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  • 隔离型LED驱动电源将成为主流 LED冷藏照明增长较快

    【导读】Scott M Brown 认为，Class II将在AC/DC照明领域占主导地位，因为它简化了LED散热。Class I或II系统依赖接地系统，而在多数情况下，接地系统取决于具体的装置。Class II系统很常见，也即需要变压器磁性绕组、绝缘带和物理隔绝。Class I系统需要接地机架和/或机械屏障，而Class II系统则不需要这些。 Semtech公司电源产品营销副总裁Scott M Brown 对于LED未来的发展发表了自己的看法。 隔离和非隔离LED驱动电源方案各有优缺点。 Scott M Brown 认为，Class II将在AC/DC照明领域占主导地位，因为它简化了LED散热。Class I或II系统依赖接地系统，而在多数情况下，接地系统取决于具体的装置。Class II系统很常见，也即需要变压器磁性绕组、绝缘带和物理隔绝。Class I系统需要接地机架和/或机械屏障，而Class II系统则不需要这些。 影响电解电容器可靠性与寿命的最重要因素是较高的工作温度，而LED灯具通常工作在较高的温度下。电解电容可以而且正在用于照明应用，但为了解决系统热设计不当可能导致的质量问题，如前所述，业内正在评估其它非电解电容技术，而且经常会得到采用。 在移动和液晶电视系统，白色LED将继续从CCFL手中夺取市场份额。加固型应用将越来越多地采用LED，尤其是汽车、航空、工业与医疗领域。在LED较高的初始成本被长寿命、能效和维护成本降低所抵消的那些领域，固态照明将取得增长。这些领域包括仓库、停车库和一些建筑照明。由于在冷藏环境下温度问题减轻，冷藏照明是一个增长较快的领域，在此类产品中温度问题减轻。 有几个趋势在推动LED照明的发展。 一个是高亮度LED的效率不断提高，以及驱动这些LED的高效率、可靠恒流电源的供应增加。 其次是全球各地制定了相关法规，这预示低效率白炽灯走到了尽头，同时紧凑型荧光灯(CFL)也将逐步退出舞台。如果破碎，紧凑型荧光灯会向周围环境释放出有害的水银。在这些因素的综合作用下，长期来看，采用LED照明将是必然选择。当然，降低系统成本，包括LED、热管理系统和LED驱动器在内的成本，一直是推动LED普通照明产品得到消费者广泛采纳的重要因素。 OEM厂商面临的主要挑战，是达到政府和产业制订的能源标准，这些标准规定了效率、功率因数。同时，还要兼容TRIAC调光。像符合能量监管法规一样重要的是，质量和长期可靠性也是决定LED能否成功的关键因素，因为厂商正在宣传的一项LED照明优点就是其寿命比传统照明技术长得多。而只有整体系统具备长期可靠性，才能实现上述优点，情况一直是这样。实际上，故障对于许多照明产品来说是常见现象，主要是出在电源方面，而不是LED问题。 放在设计层面，这意味着OEM厂商必须擅长系统热设计。LED具有高效能(流明/瓦)，但产生的传导热明显多于白炽灯或荧光灯。而且由于许多应用都封装在密闭的机架之中，几乎没有可以给系统降温的空气流动。如果不仔细设计热管理系统，LED及其电源电路就可能因高温而导致品质下降或过早发生故障。 Semtech的产品具有较高的集成度、先进的防护和安全性、通讯能力、障碍界面，而且具有越来越高的电压与电流水平。 LED因其高能效和长寿命而得到青睐。实际上，高效能和长寿命对于回收LED器件高昂的初期投资非常关键。Semtech通过提供具有成本效益的手段来保证LED热性能，避免任何工作环境下发生代价较高的退货现象，致力于确保长寿命。 Semtech提供中低电压的多串和单串集成LED驱动器产品，有三大卖点： 第一个是耐用性，它使我们的产品适用于要求严苛的应用场合并能保证长期可靠性。例如，SC446的引脚间距是1mm，可把恶劣环境下由PCB污染导致引脚-引脚故障的可能性降到最低。 第二个是额定功率较高，可以驱动功率更高的LED。SC446每通道可以提供高达100mA的电流。 第三个易用性，例如，我们把高功率LED驱动器与一个裸露散热垫封装在一起，以帮助客户在较宽的温度范围内管理可能影响长期可靠性的热问题。

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  • 10月全球芯片销售额263亿美元 同比增19.8%

