Vishay
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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新型高精度Bulk Metal箔电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款面向航空、国防和航天(AMS)应用的通过CECC认证的新型高精度Bulk Metal®箔电阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的典型TCR只
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新型高精度Bulk Metal箔电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款面向航空、国防和航天(AMS)应用的通过CECC认证的新型高精度Bulk Metal®箔电阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的典型TCR只
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Vishay推出采用可表面贴装的模压封装液钽电容器
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电
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新款高速光电检测器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布了其新款高速光电检测器 --- TEMD5080X01，继续扩展其光电产品线。TEMD5080X01是PIN型光电二极管，与标准PIN光电二极管芯片相比，TEMD5080X01对400nm紫外线的检测灵敏度提高了
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超高精度表面贴装BMZF电阻(Vishay)
Vishay Intertechnology, Inc.面向航空、军事和航天应用的超高精度、卷绕表面贴装 Bulk Metal®Z 箔（BMZF）电阻新系列目前已可提供，该系列已根据 EEE-INST-002、DSCC 和 EPPL 标准进行生产后筛选。多种生产后筛
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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增强版 VFCD1505（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.公司已增强 VFCD1505 表面贴装倒装芯片分压器的功能，器件具有小于 1 秒的几乎瞬时热稳定时间。当温度范围在 0°C 至 +60°C 和 55°C 至 +125°C（参考温度为 +25°C）时，该
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第五代肖特基二极管（Vishay）
日前，Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
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新型Bulk Metal箔表面贴装电阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技术制造的多款表面贴装电阻，以实现最高端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中，包括新改进的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VC
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新型高功率、高速红外发射器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出高功率、高速 830 nm 表面贴装 PLCC2 和 5 mm (T1¾) 的红外发射器 --- VSMG2720和TSHG5510。该两款器件具有高辐射强度和业界最低正向电压，并进一步拓宽了其光电产
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
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新型超高精度Z箔分压器电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款新型超高精度Z箔分压器电阻 --- 300144Z 和 300145Z。这些电阻在55°C～+125°C（参考值为 +25°C）范围内具有±0.2 ppm/°C的低典型 TCR，0.1ppm/°C 的 TCR 跟
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螺钉安装式高电压圆盘电容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器，这些器件为设计人员提供了多种直径和电容值选择，其额定电压为 10kVDC～40kVDC。 凭借低交流与直流系数，以及可忽略的压电/电致伸缩效
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Z箔模塑表面贴装电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司已增强了其 SMR1DZ 与 SMR3DZ 超高精度 Z 箔模塑表面贴装电阻，它们具有不足1秒的几乎瞬时的热稳定时间。这些器件在 0°C～+60°（参考值为 +25°C）范围内提供了±0
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