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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。 当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。 由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，
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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，这
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上海先进半导体：孵化国内芯片设计告别被动代工
上海先进半导体：告别被动代工，孵化国内芯片设计企业先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。由于之
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开关电源发展过程中的十个技术焦点
20世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic讯 国际整流器公司 (IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飞兆半导体获颁伊顿亚太区最佳供应商奖
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司获颁伊顿亚太区2011年最佳供应商奖。伊顿(Eaton)公司总部位于美国，并在上海设有亚太区总部，该公司是为单相与三相UPS、电信
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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宏微“高压大电流 NPT IGBT 和FRED芯片”达到世界先进水平
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管（NPT IGBT）芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管（FRED）芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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宏微“大电流NPT IGBT和FRED芯片”达世界先进水平
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、国家
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宏微“大电流NPT IGBT和FRED芯片”达世界先进水平
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协
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芯片制造应关注功率半导体
功率半导体器件的广泛应用可以实现对电能的传输转换及最佳控制，大幅度提高工业生产效率，大幅度节约电能、降低原材料消耗。 在过去的10年里，“18号文”推动中国半导体产业经历了一个跨越式发展的时
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如何进行IGBT保护电路设计
本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的
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微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场
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IR 针对电动汽车和混合动力汽车应用推出600V车用IGBT
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化。新器件适用的电流范围很广，提供最小为 5μs的短路
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微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固态脉冲调制器设计
摘要：基于课题建设的需要，需对某型雷达脉冲调制器进行固态化改造，为达到经济省时的目的，采用了设计与仿真的方法。应用新型功率开关器件IGBT替代电真空器件，设计了单片机控制的固态脉冲调制器。克服了雷达脉冲调
美思电子
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