三星跳电鼓励买方备货，第一季度DRAM合约价格提前上涨

据集邦咨询半导体研究中心最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。

因此，集邦咨询再次修正2020年第一季度DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

标准型内存方面，虽然第一季的价格仍在议定中，但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季度出货，导致2020年第一季度的出货较为疲弱。

但考虑到今年DRAM的供给单位增长幅度仅不到13%，加上三星跳电事件的影响，PC OEM厂已做好DRAM即将涨价的可能性准备，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模组合约价格；若原厂能够在第一季度增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。

而移动设备用内存方面，虽然第一季度智能手机市场在5G的带动下需求有所增长，但由于5G芯片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能依旧偏弱，因此之前，集邦咨询预计移动设备用内存Discrete/eMCP价格将较前一季度下跌0-5%。

但自去年12月中开始，除了服务器内存与图形处理内存需求增温，带动整体价格走势提前反转之外，NAND Flash的供应告急同样对eMCP的价格有所激励，因此集邦咨询此次将移动设备用内存的价格预估由“小跌”调整为“大致持平”。

至于利基型内存，由于三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25nm的利基型内存产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型内存价格将提早反弹。

目前来看，集邦咨询估计，第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季度上涨0-5%。