— 推荐产品 —
碳化硅器件
| TWxxxZxxxC系列 |  |
东芝推出采用有助于降低开关损耗的碳化硅（SiC）MOSFET TWxxxZxxxC系列，该系列有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能，其开通损耗降低约40%，关断损耗降低了约34%。主要应用：开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）、电动汽车充电站、光伏变频器、不间断电源（UPS）等。 |
| MG250YD2YMS3 |  |
MG250YD2YMS3为业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，该模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。主要应用：可再生能源发电系统（光伏发电系统等）、储能系统、工业设备用电机控制设备、高频DC-DC转换器等设备。 |
| TRSxxx65H系列 |  |
TRSxxx65H系列是东芝推出的最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），可实现业界领先的1.2V低正向电压，降低了功耗的同时提高了设备效率。主要应用：开关电源、电动汽车充电桩、光伏逆变器 |
智能功率IC
| 智能功率IC-TPD4163F |  |
3相无刷直流电机驱动IC是一种用于无刷电机的器件。无刷电机相对于传统有刷电机，具有效率高、噪音低、振动小、寿命长等优点，广泛应用于家用电器和空调等工业设备中。我们提供一系列击穿电压为250V至600V、额定电流为0.7A至5A的产品，它们采用最新的高压微SOI工艺，将IGBT内置单片集成电路与结合了MOSFET（具有高市场性能）的多芯片模块产品、和驱动IC相结合，以提供与AC 100V和AC 220V系统输入电压兼容的高效电机系统。此外，使用小封装即可以使用一个具有内置驱动IC的无刷电机。 |
| 智能功率IC-TPD4164F |
功率MOSFET
| 低压MOSFET-XPJR6604PB |  |
东芝提供广泛的12至300VDSS MOSFET产品组合，封装范围包括适用于小信号应用的超小型封装乃至大电流应用封装。东芝的MOSFET提供高速、低漏源导通电阻特性和低尖峰型，具有优化的缓冲电路吸收器常数。东芝的低噪声、低开关损耗MOSFET应用于要求高效率的服务器AC-DC开关电源和基站DC-DC转换器。我们还提供适用于各种轻巧紧凑应用的产品，包括智能手机、可穿戴设备和物联网设备 |