    【导读】据国外媒体报道，美国半导体产业协会(Semiconductor Industry Association)发布的最新数据显示，10月全球芯片销售额为263亿美元，与去年同期的220亿美元相比，同比增长19.8%。 据国外媒体报道，美国半导体产业协会(Semiconductor Industry Association)发布的最新数据显示，10月全球芯片销售额为263亿美元，与去年同期的220亿美元相比，同比增长19.8%。 到目前为止，今年全球芯片的销售额已达2482亿美元，与去年1812亿美元销售额相比，增长37%。 SIA总裁布赖恩·图希(Brian Toohey)表示，适中的销售步伐与季节模式一致，到年底前，这一销售趋势将继续保持。未来增长预计将受到发展中国家需求的驱动。与9月相比，10月全球芯片销售增长最快的地区是欧洲，10月欧洲芯片销售额环比增长3.3%，10月亚太区芯片销售额环比下降近1%。

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  • Ramtron串行1兆位F-RAM存储器荣获创新奖最佳产品奖

    【导读】世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 赢得业界声望卓著的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖，其通过AEC-Q100 Grade 3标准认证之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选 世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 赢得业界声望卓著的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖，其通过AEC-Q100 Grade 3标准认证之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选为嵌入式系统存储器类别的最佳产品。 汽车电子委员会(AEC)集成电路应力测试资格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)确定了严格的汽车级资格认证。Ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求，扩大了符合AEC-Q100要求的存储器阵容至15款产品。Grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。 Ramtron公司全球市场推广总监徐梦岚称：“FM25V10标志着我们容量最大符合汽车等级标准的产品出炉。在V系列产品线中增加达到Grade 3标准的产品，使得我们能够在4kb至1Mb的整个密度范围内，为汽车客户提供高功效、高性能的非易失性存储器产品。” 去年，Ramtron的V系列产品获得《电子设计技术》杂志嵌入式系统存储器类别之优秀产品奖。 FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1Mb串行SPI器件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作，具有无延迟 (NoDelay™)  写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的普适型 (drop-in) 替代产品。 这次比赛的最终入围产品由来自中国领先OEM厂商、学术机构和大学，以及《电子设计技术》杂志编辑委员会之业界专家组成的评审小组确定，《电子设计技术》杂志读者也作出投票。 徐梦岚称：“ 我们很荣幸FM25V10赢得这一声望卓著的奖项，获得中国电子设计社群和《电子设计技术》杂志编辑及读者的认可。”

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  • Gartner：英特尔连续19年名列全球十大半导体厂商之首

    【导读】根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过30%。今年半导体行业收入高达3，000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。 根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过30%。今年半导体行业收入高达3，000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。 2010年，英特尔成为连续19年排名第一的厂商，但其市场份额从2009年的14.2%下降到今年的13.8%（见表1）。随着个人电脑市场在2010年下半年强劲的库存预期，英特尔在今年上半年出现强劲增长，但是随着消费者信心减弱，第三季度增长势头减弱。小笔电的销售，英特尔这一一支独秀的领域，尤其令人失望。 表1：全球前十大半导体厂商收入预估排名（百万美元）来源：Gartner（2010年12月） 2010年，三星电子、东芝和德州仪器表现抢眼，在十大榜单中分别占据第二、第三和第四的位置。由于三星在蓬勃发展的DRAM和NAND闪存市场上表现活跃，该公司年度增长强劲。内存销售占据该公司80%的销售份额。东芝在用于移动设备和离散、ASIC和ASSP业务的NAND闪存业务上获得增长。2010年是德州仪器收获颇丰的一年，该公司半导体业务整体收入增长35.2%，模拟业务收入增长超过41%。 新进入前十大榜单的瑞萨电子在今年排名第五，该公司是NEC电子与瑞萨科技于2010年4月1日合并而成。此外，在前十大榜单中，美光科技上升了5个排名，以第八位的身份跻身榜单，这主要归功于其收购了Numonyx，这使得该公司在2010年能获得Numonyx后三个季度的销售。 据分析，2010年半导体市场受系统制造商因库存耗尽而争先恐后购买零件这种被抑制了的需求所推动。集成设备制造商（IDM）与晶圆代工厂商也都在积极扩大产能。第三季度，随着需求放缓及消费者信心减弱，交货时间放缓下来，库存慢慢开始累积。不过，半导体供应商正在努力解决积压订单，2010年将成为半导体行业标志性的一年。

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  • 高通:印度率先测试2.3GHz频段TDD LTE

