BMR461内置的动态环路补偿技术摆脱了外接RC网络来实现动态补偿的传统方式。对于一些需要多个负载点电源的负载板来说（有些应用需要高达30个负载点电源），BMR461能大大减轻电源设计者在板级电源设计和之后维护上的负担。此外，考虑到占板面积以及传统设计中用在调试每个模块环路稳定性上的时间，BMR461是一个非常节约时间和成本的设计。

IR公司最新的PowIRstage解决方案集成了一个高性能驱动器、带有精度和温度补偿的控制和同步MOSFET、片上电流检测、报告、并提供了每个周期的过流保护，从而对出现电感器饱和问题时的苛刻电流条件进行自我保护。除了故障输出外，还具有温度感应、报告和过温保护等功能。 这些PowIRstage器件采用6mm×6mm PQFN封装，额定电流分别为40A、50A和60A，采用覆盖模制和顶部外露选项，提供了灵活性，可以实现最佳的散热设计。

工业设备通过摆脱散热器或风扇而日趋小型化，此外系统设计人员也在不断争取足够的设计裕量，以应对输入瞬态电压，满足安全标准的要求。MAX17503具有超宽输入电压范围，可显著降低热耗、提高可靠性。 在负载变化范围较大的应用中，设计人员可以通过脉冲频率调制(PFM)提高轻载下的效率。 MAX17503专为工业控制和自动化应用设计，理想用于工业过程控制、电机控制、电网及楼宇自动化应用中的可编程逻辑控制器(PLC)、过程变量变送器(PVT)、数控机床(CNC)和分布式I/O模块。

新器件引入了一个升压PWM控制器和下桥臂MOSFET驱动器的架构，以及一个中压LDO和全功能单片机，所有这些都集成于一个小尺寸、高密度的电源封装中。该解决方案延续了基于模拟的控制器特有的电源转换性能，同时更提供了近乎全数字化的电源转换解决方案无可比拟的灵活性。

这款超低功耗的能量收集芯片与竞争产品相比，功能性更强，有助于产品设计小型化，节省材料成本。新产品内置1.8V和3.3V稳压器（regulator），可直接供给辅助微控制器或无线发射器， 无需额外的元器件。最大功率点跟踪(MPPT，Maximum Power-Point Tracking)可连续优化能源 收集效率，用户可选择关闭该功能。充电电路可支持各种电池，包括锂离子电池、锂聚合物电池、锂薄膜固态电池、镍氢电池、镍镉电池以及超级电容器。

性能特点：可保护和控制多达15节锂离子或磷酸铁锂离子电池，包括12V、18V、24V、36V和48V电池组；准确测量电池电压、温度以及电池组电流，可确定剩余电量和电池健康状态；电量平衡、 集成型模数转换器和内建硬件保护功能可提供最高级别的电池安全性；可将板级空间锐降30%，最大限度减少材料成本；所有3款器件的一体化通用数字接口（从18～48V或者更高），可节省大量的开发时间、工作和成本。

SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技术使用了非常高密度的设计，能够降低导通电阻，而不会大幅增加栅极电荷，从而使传导损耗最小，并减少在更高功率输出情况下 的总功率损耗。因此，SiZ340DT的低边通道2的MOSFET在10V和4.5V栅极驱动下的导通电阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高边通道1的MOSFET在10V和4.5V下的导通电阻为9.5mΩ和13.7mΩ。

性能特点：可保护和控制多达15节锂离子或磷酸铁锂离子电池，包括12V、18V、24V、36V和48V电池组；准确测量电池电压、温度以及电池组电流，可确定剩余电量和电池健康状态；电量平衡、 集成型模数转换器和内建硬件保护功能可提供最高级别的电池安全性；可将板级空间锐降30%，最大限度减少材料成本；所有3款器件的一体化通用数字接口（从18～48V或者更高），可节省大量的开发时间、工作和成本。

BMR461内置的动态环路补偿技术摆脱了外接RC网络来实现动态补偿的传统方式。对于一些需要多个负载点电源的负载板来说（有些应用需要高达30个负载点电源），BMR461能大大减轻电源设计者在板级电源设计和之后维护上的负担。此外，考虑到占板面积以及传统设计中用在调试每个模块环路稳定性上的时间，BMR461是一个非常节约时间和成本的设计。

SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技术使用了非常高密度的设计，能够降低导通电阻，而不会大幅增加栅极电荷，从而使传导损耗最小，并减少在更高功率输出情况下 的总功率损耗。因此，SiZ340DT的低边通道2的MOSFET在10V和4.5V栅极驱动下的导通电阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高边通道1的MOSFET在10V和4.5V下的导通电阻为9.5mΩ和13.7mΩ。

相比竞争对手提供的5mm×6mm封装解决方案，该系列器件采用3mm×3mm MLP封装，可节省电路板空间。此外，FDMC86xxxP系列可满足客户对于耗散更少功率实现更高能效的更低热特性需求。该器件还具有同尺寸器件中最低的导通电阻RDS(ON)。 其他特性：极低RDS(ON)中压P沟道硅技术，优化得到较低的Qg；非常适合快速开关应用以及负载开关应用；100%经过UIL测试；符合RoHS标准。

NJW4119是一款具有高耐压性能的DC/DC开关稳压器，宽压输入也是该器件的一大特点，输入电压范围对应从6.5～40V，所以完全可使用电池驱动。输出电流最大能提供2.4A，该特点能够对应平板电脑所需电流，还可根据不同套件组装规格来设定所需的电流值。

基于TO-Leadless封装的MOSFET最高电流可达到300A，突破了现有分立MOSFET的电流极限180A。而且该封装尺寸小，可以极大减小占板面积。与市面上现有的D2PAK 7pin比较，TO-Leadless封装的占板面积可以减小30%。结合最新的OptiMOS硅芯片技术，TO-Leadless封装的MOSFET可以实现 业界最低的导通电阻RDS(on)。比如，30V可以实现0.4mΩ的RDS(on)，60V的RDS(on)只有0.75mΩ。因此，在电动叉车电机驱动器的设计中，MOSFET并联的数目可以大大减少，并且提高功率密度。

技术特性：转换效率为72%max；取回路电压为3.3VDC；输出电流信号4mA；隔离电压1000VDC；高低温特性好；阻燃封装，满足UL94V-0。