该产品是爱立信3E（增强性能、能量管理和最终用户价值）产品线的产品之一，这系列的产品都有动态性能优化的能力。 BMR464采用了30.85mm×20.0mm×8.2mm的小型封装；其输入电压为0.6～3.3V；在5Vin,3.3Vout半负载情况下的典型效率为97.2%；可通过PMBus进行调试和测量；可以同步和相位扩谱。其还具有在降低去耦电容情况下的非线性响应；在电压关断下的输出；过温度保护；输出短路和输出过电压保护；远程控制；通过管脚或PMBus进行电压设定；通过图形用户接口进行高级调试。

FAN5400系列备有与开关模式充电器相集成的5V，300mA升压稳压器，并与充电器共用同一个电感，从而减少了外部元件数目。此外，充电器和升压电路的开关频率均为3MHz，最大限度地减小了外部无源元件的体积和成本。FAN5400系列采用1.96mm×1.87mm、20凸块、0.4mm间距CSP封装。其充电参数和运作模式可以经由一个运作速率高达3.4Mbps的I2C接口进行编程，实现高灵活性。高达1.25A的最大充电电流能够确保快速充电和高充电电压精度(±0.5%@25℃)，从电池获取更多“额外”能量，从而延长电池寿命。FAN5400系列适用于一般手机、智能手机、平板电脑、无线宽带热点、数码相机和便携媒体/游戏播放器中的单节或双节锂离子电池充电。

IR347x和IR386x SupIRBuck®系列整合了高性能磁滞COT控制器和优化的功率MOSFET，采用薄型4mm×5mm或5mm×6mm PQFN封装，提供0.5V、1%精度内部参考电压，因而具有非常低和精确的输出电压可编程能力。新产品提供了丰富的特性，包括过热保护、热补偿过流保护、过压和欠压保护和预偏置启动等。 IR347x系列支持高达27V的输入电压，采用4x5mm和5x6mm PQFN封装，负载范围（6～15A）较宽，从而能够轻松升级以便满足最佳价格和性能要求。IR3863和IR3865采用4x5mm PQFN封装，针对12V输入应用（如窄版VDC膝上型电脑）进行了优化，包括采用新发布的第二代Intel Core处理器系列的产品。

LT3748在5～100V的输入电压范围内工作，并驱动一个外部N沟道功率MOSFET，从而非常适用于多种工业、医疗、电信、数据通信和汽车应用。其以边界模式工作，这是一种可变频率电流模式控制开关方法，在整个电压、负载和温度变化范围内可产生±5%的典型调节。与同类连续传导模式设计相比，边界模式还允许使用较小的变压器。其他特性：无须光隔离器、变压器或第三绕组来实现反馈；驱动外部N沟道功率MOSFET；电流模式控制；边界模式工作；用两个外部电阻器设定VOUT；采用现成有售的变压器；可编程软启动；可编程欠压闭锁；输出电压温度补偿。

MAX17710是一个用于充电和保护微存储单元的完整体系。该IC可管理不规范，如能源采伐，输出范围是1μW～100mW的水平装置的来源。该器件还包括一个从源收取高达0.75V(典型值)低电池升压稳压器电路。内部稳压器可保护细胞过度充电。 输出电压提供给目标应用程序的规管使用的3.3V，2.3V的，可选择的电压或1.8V高效可调低压差(LDO)线性稳压器。输出调节器工作，尽量减少电流流失的一个可选择的高功率或低功率模式。内部电压保护防止过放电的电池。该装置是在一个超薄可用，3mm×3mm×0.5mm的12引脚UTDFN封装。

LMZ23610 SIMPLE SWITCHER易电源电源模块是一款易于使用的降压DC/DC解决方案，能够驱动高达10A的负载。该产品采用一种创新的封装，增强了热性能，并允许手工或机器焊接。并可以接受6V和36V之间的输入电压，其高精度的输出电压最低可至0.8V。只需要两个外部电阻和三个外部电容，即可完成电源解决方案。而且是一个安全可靠而功能强大的设计，它具有以下保护功能，：热关断、输入欠压锁定、输出过压保护，短路保护、输出电流限制，并允许进入预偏置输出启动。SYNC输入允许在350～600kHz的开关频率范围内同步。

NCP6132A/B针对符合英特尔IMVP-7及VR12规范的CPU进行了优化，结合了真正的差分电压感测、差分电感DCR电流感测、输入电压前馈及自适应电压调节功能，为台式机及笔记本CPU应用提供精确的稳压电源。主要特性：内集成了三个内部MOSFET驱动器；电流模式双缘(Dual Edge)调制技术在出现瞬态负载时提供极快的初始响应；包含相位交错特性；包含切相(phase shedding)特性；包含动态参考、精确的总和(total summing)电流放大器、带压降前馈注入的数模转换器等特性(均是安森美半导体的专利技术)，帮助提升CPU电源性能。

PV1040是针对便携应用设计的太阳能电池充电器，采用能够从太阳能电池收集最大电能的最大功率点跟踪系统（MPPT）创新技术，可连接少量的条状太阳能电池，为便携医疗设备、手表、计算器、无线耳机、玩具或手机进行充电。其主要特性：输入电压是0.3～5.5V；能效高达95%；协助系统级电源管理功能的关闭引脚；集成低损耗同步整流器和功率开关；热关断保护电路，提高系统整体安全。

TPS82671以仅6.7mm2的微小尺寸名符其实地成为业界最小型的集成型插件式电源解决方案，每平方毫米的电流可达90mA。该器件可在TI高度为1mm的全新MicroSiP封装中高度整合所有外部组件，从而能够显著简化智能电话等600mA便携式电子产品的设计工作。TPS82671工作时静态电流非常低，仅为17μA，并能以2.3～4.8V的输入电压实现超过90%的电源效率。 6A、14.5V TPS84620可实现每立方英寸逾800W的电源密度，效率高达95%。该款集成型降压解决方案可在同一器件中高度集成电感器与无源组件，而且最少只需要三个外部组件，能够在不足200mm2的面积上实现完整的解决方案.

该MOSFET的电压等级为4.5V，使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨，无须再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。其具有很低的导通电阻，以及导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数（FOM）。60V器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装。器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。