    【导读】高通公司(Qualcomm)位于印度的合资公司Wireless Broadband Business Services与易利信(Ericsson)表示，已合作在印度展示了2.3GHz频段 TDD LTE 在户外环境的移动性。此测试为高通 LTE 合资计划的一部分，旨在加速 LTE 与 3G 部署，以推动印度行动宽频成长。 高通公司(Qualcomm)位于印度的合资公司Wireless Broadband Business Services与易利信(Ericsson)表示，已合作在印度展示了2.3GHz频段 TDD LTE 在户外环境的移动性。此测试为高通 LTE 合资计划的一部分，旨在加速 LTE 与3G 部署，以推动印度行动宽频成长。 这项测试是在印度古尔冈(Gurgaon)地区进行，将多个高画质影片档案传输至移动中的车子，验证在保持传输连续性的同时，不同基站间的无缝交递。本次测试采用易利信无线存取网络(Radio Access Network ；RAN)和演化式核心网络(Evolved Packet Core ；EPC)解决方案，并且以高通MDM9x00多模芯片组为基础，同时支持LTE和3G的USB数据卡。 高通资深副总裁暨印度及南亚区总裁Kanwalinder Singh表示：“很高兴能与易利信合作于印度展示在户外环境下TDD LTE的移动性。TDD LTE以其移动性的优势搭配3G互通性，使其成为最适合在印度2.3 GHz BWA频谱上部署的技术。对于在2011年提供同时支持3G及TDD LTE商用化基础设施与芯片组的目标而言，本次测试是一大进展。” 易利信印度区总裁Gowton Achaibar表示：“LTE在印度已得到具体实现。此次测试证明TDD LTE 相关产业链已准备就绪，并为移动中的无缝联机宽频开启无限商机。LTE将为消费者和企业提供更丰富的通讯服务。” 高通于今年初争取到2.3 GHz频段上的20 MHz TDD频谱，可涵盖德里、孟买、哈里亚纳邦和喀拉拉等主要电信区域。2010年7月，高通宣布Global Holding Corporation与Tulip Telecom为其印度LTE合资公司原始股东。这次户外移动性测试为促进产业就绪及加速TDD LTE布署之关键。该合资公司将致力于2011年进行的3G与LTE互通性测试，以及TDD LTE基础设施、芯片组和装置的商用化。 未来高通将持续进行印度LTE合资计划，预期将可吸引一家或多家经验丰富的3G HSPA和/或EV-DO营运商加入，依据印度政府BWA频谱布署规定建设LTE网络后，高通将退出该合资企业。

    半导体 频段 LTE TDD

  • Intel进攻平板和智能手机

    【导读】近日，英特尔执行长Paul Otellini在巴克莱资本银行全球科技法说会（Barclays Capital Global Technology）上表示，35款采用英特尔Atom处理核心的平板装置将在2011年陆续问世。至于首款采用英特尔芯片的智能型手机产品，预计将在2011年下半年推出。藉此，英特尔决心要在快速成长的行动装置市场里积极地迎头赶上。 近日，英特尔执行长Paul Otellini在巴克莱资本银行全球科技法说会（Barclays Capital Global Technology）上表示，35款采用英特尔Atom处理核心的平板装置将在2011年陆续问世。至于首款采用英特尔芯片的智能手机产品，预计将在2011年下半年推出。藉此，英特尔决心要在快速成长的行动装置市场里积极地迎头赶上。  附图 : 35款采用英特尔Atom处理核心的平板装置将在2011年陆续问世。(Source:Intel) Paul Otellini指出，采用Atom处理器为核心的SoC架构的平板装置，将可支持Android作业框架、微软Windows操作系统和英特尔与诺基亚合作的MeeGo操作系统。英特尔把Atom处理器视为进取平板装置、智能型手机和嵌入式系统的利器，也是抗衡苹果iPad和A4处理器的法宝。同时在这里，强调低功耗的ARM Cortex-A8和Cortex-A9处理核心，更是英特尔强大的竞争对手。 Paul Otellini在法说会上特别点名Atom集团的平板装置品牌厂商，包括支持Android作业框架的思科、华硕、戴尔、OpenPeak、AT&T、联想和AVAYA；支援Windows的东芝、联想、戴尔、富士通、华硕、COSMOS等；支持MeeGo的宏碁、WeTab、Indamixx和正文科技等。此外，英特尔也罕见地公开表示会特别设立平板装置和小笔电部门，由英特尔目前嵌入式和通讯部门主管Douglas L. Davis来担任。 针对平板装置的Atom处理核心，可分为两条路径，因应Windows环境与既有PC装置兼容，英特尔推出Oak Trail系统单芯片架构。另一款则是Moorestown，专门针对轻巧和薄型化所设计，虽然并不与既有PC装置兼容，但是联网和支持Windows操作系统并没有问题。 不过英特尔虽然进一步设立平板部门，把平板装置视为新兴的营收来源、以及不断成长的应用类别，但是在英特尔目前的规划里，笔电的地位仍是大于平板装置的。Paul Otellini就明白指出，全球笔电每天的生产量以百万计，而苹果iPad上一季的总出货量则只有400万台，笔电的出货规模仍远大于平板装置，笔电对于人们生活的重要性也不能被轻易遗忘。 在智能型手机领域，Paul Otellini形容英特尔的策略是「准备跑一场马拉松，而不是短跑冲刺」。他指出英特尔针对智能型手机所设计的下一代Medfield芯片，已经对客户端送出样品，计划在2012年可大量出货。 英特尔从去年开始，就透过各种策略积极布局手机芯片版图，就是为了抢攻智能型手机领域的地盘。去年从手机大厂诺基亚（Nokia）那里购买了3G/HSPA/LTE的智财权（IPR）；今年5月消息传出英特尔以3000万美元并购以色列WiMAX/GSM调变解调器设计公司Comsys；同月底英特尔公布针对智能型手机所设计的新一代Atom处理器。7月中英特尔更进一步宣布延揽先前参与Palm Pre和Pixi手机研发和苹果iPhone计划的Mike Bell，担任英特尔智能型手机发展部门的副总裁和产品总监，指挥统整英特尔的手机发展业务。8月底英特尔以14亿美元并购英飞凌的无线芯片部门，补足了在基频处理器、RF射频收发器的技术关键，并藉由英飞凌无线芯片部门既有的客户人脉，打通与苹果、LG、三星和RIM等品牌手机的渠道。 另一方面，Paul Otellini也公布英特尔针对PC的下一代处理器架构Sandy Bridge，将在2011年开始出货。这款4核心架构处理器整合新款绘图处理能力，相关笔电产品也将在下月拉斯韦加斯的CES大展上亮相。市场一般认为这就是冲着AMD的Fusion处理器而来。 至于在谈及智能电视（smart TV）的未来时，Paul Otellini认为，现在网络电视（Internet TV）的最终规格还没有出现。 现在或即将在2011年第一季推出平板装置的厂商，除了上述之外，还包括三星、View Sonic、宏碁、惠普、宏达电、华为、微星、广达、仁宝、LG电子、摩托罗拉、诺基亚、RIM、夏普、Sony Ericsson、中国电信、万事通、德州仪器等。而在处理器部份，除了英特尔之外，绝大部分都是采用ARM核心架构，其中代表包括苹果A4、高通Snapdragon、英伟达Tegra 2、三星Hummingbird、ST-Ericsson的U8500、飞思卡尔iMX535、迈威尔Armada 610和德州仪器OMAP 4430等。

