东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET丰富组合,其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。其主要产品包括中高压DTMOS系列(VDSS为500V~800V)和低电压U-MOS系列(VDSS为12V~250V)。
功率MOSFET
低压MOSFET

东芝提供广泛的12至300VDSS MOSFET产品组合,封装范围包括适用于小信号应用的超小型封装乃至大电流应用封装。东芝的MOSFET提供高速、低漏源导通电阻特性和低尖峰型,具有优化的缓冲电路吸收器常数。东芝的低噪声、低开关损耗MOSFET应用于要求高效率的服务器AC-DC开关电源和基站DC-DC转换器。我们还提供适用于各种轻巧紧凑应用的产品,包括智能手机、可穿戴设备和物联网设备。
主推产品:TPH1R204PL | TPH1R104PB | TPH3R10AQM | TPH4R008NH | TPH4R50ANH1 | TPH9R00CQH | TPH9R00CQ5 | TK1R5R04PB | XPN3R804NC | XPN7R104NC | TPHR7404PU | TPH2R408QM | XPH2R106NC | XPJR6604PB | SSM10N961L

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高压MOSFET

400V至900V MOSFET用于开关电源和变频电机应用。东芝提供超结MOSFET系列产品用于高输出电源应用,并提供D-MOS(双扩散)
MOSFET系列产品用于低输出电源应用。
主推产品:TK040N65Z | TK042N65Z5 | TK055U60Z1 | TK065N65Z | TK065U65Z | TK095N65Z5 | TK39N60W | TK39N60W5

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车载器件
L-TOGL

东芝新品车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB“采用了的新型L-TOGL™封装,封装电阻下降大约30%,漏极额定电流(DC)最大高达400A,沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%。这些特性有利于实现更大的电流,并降低车载设备的损耗。
主要应用:车载设备:变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。
主推产品:XPQ1R004PB | XPQR3004PB

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东芝基于电源系统的东芝功率器件解决方案

本视频结合了东芝具有低导通电阻的MOSFET器件,讲解MOS参数和电源拓扑结构知识,帮助工程师深化理解相关设计要点。主要干货内容包含:东芝高低压 MOS 和碳化硅产品、拓扑结构分析、设计要点、MOS 参数讲解等。

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