该产品针对软开关应用，在1000～1400V的电压范围内，利用固有的反并联二极管进行了优化。随着超越典型非穿通型(NPT)IGBT技术的不断进步，飞兆半导体的阳极短路硅技术可提供更低的饱和电压，比额定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。

特点：高速开关频率为10～50kHz；极低拖尾电流，可改进开关损耗(FGA20S140P)；与现有的NPT trench IGBT相比，饱和压降更低；电位计……

新器件集成了IR最新一代功率MOSFET，拥有功能丰富的第三代SupIRBuck控制器。该控制器的主要性能包括可以尽量减少损耗的封装后精确死区时间调整，以及可以优化整个负载范围内的效率的内部智能LDO。新器件还集成了大电流应用所必需的实际差动遥感功能，以及25～105℃温度范围内的0.5%参考电压精度与输入前馈和超低抖动性能，从而将线路、负载和温度上的整个输出电压精度控制在3%以内……

MAX17048/MAX17049 IC为小尺寸、微功耗电池电量计，用于手持及便携产品的锂离子(Li+)电池。MAX17048配置工作在单节锂电池，MAX17049配置工作在2节串联锂电池。IC采用成熟的Li+电池建模算法ModelGauge，在不同的充电和放电条件下连续跟踪电池的相对充电状态(SOC)。ModelGauge算法省去了传统电量计中的检流电阻和电池学习过程，采用系统微控制器实现温度补偿。……

NCP185x系列全集成型锂离子开关电池充电器应用于智能手机及平板电脑等要求强固性、高能效及快速充电时间的便携设备应用。这系列器件目前包含NCP1850、NCP1851、NCP1852、NCP1852及NCP1853，最大充电电流分别为1.5A、1.6A、1.8A、2.0A和2.5A，最大工作电压均为7V。其中，NCP1850是带双通道的最小尺寸(2.0×2.0mm CSP封装)开关电池充电器(SBC)，提供+28V输入过压保护(OVP)；……

6.3V/6A的TPS50601和6.3V/3A的TPS50301为同步降压转换器，都针对小型设计进行了优化配置，专为恶劣环境应用而设计，包括耐辐射应用、地理用途、重工业以及油气应用。 它们的主要特点：一流的峰值效率，最高可达95%；100kHz～1MHz的切换频率及优化的补偿方案使得设计者能在尺寸与效率之间找到最佳平衡点；更高的效率、优化的配置和动态偏差减少了输出电容器的尺寸和数量、提升了瞬时……

全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7，针对所有标准封装实现了优异的通态电阻RDS(on)，如TO-247封装可以到19mΩ，TO-220和D2PAK可以到45mΩ。C7的快速开关性能可使客户服务器PFC级首次实现以上的开关频率，同时达到钛级能效，这可降低对无源组件的空间要求，从而提高功率密度。此外，降低的输出电容（Eoss）以及低栅极电荷（Qg）提高了轻载条件下的效率。另外，受益于低开关损耗用……

LTC3300-1在面向串接式锂离子或磷酸铁锂(LiFePO4)电池的高性能电池管理系统(BMS)中是一款重要的器件。该器件可充当一个故障保护控制器IC，适合基于变压器的双向主动平衡。此器件采用一种非隔离式双向同步反激式拓扑以平衡多达6个串接电池。电荷可在一个选定的电池与12个或更多的相邻电池之间转移。所有的平衡器都能在充电/放电电流高达10A的情况下独立地和同时地运作。双向操作……

MCP19111数字增强型电源模拟控制器是一款全新合成数字和模拟之电源管理器件。其与扩展的MCP87XXX系列低品质因数（FOM）MOSFET相结合，为广泛的消费电子和工业应用支持可配置的高效率DC/DC电源转换设计。

MCP19111数字增强型电源模拟系列可在4.5～32V的宽电压范围内工作，与传统基于模拟技术的解决方案相比，灵活性显著提升。事实上，M ……

新的PKM-NH平台为数据通信板应用进行了优化，通常来说，数据通信板有52V/54V分布式系统总线并且需要稳压的高功率1/4砖尺寸的中间总线转换器来提供高功率，PKM-NH可以提供高达750W的功率。