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  • 2010年十大晶圆代厂 大中华区占4席

    【导读】据DIGITIMES Research分析，2010年全球前十大晶圆代工厂排名中，大中华地区即占4席，而大中华地区前四大晶圆代工厂，在2010年全球晶圆代工产业合计市占率高达73%，亦突显出大中华地区在晶圆代工产业地位之重要性。 据DIGITIMES Research分析，2010年全球前十大晶圆代工厂排名中，大中华地区即占4席，而大中华地区前四大晶圆代工厂，在2010年全球晶圆代工产业合计市占率高达73%，亦突显出大中华地区在晶圆代工产业地位之重要性。 2010年全球前十大晶圆代工厂商排名，台积电(TSMC)、联电(UMC)以全年营收132.3亿美元与38.6亿美元，分别拿下第一名与第二名，中芯(SMIC)则以15.5亿美元全年营收，居于第四名位置。至于台积电旗下转投资公司世界先进(Vanguard International Semiconductor)则以5亿美元全年营收，亦挤身于全球前十大晶圆代工厂商之列。 柴焕欣说明，然而，GlobalFoundries挟中东阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)雄厚资金，除购并全球第三大晶圆代工厂特许半导体(Chartered)外，还于美国纽约州兴建第三座12英寸晶圆厂Fab-8，生产制程更从28nm起跳，目标就是希望超越台积电，成为全球最大晶圆代工厂。GlobalFoundries加入竞争，掀起晶圆代工产业新一波12英寸晶圆厂产能扩充竞赛。 包括台积电、联电、中芯等晶圆代工厂于2010年皆相继调高资本支出金额，柴焕欣分析，除加快12英寸晶圆产能扩充脚步外，为争取更广大订单机会，亦为掌握整合组件厂(IDM)订单扩大委外代工的趋势，提高45/40nm及其以下先进制程产出比重，购置浸润式机台亦是资本支出另一个重要方向。 在大中华地区主要晶圆代工厂投入12英寸晶圆与先进制程产能扩充的同时，展望2011年半导体产业景气，在2010年下半客户端库存调整后，DIGITIMES Research预期2011年依然会延续景气成长的方向前进，但历经2009年下半以来高成长期后，2011年将会成长趋缓，回归至稳定成长的轨迹。 需求成长幅度预估供给相当，柴焕欣预估2011年大中华地区前四大晶圆代工业者营收年成长率将达9.4%，但在12英寸晶圆产能与45/40nm及其以下先进制程良率与研发进度拥有优势的台积电，全球市占率版图将会进一步扩张。

