Vishay
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Vishay发布全集成接近和环境光光学传感器VCNL4020
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有0.8mm业内最低高度的新款全集成接近和环境光光学传感器--- VCNL4020。该器件把一个红外发射器、用于测量接近程度的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号
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Vishay发布用于遥控器的高度的超低外形红外接收器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最佳的尺寸和感光角的遥控接收器，扩大其光电子产品组合。新的TSOP57x系列包括TSOP572..、TSOP573..、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超低高度，
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Vishay推出采用14或16-Pin SOIC封装双列引脚薄膜电阻网络
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列通过AEC-Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络。NOMCA系列具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，5ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严
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Vishay推出用于通用红外3D电视快门式眼镜的红外接收器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款专门为通用3D电视眼镜开发的红外接收器，扩充其光电子产品组合。现在市场上出售的大多数液晶3D电视都在使用快门式眼镜，将左眼和右眼
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Vishay发布4款新型D/CRCWe3厚膜片式电阻的工程设计包
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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Vishay发布4款新型D/CRCWe3厚膜片式电阻的工程设计包
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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Vishay发布采用绿色环保SOP-4封装的非过零光敏光耦
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦，比采用DIP-6封装的器件可节省66%的PCB空间，扩充了其光电子产品组合。新的VOM160和VOM305x系列具有三种输出
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Vishay发布采新款非过零光敏光耦VOM160和VOM305x
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封装的器件可节省66%的PCB空间，扩充了其光电子产品组合。新
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Vishay发布采新款非过零光敏光耦VOM160和VOM305x
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封装的器件可节省66%的PCB空间，扩充了其光电子产品组合。新
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Vishay推出新款反射光传感器TCNT2000
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型SMD封装并带有晶体管输出的反射光传感器--- TCNT2000。该器件的尺寸为3.4mm x 2.7mm x 1.5mm，探测距离0.2mm～5mm，可用于消费、工业和计算机类应用。T
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Vishay发布4款小尺寸、高性能的新型片式天线
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR，这些器件可分别接收和发送868MHz和915MHz的数字信
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医疗钽电容推荐
创新器件采用七种紧凑的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、筛选选项，包括针对关键的医疗和军工/航天应用的weibull失效率分级Vishay 推出新款TM8系列高可靠性、表面贴装、具有低至200nA的超低直流泄露电
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Vishay发布4款新型工程设计包
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通过AEC-Q200认证的D/CRCW e3厚膜片式电阻的新型工程设计套件。套件可帮助设计者选择最适合其应用的电阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可选
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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TTI Asia授予Vishay Asia 2011供应商奖
21ic讯 日前，TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.非常高兴地共同宣布，Vishay Asia荣获了以下奖项：• TTI 2011钻石奖，亚洲区 • TTI 2011优秀供应商奖，亚洲区 • TTI 2011最佳质量
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TTI Asia授予Vishay Asia 2011供应商奖
日前，TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）非常高兴地共同宣布，Vishay Asia荣获了以下奖项： •TTI 2011钻石奖，亚洲区•TTI 2011优秀供应商奖，亚洲区•TTI
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Vishay推出下一代D系列高压功率MOSFET首款器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。日前发布的D系列MOSFET基
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET荣获年度电子成就奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授
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Vishay荣获2012中国年度电子成就奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR 功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年
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