Vishay

两款低电容及漏电流的ESD保护阵列器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款具有低电容及漏电流的最新小型ESD 保护阵列--- 2 线路的 VBUS052CD-FAH 和 4 线路的 VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。 具有 0.6 mm 超

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二极管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其

新型有保护的高端负载开关（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型有保护的高端负载开关-- SiP4613A/B。随着该型器件的面世，Vishay进一步扩充了其电流限制保护负载开关系列。该器件可在 2.4V～5.5V 的电源电压范围内运行，并可处理

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二极管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其

高性能铝电容器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新系列径向铝电容器--- EKX系列器件，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。 Vishay的EKX 器件采用 14

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45

新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导

无畏景气低迷，Vishay持续搜寻收购目标

尽管目前全球经济景气低迷，离散半导体组件与被动组件供货商Vishay仍计划采取一系列的收购策略。Vishay董事会执行主席、技术长暨业务发展主管Felix Zandman表示：“我们将继续着眼于研发活动，采取并购以及推动有机成

新型 870nm SMD 红外发射器（Vishay）

新型三输出降压控制器IC（Vishay）

Vishay锲而不舍 再次提高报价欲购IR

Vishay Intertechnology Inc.正在考虑提高对国际整流器公司(IR)的收购报价。原来的出价是17亿美元。在Vishay与IR的代理权之争中，Vishay和IR就也是互相抨击。 最近，Vishay发出了以16亿美元股票方式收购IR的非约束性