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  • LED火热 晶能光电获5，550万美元增资

    【导读】近日，国际金融公司(IFC)为首的投资机构对晶能光电进行增资，增资总额为5，550万美元。 近日，国际金融公司(IFC)为首的投资机构对晶能光电进行增资，增资总额为5，550万美元。 晶能光电拥有的硅衬底LED技术，具有自主知识产权，目前已申请或获得国际国内发明专利150多项。相比前两条技术路线而言，硅衬底LED技术具有材料成本低、器件散热性好、结构简单等综合优势，对于推动LED行业发展和成本降低、普及LED产品具有重大的现实意义。国家863专家组对此项技术的评价是：“……打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。” 2009年以来，世界各国对低碳经济高度关注，促进了LED产业的蓬勃发展，面对巨大的市场机会，晶能光电迅速制定并实施了扩产计划，率先与全球两大供应商之一Aixtron签订了MOCVD购买协议，是Aixtron当时在中国大陆的最大订单。到2010年底，公司产能可达140亿粒芯片。2011年，随着MOCVD全部到货，公司年产能可达240亿粒，成为国内最大的外延材料及芯片制造企业之一。晶能光电董事长伍伸俊先生说：“晶能光电公司拥有颠覆性的技术，来自海内外的技术精英和管理团队，为全球市场提供成本最低性能最好的半导体照明灯泡而努力，致力于在中国成就世界级的高科技公司；”。公司董事兼常务副总裁王敏说：“我们很幸运，赶上了LED市场爆发的机会，并且在产业刚启动时，我们提前锁定了关键设备，为企业发展赢得了先机; 我们很幸运，得到了资本市场的大力支持，具有雄厚的国际化资本平台”。 “世界顶级投资机构对晶能光电扩产进行增资，代表着国际资本对新兴节能环保产业的支持，也是国内外投资机构对晶能光电取得成就的认可。”金沙江基金董事总经理董事潘晓峰说。 金沙江创业投资从2006年开始，牵头投资并引进了Mayfield基金，永威基金，凯旋基金和淡马锡集团投资江西南昌成立晶能光电(江西)公司，共投资超过1亿美元(总投资超过2亿美元)致力于中国原创技术的产业化。目前，公司已成功启动多元化的产品生产，面向蓬勃发展的中国信息产业客户和国际著名的照明公司。 此次增资不仅为晶能光电扩大产能提供充足的资金支持，更将提升晶能光电在世界范围内的影响力。资本与技术的完美结合，将在更高层次上推动这一绿色产业的蓬勃发展，也必将在更宽领域、更深层次上为推动世界节能减排事业的发展、维护人与自然的和谐发展做出重要贡献。

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  • 苹果MacBook舍NVIDIA转向英特尔

    【导读】12月10日，据知情人士透露，英特尔Sandy Bridge处理器将用于苹果新型MacBook笔记本中。当前MacBook笔记本采用的是Nvidia图形芯片和英特尔酷睿i系列及酷睿2双核处理器。因Sandy Bridge处理器图形功能得到强化，苹果至少目前已决定在某些型号笔记本中终止使用Nvidia图形处理器。 12月10日，据知情人士透露，英特尔Sandy Bridge处理器将用于苹果新型MacBook笔记本中。当前MacBook笔记本采用的是Nvidia图形芯片和英特尔酷睿i系列及酷睿2双核处理器。因Sandy Bridge处理器图形功能得到强化，苹果至少目前已决定在某些型号笔记本中终止使用Nvidia图形处理器。 知情人士称，13英寸及以下的MacBook有望采用Sandy Bridge图形芯片，高端MacBook Pro产品可能采用AMD图形芯片。Nvidia图形芯片是否用于高端产品尚不清楚。 对英特尔而言，Sandy Bridge是英特尔芯片史上的重大转折，因为图形芯片首次被直接集成到主处理器上，提高性能，免费提供 图形功能。性能提高是苹果部分低端MacBook采用英特尔图形芯片的主要原因。 Insight64首席分析师南森·布鲁克伍德（Nathan Brookwood）说：“传统上13英寸低端产品通常没有安装独立GPU的地方。如果苹果希望在低端产品中采用Sandy Bridge，只能依靠Sandy Bridge集成图形芯片。” 科技网站Anandtech CEO阿南德·希姆皮（Anand Shimpi）对Sandy Bridge图形功能测试后表示：“预计新图形芯片性能可提高一倍，所以低端产品没必要采用独立图形芯片。” 苹果已经在MacBook中使用英特尔图形芯片了，可在Nvidia处理器和英特尔集成图形芯片之间切换。最初的MacBook Air只采用了英特尔图形芯片。但由于英特尔图形技术不及Nvidia和AMD，苹果通常考虑英特尔图形芯片。 苹果MacBook中采用英特尔Sandy Bridge是对英特尔技术的认可，为低端MacBook产品提供最好的性价比。 苹果需要考虑的其它事项 苹果需要考虑的一个关键问题是软件框架OpenCL技术，利用GPU运行应用时的速度较标准CPU更快。OpenCL被苹果标榜为“开发者可使用GPU获得大量计算能力”。OpenCL曾是图形芯片提供商Nvidia的王牌，其芯片支持OpenCL技术。 尽管英特尔计划在处理器中支持OpenCL技术，并为OpenCL技术发布α版本驱动程序和一款软件开发工具，但主要以CPU为中心，仍处于初级阶段。知情人士称，英特尔正致力于使Sandy Bridge支持OpenCL的工作。 苹果需要担忧的另一个问题是英特尔与Nvidia之间的法律纠纷。2009年2月，英特尔起诉Nvidia，试图禁止Nvidia获得未来英特尔数据总线技术许可。 如果英特尔获胜，Nvidia将无法销售采用英特尔处理器的芯片组，不能销售采用酷睿i系列和Sandy Bridge芯片的芯片组。 苹果和Nvidia均未就此置评。  

