镓 (GaN)的移动快速充电器主宰了旗舰智能手机和笔记本电脑型号，从传统功率硅芯片中抢占了市场份额。这种下一代“宽带隙”技术正在逐步进入主流移动应用程序，同时从该滩头市场突围，进入更高功率的消费者、太阳能、数据中心和电动汽车。一个新的电源平台——集成的、功能丰富的、高效的 GaNSense™“半桥”——是高功率、高速应用的基本组成部分，其中 GaN 不仅提供更小、更快速的充电和降低系统成本的应用，而且还可以节省大约 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

    功率器件
    2022-10-15
    快速充电器 氮化镓 (GaN)
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