21ic讯 日前,Vishay Intertechnology宣布,推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST,扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证,具有长爬电距
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的功率型Mini LED---VLMx233..系列。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色,采用最先进的Al
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST,扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证,具有长
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology宣布,推出4款可使用2.7V~16V单电源或±2.7V~±8V双电源工作的新器件,充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET?功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得
2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。 《今
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款商用基于铁粉材料、符合WPC (无线电源联盟)规范的无线充电接收线圈--- IWAS-4832FF-50,适用于有或没有取向磁铁的情况。新的IWAS-4832FF-50采用非常耐用的结构
电子元件分销商e络盟母公司element14今天宣布扩大VishayIntertechnology公司半导体和无源元件在亚太区的产品库存。Vishay公司是全球领先的半导体与无源解决方案的专业厂商。element14为Vishay公司的分立式半导体和无
21ic讯 e络盟母公司element14日前宣布扩大Vishay Intertechnology公司半导体和无源元件在亚太区的产品库存。Vishay公司是全球领先的半导体与无源解决方案的专业厂商。element14为Vishay公司的分立式半导体和无源元件
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为减少由板弯曲开裂引发的失效,推出新的VJ汽车系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),可选的聚合物端接能够承受更高的弯曲应力。器件采用C
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款采用3232外形尺寸的IHLP®小尺寸、高电流的电感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧,具有8.26mm x 8.79mm的占位面积和
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻,采用小尺寸的0612封装,具有0.5 mΩ~5mΩ的低阻值。WSK
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻,采用小尺寸的0612封装,具有0.5 mΩ~5mΩ的低阻值。WSK
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2726和WSLP4026,该电阻兼具5W~7W的高功率等级和0.5mΩ
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,为满足在各种照明应用中对颜色均匀性的要求,Vishay扩大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封装、基于蓝宝石的冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项。器件现可提供14种不同的色