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  • 全球半导体销售结束连续7个月成长的局面

    【导读】12月3日，半导体产业协会(SIA)发布新闻稿指出，2010年10月全球半导体3个月移动平均销售额与前月的下修值263亿美元相仿，结束连续7个月成长的局面；与去年同期相比成长19.8%。1-10月累计销售额年增37.0%至2，482亿美元。  12月3日，半导体产业协会(SIA)发布新闻稿指出，2010年10月全球半导体3个月移动平均销售额与前月的下修值263亿美元相仿，结束连续7个月成长的局面；与去年同期相比成长19.8%。1-10月累计销售额年增37.0%至2，482亿美元。  统计中显示，10月在各地区当中，美洲月增0.0%，日本增加0.3%，而欧洲大增3.3%，亚太地区减0.9%。与去年同期相比，美洲再度以30.7%的成长率居冠，亚太、欧洲各成长18.8%、19.6%，日本增加12.5%。亚太地区销售额超过全球的半数。  SIA总裁BrianToohey表示，受到季节性因素影响，半导体销售月成长率减缓的趋势预期将持续至年底。Toohey认为，未来的成长将更依赖新兴市场的需求来带动，该地区行动装置与消费性电子等半导体终端产品将快速增加。  根据SIA在11月4日公布的最新半导体销售预估显示，2010年销售额将创下3，005亿美元的历史新高，年增率为32.8%，较原先预估值为高。2011、2012年可望各增6.0%、3.4%至3，187亿美元、3，297亿美元。2009-2012年的复合年增率(CAGR)将达13.4%。  

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  • 博通、飞思卡尔等六家IC大厂同时被告

    【导读】日前，芯片接口技术授权厂商Rambus向美国国际贸易委员会(ITC)与美国加州地方法院控告多家IC厂商侵犯其专利权，要求有关当局禁止被告厂商的相关芯片与采用芯片的系统产品进口。博通(Broadcom)、飞思卡尔(Freescale)、LSI、联发科(MediaTek)、Nvidia与意法半导体(ST)等6家企业均在被告之列。 日前，芯片接口技术授权厂商Rambus向美国国际贸易委员会(ITC)与美国加州地方法院控告多家IC厂商侵犯其专利权，要求有关当局禁止被告厂商的相关芯片与采用芯片的系统产品进口。博通(Broadcom)、飞思卡尔(Freescale)、LSI、联发科(MediaTek)、Nvidia与意法半导体(ST)等6家企业均在被告之列。 “我们曾试图与那些公司达成授权协议，但努力了一段时间却没有结果；”Rambus执行长Harold Hughes在一份声明稿中表示：“其中有一家被告公司坦承告诉我们，要让他们认真对待此事的唯一方法，就是提出告诉。”Rambus可说是IP侵权官司的常客，这些年来提出不少有关于SDRAM内存技术专利权的诉讼与反诉讼。 这桩诉讼案与两项Rambus所持有的专利组合(patent portfolios)有关，但讽刺的是，其中一项“Dally”专利的原申请人William Dally现在是Nvidia的技术长，而Rambus是在2003年收购由Dally所创办的公司Velio Communications时取得上述专利。 Rambus所提的诉讼范围广大，列举了Dally专利中的核心技术，据说广泛使用在PCI Express、Serial ATA、Serial Attached SCSI与DisplayPort等接口上；此外Rambus的诉讼还包含另一项“Barth”专利组合，是有关内存接口的技术，涵盖DDR、DDR2、DDR3、行动DDR、LPDDR、LPDDR2与GDDR3内存控制器。 在诉状中，Rambus并请求ITC禁止让那些内含侵犯专利权芯片之所有系统，包括PC、服务器以及路由器，还有手机、机顶盒与硬盘等等产品。ITC将在诉讼提起的45天之内，决定是否就此案件展开调查。 在同一时间，Rambus也向美国北加州地方法院对博通、飞思卡尔、LSI、联发科与意法半导体提出另一项独立的侵犯专利诉讼，声称内含特定内存控制器的芯片违反了Rambus的专利权；还有另一项独立诉讼则是专门针对Nvidia所提出，与Dally专利组合有关。