PKM4717NH是PKM-NH系列中的第一个产品。该模块的工作电压范围在40～60V之间，当工作在50～60V之间时，该模块输出电压为10.8V，输出电流达70A。当工作电压低于50V时……

Si7655DN是业界首款采用3.3mm×3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。

利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术，……

新器件集成了IR最新一代功率MOSFET，拥有功能丰富的第三代SupIRBuck控制器。该控制器的主要性能包括可以尽量减少损耗的封装后精确死区时间调整，以及可以优化整个负载范围内的效率的内部智能LDO。新器件还集成了大电流应用所必需的实际差动遥感功能，以及25～105℃温度范围内的0.5%参考电压精度与输入前馈和超低抖动性能，从而将线路、负载和温度上的整个输出电压精度控制在3%以……

新的PKM-NH平台为数据通信板应用进行了优化，通常来说，数据通信板有52V/54V分布式系统总线并且需要稳压的高功率1/4砖尺寸的中间总线转换器来提供高功率，PKM-NH可以提供高达750W的功率。

PKM4717NH是PKM-NH系列中的第一个产品。该模块的工作电压范围在40～60V之间，当工作在50～60V之间时，该模块输出电压为10.8V，输出电流达70A。当工作电压低于50V时，该模块工……

STripFET VII DeepGATE是意法半导体的MOSFET技术家族的新成员，在各种应用使用的主要电压额定值下，提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于直流电压驱动的电气系统，如电信设备广泛使用的48V直流电压。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系统中常见的过压电涌。优异的可靠性让STripFET VII DeepGATE还可用于……

NJM2815是一款能提供1．0A电流的低压差稳压器(LDO)。内置的电压校正功能能够随着负载电流的增加提升输出电压，从而能够补偿接线带来的压降问题。

通常设计USB充电电路时，要考虑到接线的电阻和负载电流带来的压降。但是，NJM2815内置有输出电压校正功能（VO+250mV(typ.)0～ 1000mA@RADJ
=10kΩ），能够按不同终端连接器件提供相应的规格电压，无需考……

EPC9005开发板是一种7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含两个EPC2014（40V）氮化镓场效应晶体管，并采用德州仪器公司专为氮化镓器件而优化的栅极驱动器（LM5113）。LM5113采用2英寸×2英寸的BGA封装，可以实现非常紧凑且配备驱动器及两个氮化镓场效应晶体管的电源电路。受益于EPC2014器件的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、无线充电及高频电路。……

88EM8511包含了AC/DC以及DC/DC，其内置600V高压MOSFET和两个低压MOSFET。88EM8511非常适合应用于需要稳定供电的控制电路，从交流线路输入直接产生高压（18V）输出。 88EM8511主要特性：通过简化设计实现高度集成，消除了多个外部元件，并降低了BOM成本；体积小巧，适用于如开关、传感器以及灯泡驱动器等空间有限的应用；用于产生可驱动高达100mA负载的稳定的低压输出的内置高效率……

LYTSwitch IC将PFC和恒流(CC)集成到单个开关级中，这样能将典型应用中的效率提高到90%以上，使功率因数大于0.95，并轻松满足EN61000-3-2C对总谐波失真(THD)的要求。设计经优化后THD可低于10%。集成式单级转换器拓扑结构还可省去高压大容量电解电容，从而大幅延长驱动器的使用寿命，即使是在高环境温度下寿命也能得以延长。精确的初级侧控制可使驱动器获得真正严格的恒流性能……

CF0505XT-1WR2是一款专门针对汽车应用而设计的SMD封装的直流转换器，满足汽车级高温度标准，能够在-50～+125℃的环境温度下全范围工作。金升阳是国内首家通过TS16949汽车质量管理体系认证的电源企业。在物料采用上，CF0505XT-1WR2采用AEC-Q100认证物料；在技术和工艺使用上，CF系列产品完全按照TS16949体系的要求进行设计和生产。CF是一款即插即用的电源整机产品，这使得工程师们……