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针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器
引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换器通常为非隔离式，功率水平相当低(<200 W)，并且常常会把电
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IGBT础知识大全
有关IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
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Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
器件的目标定位是功率转换器、频率转换器，以及风力机、太阳能逆变器和汽车动力总成中的电机驱动21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能镀金属聚丙
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Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047µF到10µF，
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美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件
全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增
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IC制造业：28纳米还有多远
我国集成电路产业正致力于形成设计业、制造业、封装测试业相对均衡发展的结构，IC制造企业在其中发挥重要作用。记者采访了中国大陆IC制造企业有关人士，对今年市场热点、技术走向做了详尽分析。 智能手机平板电
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电源的种类详解
下面还有电源方面的说明，主要还应用到电源控制方面1. 电力电子技术的发展现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为
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中频加热IGBT控制电路
IGBT控制电路原理图如下图所示，本电路可用于 中频加热系统。 其中，LM565是集成锁相环电路，其功能是提供频率稳定的方波信号，通过调节电位器VR1即可改变LM565的输出频率
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IGBT过流保护电路
IGBT过流保护电路如下图所示，本电路可用于中频加热系统。 其中运放C814组成电压跟随器，其输入是来自电流互感器的输出，两个电压比较器C271组成窗口电压比较器，比较器的输
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IR推出更强IGBT产品在线选型和性能评估工具
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日提升绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 选型工具的性能，以优化多种应用的设计过
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IGBT知识梳理
有关IGBT你了解多少，今天就随小编一起来系统的了解一下IGBT吧！IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效
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德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531
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IR扩充坚固可靠的600V沟道超高速IGBT系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D，这些经过优化的新器件尤
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飞兆高可靠性和卓越开关性能的阳极短路型IGBT
高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。 飞兆半导体的高电压场截止阳极短路(Shorted Anode)
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飞兆半导体的阳极短路型IGBT具有高可靠性和卓越开关性能，适用于高功率感应加热应用
高电压IGBT可降低系统整体成本、电路板尺寸和总功耗高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微
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开关电源历程
1. 电力电子技术的发展现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五
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UPS发展方向的几个标志
1.高频化电子产品的发展方向就是高频化、数字化，UPS产品也不例外。以往的工频机结构产品都是模拟电路，后来经过几次改进上升为数字与模拟相结合的产品，在当今数字时代，有
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VMOS、IGBT逆变充电电路图
逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
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提高太阳能逆变器效能的IGBT选择方法
如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法
1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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