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  • 今年上半本土高压变频器企业已达30余家

    【导读】水清木华研究中心指出，随着国内高压变频器企业的崛起，以及下游需求的激增，中国高压变频器市场规模得到了迅速扩大，从2005年的11亿元增至2009年的39亿元，年复合增长率高达37%。2010年中国将继续加大节能电机产品的推广，并对节能服务公司给予扶持，这将推动高压变频器市场的进一步增长，预计2012年其市场规模将达到85亿元左右。 水清木华研究中心指出，随着国内高压变频器企业的崛起，以及下游需求的激增，中国高压变频器市场规模得到了迅速扩大，从2005年的11亿元增至2009年的39亿元，年复合增长率高达37%。2010年中国将继续加大节能电机产品的推广，并对节能服务公司给予扶持，这将推动高压变频器市场的进一步增长，预计2012年其市场规模将达到85亿元左右。 高压变频器行业具有较强的进入壁垒，在技术、资金、品牌等方面具有优势的企业才能在该行业获得一席之地。西门子、ABB在其强大的技术、品牌支撑下，已在全球高压变频器市场遥遥领先，其2009年在全球市场份额分别达到26.5%和20.0%，远远高于中国高压变频器龙头——利德华福（全球市场份额为6.5%）。 由于中国高压变频器潜在市场规模巨大，近年行业整合和资本介入的速度不断加快。2007年智光电气上市；2009年底，利德华福94%的股权被Affinity Equity Partners 购买；2010年九洲电气、合康亿盛相继上市。与此同时，国电南自、卧龙电气、科陆电子、东方电子等也开始步入高压变频器领域。截至2010年上半年，中国高压变频器企业已经达到30余家，国产化率超过60%。 虽然中国高压变频器的队伍在不断扩大，但市场份额却集中在少数企业手中，前10家占据了市场80%多的份额。其中，利德华福市场规模最大，连续7年位居行业第一，2010年9月，公司高压变频器销量累计达到4000台，实现了新的飞跃。 合康变频是具备年产高压变频器1200台/套的能力，2009年生产出国内首台同步矢量控制高压变频器，2010年生产出国内首台7700kW大功率高压变频器，并出口印度。

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  • 某手机惊现三星512Mbit相变内存

    【导读】据工程顾问机构 UBM TechInsights 的一份拆解分析报告，发现在某款神秘手机中，有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package，MCP)内存，内含与NOR闪存兼容的相变化内存芯片。 据工程顾问机构 UBM TechInsights 的一份拆解分析报告，发现在某款神秘手机中，有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package，MCP)内存，内含与NOR闪存兼容的相变化内存芯片。 最近业界对相变化内存技术的微缩极限有争议，再加上恒忆的产品延迟量产，让人质疑PRAM是否真能接班成为新一代内存，但是对相变化内存已经应用在手机的发现，清楚表明了产品设计工程师已经开始使用这种具潜力的技术。 TechInsights拆解的手机产品，基于客户机密不透露型号与厂牌；该机构表示，要等到与客户之间的工作告一段落，才能公布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时透露，该公司将在第二季出货一款内含512Mbit相变化内存芯片的MCP ；当时三星并未透露该产品将采用哪种制程技术，仅表示该产品“相当于40纳米NOR闪存。” 业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存；而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度，是每微米(micron) 8个记忆单元(cell)，就证实了以上的猜测。 UBM TechInsights已经确认，三星的512Mbit相变化RAM (PRAM)芯片，商标号码为KPS1N15EZA，与一颗128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封装在一起，并应用于手机产品中。该款三星的PRAM芯片由4层铝互连层与内存元素所组成，顶部与底部的电极(electrode contacts)是装置在铝金属与硅基板之间。 现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx)，在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit相变化内存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世；但是到目前为止，该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45奈米制程的1Gbit相变化内存，但这款原本预期今年上市的产品，迄今也未有后续消息。

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  • 中芯国际采用低功耗Silicon Realization技术构建其65纳米参考流程

