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IGBT整流器功率因数控制方法及CT损坏对整流器的影响
1 引言 日立igbt整流器是一种电压型pwm整流器，具有能量双向流动、恒定直流电压控制，以及高功率因数控制（cosφ≈1.0）等特点。使用该类型整流器除了实现高功率因数节省电能外，还能够减少电网谐波，省去
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一种新型矿用真空永磁控制器设计
摘要 针对各种矿用永磁机构真空断路器的控制需求，实现了基于CPLD的新型智能矿用真空永磁控制器。采用全电子电路无触点软件一体化设计，电源采用宽范围输入、恒压恒流输出的开关电源设计，电压和电流连续可调，具有较
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元器件创新成果亮相中国电子展 厂商主打节能牌
2011年，全球电子元器件市场起伏不定。从生产企业的产能负荷情况看，在去年第四季度，我国电子产品终端企业订单数量明显上升，这无疑将进一步推动我国电子元器件市场向好。作为行业内最专注于电子制造领域配套元器件
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马达设计原理及元件安装需考虑的因素
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物
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一种新型矿用真空永磁控制器设计
摘要 针对各种矿用永磁机构真空断路器的控制需求，实现了基于CPLD的新型智能矿用真空永磁控制器。采用全电子电路无触点软件一体化设计，电源采用宽范围输入、恒压恒流输出的开关电源设计，电压和电流连续可调，具有较
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马达设计原理及元件安装需考虑的因素
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物
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应用于工业牵引的软穿通IGBT技术的大功率模块
1 引言 随着软穿通igbt技术的引入，产生了igbt设计上和特性上的新标准，特别适用于中等功率的市场。将传统的npt（非穿通型）igbt的高强度和低损耗两个特点相结合，已经使spt-igbt成为1200v-1700v电压范围的标准产
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中国半导体产业机遇：IGBT产业
IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通
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逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解
这几天沉下心来专门给逆变器的后级，也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子，用来深入了解相关的特性。大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变
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BUCK电路拓扑及其工作原理
BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。 D：续流二极管。 L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算 1.T，D均为理想器件 2.L较大，使得在一个周期内电流连续且无内阻 3.直流输出电压
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中频电阻焊机电源的IGBT保护
引言 电阻焊是一种重要的焊接工艺，具有生产效率高、成本低、节省材料和易于自动化等特点。IGBT是一种用MOS管来控制晶体管的电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点。本文从实际应用出发，总
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中频电阻焊机电源的IGBT保护
引言 电阻焊是一种重要的焊接工艺，具有生产效率高、成本低、节省材料和易于自动化等特点。IGBT是一种用MOS管来控制晶体管的电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点。本文从实际应用出发，总
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南通富士通日前成为SEMI会员
2012年12月，南通富士通作为拥有全球领先封测技术的代表性企业正式成为SEMI会员。自1997年10月成立至始终站在行业科技发展的前沿，坚持以科技创新为宗旨，成功承担并实施了“高集成度多功能芯片系统级封装技
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南通富士通日前成为SEMI会员
2012年12月，南通富士通作为拥有全球领先封测技术的代表性企业正式成为SEMI会员。自1997年10月成立至始终站在行业科技发展的前沿，坚持以科技创新为宗旨，成功承担并实施了“高集成度多功能芯片系统级封装技术研
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功率器件IGBT在不间断电源（UPS）中的应用
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为
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IGBT安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理
摘要：本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。关键词：安全工作区 失效机理 短路电流Tsc1、
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IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
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IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
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IGBT及其子器件的四种失效模式比较
摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
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中科院微电子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微电子所超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海华虹NEC电子有限公司的工艺线上流片完成，要进行超高压测试。之所以紧张，是因为他们没有像
美思电子
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