日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型白光、无散射的3mm LED --- VLHW4100,该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司网站上发布了在线流媒体产品演示视频中心的新登录页面。视频中心的新首页按照产品分类进行设计和布局,使设计者能够迅速找到各种技术的演示视频。 Vishay公司的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司网站(http://www.vishay.com)上发布了在线流媒体产品演示视频中心的新登录页面。视频中心的新首页按照产品分类进行设计和布局,使设计者能够迅速找到各种技术的演示视
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款针对与3D电视机配套使用的LCD快门眼镜而专门开发的红外接收器 --- TSOP75D25和TSOP35D25,扩充其光电子产品组合。表面贴装的TSOP75D25和TSOP35D25红外接收器可以装
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出满足严格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指导的新款器件,扩充了高温140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面贴装铝电容器。新电容器提供最严格的回流焊曲线,具有从10mmx10mm到
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封装的功率SMD LED --- VLMx51系列,该系列LED具有高光通量和非常低的结至环境热阻,可用于各种照明应用。VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB,该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,为其用于极高温度环境的无源器件产品组合中增添新系列SMD卷包式薄膜贴片电阻 --- Sfernice PHT,这些电阻针对用在钻井勘探和航天应用的多芯片模块进行了优化。新的Vishay S
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封装的功率SMD LED --- VLMx51系列,该系列LED具有高光通量和非常低的结至环境热阻,可用于各种照明应用。VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出通过AEC-Q101认证的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二极管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三极管,扩充其光电子产品组合。器件采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式表面贴装封装,光探
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形,电压等级从350V至450V,在85℃下的使用寿命长达10,000小时。新款095 PLL-4TSI电容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D,增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能,扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D,增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能,扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48
随着众多应用对设计周期和成本的要求越来越苛刻,半导体元器件的集成度越来越高。但是,集成电路在遇到对高精度电流检测、ESD和瞬态保护有较高要求的应用时就束手无策了,这时还要分立器件大显身手。此外,集成电路的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3种封装类型、具有数字和模拟输出的系列中距离红外传感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038,充实了其光电产品组合。凭借300μs的快速响应和0.85mA的低电流,这些
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3种封装类型、具有数字和模拟输出的系列中距离红外传感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038,充实了其光电产品组合。凭借300μs的快速响应和0.85mA的低电流,这
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。HDMKP电容器具有从900V至2700V(dc)的6种标准电压。其前一代产品的容值为40µF~1100&mic