    【导读】全球电子设计创新领先企业Cadence 设计系统公司，今天宣布中国最大的半导体晶圆厂中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际），已经将CadenceR Silicon Realization 产品作为其65纳米参考流程4.1版本（Reference Flow 4.1）可制造性设计（DFM）以及低功耗技术的核心。以 Cadence Encounter Digital Implementation Sy 中国领先的晶圆厂表示通过Cadence 的Silicon Realization 技术大幅提高了生产力 全球电子设计创新领先企业Cadence 设计系统公司，今天宣布中国最大的半导体晶圆厂中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际），已经将CadenceR Silicon Realization 产品作为其65纳米参考流程4.1版本（Reference Flow 4.1）可制造性设计（DFM）以及低功耗技术的核心。以 Cadence Encounter Digital Implementation System 为基础，两家公司合作为65纳米系统级芯片（SoC）设计提供了一个完整的端到端的 Silicon Realization 流程。 经过严格评估，中芯国际选择了 Cadence Silicon Realization 产品，基于其强大的层次化流程 (hierarchical flow)，应用于大规模和高质量的设计。中芯国际认为此紧凑结合了功能性、物理和电气领域的整合流程，可用于评估、逻辑设计、验证、物理实现与设计内签收，并大大提高设计师的效率、易用性， 及获得更具确定性的结果 (deterministic results)。 中芯国际流程中包含的 Cadence Silicon Realization 技术包括 IncisiveR Enterprise Simulator、 EncounterR RTL Compiler、 Encounter Test、 Encounter ConformalR Low Power、 Encounter Conformal Equivalence Checker、 Encounter Digital Implementation System、 QRC Extraction、 Encounter Timing System、 Encounter Power System、 Litho Physical Analyzer、 Litho Electrical Analyzer、 Cadence CMP Predictor 和 AssuraR Physical Verification。 “我们的共同客户将会从 Cadence 对参考流程4.1的贡献中大大获益，它解决了在65纳米节点上遇到的两个重要问题，设计的余量和良率（design margins and yields）”中芯国际设计服务部资深总监朱敏说。“全面应用端到端 Cadence Silicon Realization 流程进行数字设计、验证与实现，结合我们的参考流程，将会让我们的客户达到更高的效率、生产力以及提高芯片的质量，缩短上市时间。” Cadence 最近公布了一款全新的全盘式 Silicon Realization 方法，芯片开发不再是传统的单点工具拼贴，而是采用流线化的端到端综合技术、工具与方法学。这种新方法着重于提供能确保达成 Silicon Realization 的产品和技术所需的三个条件：统一的设计意图、提取(abstraction)和收敛 (convergence)。这种方法是 Cadence 公司其 EDA360 (Electronic Design Automation 360， 一个新的电子自动化设计系统) 战略的一个关键组成部分，目标是提高生产力、可预测性和可盈利性，同时降低风险。 “作为中芯国际的长期合作伙伴，很高兴再次与他们的技术专家合作，帮助我们的共同客户开创一条 Silicon Realization 的快车道，”Cadence 产品管理部总监 David Desharnais 说。“与领先的客户和中芯国际这样的设计链合作伙伴合作，是实现 Cadence EDA360愿景的关键，也是实现更高生产力、可预测性和可盈利性的关键。”

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  • 紧盯LED制造，联华林德投产中国首座超高纯氨气工厂

    【导读】联华林德（LLH）日前宣布该公司在中国东南沿海城市厦门兴建了一座超高纯氨气工厂，已于今年11月投产，这是中国首座已经投产的超高纯氨气工厂，联华林德是林德集团与台湾联华神通集团共同成立的合资公司。 联华林德（LLH）日前宣布该公司在中国东南沿海城市厦门兴建了一座超高纯氨气工厂，已于今年11月投产，这是中国首座已经投产的超高纯氨气工厂，联华林德是林德集团与台湾联华神通集团共同成立的合资公司。 中国LED行业目前正在快速增长，2009年以及2010年上半年的投资水平超过过去几十年。2010年到目前为止，中国LED芯片相关项目的新增投资总计超过700亿元人民币（75亿欧元）。 2010年，联华林德赢得了多家知名LED客户，包括三个分别坐落于济宁、苏州和长治的台资LED芯片客户；以及扬州银雨芯片半导体有限公司，聚灿光电科技(苏州)有限公司，西安华新联合科技有限公司。 联华林德总裁兼总经理刘振邦表示：“2010年到目前为止，林德为中国电子行业提供支持的投入总计超过5千万欧元。联华林德以获得公认的材料供应能力，与LED行业的一些大客户成功签约。厦门氨气工厂的投产进一步表明了我们大力服务新兴市场客户的承诺。” 林德在电子特种气体蒸馏和纯化领域有着丰富的经验，运用其高度专业的经验建造了众多纯化工厂。采用Y塔蒸馏和纯化系统这一最先进的技术，林德在全球7个不同的地点建造、安装和运行这些工厂，用于供应各种气体，厦门工厂是最新建成的工厂，于2010年11月投产。 2010年到目前为止，林德为中国电子行业提供支持的投入总计超过5千万欧元。 该厂采用世界领先的纯化、充装和质量分析技。该工厂年产能为500吨超高纯氨，纯度达到7N（99.99999%），它将提高客户供应可靠性并且降低客户制造成本。该工厂还能够对各种包装尺寸进行充装（其中包括ISO槽车） 。基于该工厂的专利技术，如果客户需要超大量的超高纯氨（在LED行业中，这种情况是经常发生的），林德能够进一步提供客户端现场纯化系统从而为客户创造更大的价值。

    半导体 LED 联华 LED芯片 LED行业

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