• 退役电池是储能系统的可行选择

    寻找一种技术上有吸引力且具有成本效益的方式来存储间歇性能源(如太阳能和风能)的能量是一项重大挑战,但有许多可能的解决方案。显然,这里没有单一的“最佳”解决方案,因为它取决于所需的电容量、充电、放电和使用周期、物理位置、成本和许多其他因素。当然,清单包括但不限于储存的水、重力和重量、飞轮、熔盐、压缩气体和电池。

  • 无锂和无钴电池?Alsym Energy 押注于可持续发展

    总部位于马萨诸塞州的公司 Alsym Energy 旨在通过保持高性能和安全性但低成本的无锂和无钴电池提供可持续性。 Alsym 的科学家团队努力提供和传播能量密集的“绿色”电池,其价格几乎全世界任何人都能负担得起,从而避免了当前电池的其他一些缺点,从采矿对环境的影响到锂离子电池会着火。Alsym 成立于 2015 年,截至目前,Alsym 已从 Helios Climate Ventures 等投资者那里筹集了 3200 万美元。

  • 新型数字电流传感器提高了恶劣环境中的可靠性,第一部分

    电流传感器在许多电子应用中发挥着重要作用,可让您提高应用效率并监控电流以避免可能出现的故障或故障。 多年来电流传感器所经历的技术发展导致了集成电流传感器的诞生,此外还提供了高水平的精度和可靠性,这些传感器采用标准封装,占地面积非常小。最新一代的传感器具有高压隔离特性、高度的外部电磁场抗扰度和卓越的精度,使其成为测量工业、汽车、智能仪表、光伏、DC-DC 转换器和逆变器中的 AC 和 DC 电流的理想解决方案.

  • 新型数字电流传感器提高了恶劣环境中的可靠性,第二部分

    随着人民的生活水平日益的提高,汽车应用的普及,使得汽车尾气污染越来越严重,尤其是首都北京,天津,河北,重度污染天气已经超过全年的一半,严重影响了人们的健康,国家领导也相应的采取措施,其中电动汽车的支持就是一项,电动汽车也很受老百姓喜欢,电动汽车的电源启动系统中电流传感器起到很大的作用。

  • 电动汽车电池“护照”推动我们实现碳中和

    转向电气化并非没有缺点。例如,除了回收电池组件的隐性费用外,采矿和生产电池所用原材料的碳足迹与尾气排放的碳足迹相当。 许多初创公司提出了一个功能齐全的循环经济作为实现净零碳排放的一种方式。为了使电动汽车可持续发展,在提取基本原材料时必须遵守社会和环境标准。这些材料也必须回收。Circulor 的联合创始人兼首席执行官 Douglas Johnson-Poensgen 表示,为了实现气候目标,我们必须将可追溯性与循环性结合起来。

  • 抗辐射功率器件:第 2 部分 WBG 器件和封装选项

    在关于抗辐射功率器件的第 2 部分中,我们将探讨 WBG 半导体在该领域的一些优势,特别是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。还将总结一些包括低成本塑料产品的包装选择。

  • 抗辐射分立功率器件:第 1 部分 — Si MOSFET

    用于 5G、物联网和其他各种用途的商业天基通信出现了巨大的增长,Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明证。这补充了军事和科学卫星的使用,后者也出现了大幅增长。这些应用所需的半导体功率器件,例如卫星总线电压到终端应用的DC/DC 转换,与地面商业或汽车对应器件相比,需要满足某些独特的可靠性标准,因为它们存在于敌对环境中。环境。这既意味着可预测的辐射暴露——例如来自地球周围的范艾伦带——也意味着不可预测的事件,例如太阳耀斑。

  • 频率折返的工作方式:固定频率折返

    输出短路后输出电压非常低,电感的激磁电流di/dt变得非常大,去磁电流di/dt变得非常小,工作几个开关周期后电感激磁的起始电流不断增加,极端情况下电感可能发生饱和,电感值L降低到非常低的值。

  • GAAFET,是什么技术?

    美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆,GAA(环绕栅极)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(环绕栅极场效应晶体管)?

  • GaN半桥电源集成电路最大限度地提高性能,降低成本

    氮化镓是一种具有较大带隙的下一代半导体技术,已成为精密电力电子学发展的关键。它比硅快20×,可以提供高达3×的功率或充电,其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT:一些器件特性和应用权衡,第二部分

    在电机驱动应用中,功率器件需要承受过载或故障条件,这些条件会造成器件处于高电压和高电流导通状态且器件处于饱和状态。高温会导致灾难性的破坏。功率器件及其栅极驱动器需要协同工作才能关闭器件,之前将 1us 视为正常响应时间。几项关于 GaN HEMT 的研究报告了更短的 SCWT 时间,这被认为是来自高电流密度,尤其是在低 Rdson 器件中。随着 Vds 升高,SCWT 急剧下降,许多研究表明 Vds ≥ 400V 时小于 500ns。

  • GaN HEMT:一些器件特性和应用权衡,第一部分

    GaN HEMT 器件处于创造新机会以及在广泛的功率转换和功率传输应用中取代现有的硅基设计的最前沿。在本文中,我们将回顾一些更广泛使用的 HEMT 的一些关键器件特性,并尝试强调每个方面的一些权衡。

  • EMI 噪声,用于抑制 EMI 的组件

    电磁干扰 (EMI) - 由源、路径和受害者组成 - 是电气和电子系统中的一个问题。一些系统会发出噪音,而另一些则容易受到噪音的影响,还有一些系统会发出噪音并受到噪音的影响。然而,可以通过几家值得信赖的供应商轻松获得可用于在几乎任何应用中有效过滤 EMI 的各种组件。

  • EMI 噪声,箱级 EMI噪声抑制

    到目前为止,我们已经讨论了满足 EMC 标准所必需的板级 EMI 抑制解决方案。然而,对于封闭系统不能免疫甚至发射 EMI 的应用,它们可能还不够。此类应用(包括医疗、航天、航空航天和其他关键任务系统)需要盒级 EMI 滤波。

  • 不要让EMI 噪声成为我们的问题

    电磁干扰 (EMI) 是所有电气和电子电路中的一个问题。这个由六部分组成的系列将讨论用于减轻 EMI 噪声排放的可用组件解决方案;如何使您的电路不易受 EMI 影响;以及针对汽车、医疗、植入式和空间应用的特定 EMI 考虑因素。在第一篇文章中,我将介绍 EMI 以及用于降低 EMI 噪声排放的可用组件解决方案。

发布文章