碳化硅模块
MG250V2YMS3
东芝新推出第3代碳化硅（SiC）1700V、额定漏极电流（DC）为250A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。其具有低导通损耗、低开关损耗特性，有助于减小设备的功率损耗以及散热装置的尺寸。
主要应用：铁路车辆的逆变器与转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备、高频DC-DC转换器等工业设备。
MG250YD2YMS3
MG250YD2YMS3为业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，该模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。
主要应用：可再生能源发电系统（光伏发电系统等）、储能系统、工业设备用电机控制设备、高频DC-DC转换器等设备。
MG800FXF2YMS3
该产品为东芝1200V碳化硅MOSFET模块，满足工业设备对提高效率、减小尺寸的需求
主要应用：轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备、高频DC-DC转换器等
主推产品：MG400V2YMS3 | MG600Q2YMS3 | MG800FXF2YMS3
SiC肖特基势垒二极管
TRSxxx120Hx系列
东芝第3代SiC SBD产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品。该产品面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备并能够降低功耗。
主要应用：光伏逆变器、电动汽车充电站和工业设备UPS的开关电源等。
TRSxxx65H系列
TRSxxx65H系列是东芝推出的最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），可实现业界领先的1.2V低正向电压，降低了功耗的同时提高了设备效率。
主要应用：开关电源、电动汽车充电桩、光伏逆变器
主推产品：TRS2E65H | TRS3E65H | TRS4E65H | TRS6E65H | TRS8E65H | TRS10E65H | TRS12E65H | TRS4V65H | TRS6V65H | TRS8V65H | TRS10V65H | TRS12V65H
SiC MOSFET
TWxxxZxxxC系列
东芝推出采用有助于降低开关损耗的碳化硅（SiC）MOSFET TWxxxZxxxC系列，该系列有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能，其开通损耗降低约40%，关断损耗降低了约34%。
主要应用：开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）、电动汽车充电站、光伏变频器、不间断电源（UPS）等。
650V+1200V SiC MOSFET
宽带隙功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅（SiC）器件结构的优势，为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅（Si）功率半导体相比，东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。