Vishay
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高性能 IHLP电感器(Vishay)
Vishay 宣布推出采用6767外壳尺寸、占位面积为17.15mm×17.15mm、厚度为7.0mm的新款IHLP薄厚度、高电流电感器 --- IHLP-6767GZ-11。该款电感器可提供高达75.5A的电流，0.33μH～100μH的标准感值是复合表面贴装电感器
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超高精度气密Bulk Metal®箔电阻VHP100 （Vishay）
超高精度气密Bulk Metal®箔电阻VHP100 （Vishay）
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新型20V P沟道功率MOSFET （Vishay）
该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
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高性能电流检测电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的VCS1610高精度Bulk Metal®箔表面贴装电流检测片式电阻。新器件在-55℃～+125℃温度范围内、+25℃参考温度下具有±2.0ppm/℃的绝对TCR，容差为±0.5%。当典型的
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减
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DFN系列电阻网络和分压电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款精密薄膜表面贴装电阻网络和分压电阻 --- DFN系列。器件采用引脚间距为0.65mm、厚度为1mm的4mm x 4mm双平面无铅封装。与传统的5mm x 6mm SOIC 8引线封装相比，
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超高精度Bulk Metal®箔四电阻网络（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度Bulk Metal®箔四电阻网络 -- SMNH电阻网络。新的气密SMNH电阻网络中每个电阻都在0.1W、+70℃下工作
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VISHAY新推128×32 LED图形显示屏
配备驱动电路和+5V HC CMOS电平视频接口VISHAY（威世）分立半导体推出两款带有驱动电路和+5V HC CMOS电平视频接口的新型128×32 LED图形显示屏——LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED显示屏可替代
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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新款PNM系列精密无磁薄膜电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。今天发布的新电阻采用性能稳定的
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单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
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新型128x32 LED图形显示屏（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款带有驱动电路和+5V HC CMOS电平视频接口的新型128 x 32 LED图形显示屏 --- LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED显示屏可替代广泛使用的APD-128G032等离子显示模块
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单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
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PLT系列TCR薄膜电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜电阻。在-55℃～+125℃的温度范围内，新器件的标准TCR为±5ppm/℃，容差低至±0.02%。今天发布的新电阻采用性能稳定的薄膜 --- 在+70℃下经过1万小时
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新型128x32 LED图形显示屏（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款带有驱动电路和+5V HC CMOS电平视频接口的新型128 x 32 LED图形显示屏 --- LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED显示屏可替代广泛使用的APD-128G032等离子显示模块
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表面贴装透射式光电传感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q101认证的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面贴装透射式(断续式)光电传感器，可用于汽车市场。今天推出的传感器是业内首款达到+145℃的结温等级、-40℃～+125℃的工
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小尺寸、表面贴装1A整流器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面贴装的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的电压范围为100V～200V，25ns的超快反向恢复时间可满足高频应用的要求。设计者可根据所需，从100V(MUH1PB)、150
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小尺寸、表面贴装1A整流器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面贴装的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的电压范围为100V～200V，25ns的超快反向恢复时间可满足高频应用的要求。设计者可根据所需，从100V(MUH1PB)、150
