最近也是在EMC测试，我们是生产驱动器厂家，客户对EMC这方面有要求，我们在测试ETHCAT接口驱动器时，打静电会导致驱动器复位的情况，我们查了芯片手册，芯片承受电压可以到3KV，外面的静电经过隔离，泄放等器件，到MCU的电压应该很小，不足以让芯片复位，我们查了很久找不到原因，不知道从哪些方面去找静电过不了的原因？
首先，需要确定芯片所通过的静电测试标准与进行接口端的静电测试标准是否相同，通常后者属于系统级的测试，参考规范为IEC61000-4-2，对应ESD能量等级要远高于芯片手册中的静电等级。其次，需要确定静电的耦合路径，静电能量可能通过传导和空间耦合的方式干扰被测物：1. 传导方式，可以检查下所用泄放器件如TVS等是否最靠近ESD放电点，并联式泄放器件的两个管脚连接出去的走线是否足够短，所用器件规格是否合适，如钳位电压等；2. 空间耦合方式，可以尝试通过对MCU区域做屏蔽或者拉开放电点和MCU的空间距离来简单判断下是否为空间耦合干扰，可以尝试在被干扰的信号或电源等上加泄放器件，此时器件位置应该靠近MCU；3. 电源，复位信号等可以考虑磁珠，TVS等，注意所加器件的位置；4. MCU参考地平面的完整度对ESD放电也会有影响，地平面完整能够减小ESD能量导致的地平面上电压波动带来的影响。
首先，需要确定芯片所通过的静电测试标准与进行接口端的静电测试标准是否相同，通常后者属于系统级的测试，参考规范为IEC61000-4-2，对应ESD能量等级要远高于芯片手册中的静电等级。
其次，需要确定静电的耦合路径，静电能量可能通过传导和空间耦合的方式干扰被测物：
1. 传导方式，可以检查下所用泄放器件如TVS等是否最靠近ESD放电点，并联式泄放器件的两个管脚连接出去的走线是否足够短，所用器件规格是否合适，如钳位电压等；
2. 空间耦合方式，可以尝试通过对MCU区域做屏蔽或者拉开放电点和MCU的空间距离来简单判断下是否为空间耦合干扰，可以尝试在被干扰的信号或电源等上加泄放器件，此时器件位置应该靠近MCU；
3. 电源，复位信号等可以考虑磁珠，TVS等，注意所加器件的位置；
4. MCU参考地平面的完整度对ESD放电也会有影响，地平面完整能够减小ESD能量导致的地平面上电压波动带来的影响。