-
同步降压型 Silent Switcher 2 LT8650S
-
- LT8650S是一款双通道4A、42V输入同步降压型开关稳压器。其独特的Silent Switcher 2架构使用了4个内部输入电容器以及两个内部BST和单个INTVCC电容器，以最大限度减小热环路面积。LT8650S同步整流在2MHz开关频率提供高达94.6%的效率。其 3.0～42V 的输入电压范围非常适合汽车和工业应用。内部高效率开关可向低至0.8V的输出电压同时提供高达4A的连续输出电流和在任一个通道上提供高至6A的峰值负载。
-
-
纳安级电源PMIC DA9230/DA9231
-
- DA9230和DA9231在降压电路激活，并且在没有负载的条件下，仅消耗750nA总输入电流。它们是目前市场上同类别尺寸最小的PMIC，帮助持续运行的物联网应用实现更长的运行时间和更高的效率。DA9231采用一个300mA降压电路和一个100mA LDO，DA9230采用独立的降压电路。这两款器件的降压电路的最小输出电压为0.6V，能为先进的14或10nm制程SoC供电。
-
-
PFC+LLC/LCC 集成控制IC ICL5102
-
- ICL5102是针对LED Driver而推出的集成IC，单芯片集成了PFC和谐振半桥的控制与驱动功能。主要应用特点：PFC+LLC恒压输出，效率高达94%；PFC+LCC恒流输出，极宽输出电压电流范围；LCC应用可实现原边控制恒流；低待机功耗：低至0.3W；工作频率高达500KHz；输入指标优异：PF>0.95，THD<10%。
-
-
电池电量计MAX17260/MAX17261
-
- MAX17260和MAX17261采用ModelGauge m5 EZ算法，提供更高精度的电量计量。通过防止设备过早或突然关断，最大程度地延长设备运行时间，并保持较小的电池尺寸。电量计采用超小尺寸1.5mm x 1.5mm封装，具有5.1μA极低静态电流，最大程度减小待机期间的电池耗流。无需电池特征分析或校准，能够快速完成设计。高精度充电状态(SOC)，防止设备突然死机和过早关机，为最终用户提供清晰的电池信息。5.1μA超低静态电流，防止因长期待机导致电能过度损耗。
-
-
65 W USB-PD电源适配器方案NCP1568 & NCP51530A/B
-
-
高密度电源适配器方案包括有源钳位反激（ACF）控制器NCP1568和一个相应的高速半桥驱动器NCP51530。该方案是一个65W符合USB-PD的适配器，具有30 W/in3的功率密度，以94.5%的峰值能效工作。
NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制（PWM）控制器，采用ACF拓扑结构，包含零电压开关（ZVS），用于要求高功率密度和高能效的高频应用（高达1MHz）。NCP51530A/B是700V高频率、高端与低端驱动器，可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率MOSFET。
-
-
离线反激式开关电源IC InnoSwitch-3 Pro
-
- InnoSwitch3 Pro系列为可设定恒压/恒流及恒功率输出特性的离线反激式开关电源IC。新器件可提供65W的输出功率，并且在各种输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能。另外，通过简单的双线I2C接口可以对输出电压及电流进行精确的动态阶跃控制（电压阶跃步长为10 mV，电流阶跃步长为50 mA）。该IC集成了微处理器VCC电源，无需新增外围LDO为外部微处理器供电；此外，还集成了n沟道MOSFET驱动电路，可用于使能或禁止电源的主功率输出。
-
-
步进电机驱动STSPIN820
-
- STSPIN820是一款步进电机专用驱动器，256微步分辨率。7～45V的工作电压易用于广泛的应用系统设计。1.5A最大输出RMS电流，让设计人员能够灵活地满足各种功率和转矩要求。采用最新的BCD8工艺，适用于低压步进电机驱动。工作于7～45V，1.5Arms的电流驱动能力，体积小，QFN 4mm×4mm 的封装。控制简单，仅仅需要PWM和方向两个管脚就可控制一个两相步进电机，最大待机功耗仅仅为45μA；各种保护例如过流，短路，过温保护等很完善。
-
-
自适应零电压开关有源钳位反激式控制器UCC28780
-
- UCC28780是一款工作于临界电流连续模式的有源钳位反激式控制器，具有 TI 专利的高压启动技术，自适应零电压开通（ZVS）控制技术和多模式变频控制技术。主要特性如下：多模式变频控制技术可以实现更高的轻载效率；高压启动技术有利于实现很低的 待机损耗；通过优化死区时间设计达到优化效率，既适用于氮化镓（GaN）的功率管，也支持硅（Si）的功率管；支持高达1MHz 的开关频率，可实现更高的功率密度。
-
-
通过AEC-Q101认证的车规级EPC2202及EPC2203 eGaN FET
-
- EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS） 、80 VDS的分立晶体管。EPC2202为80V、16mΩ增强型氮化镓场效应晶体管，采用2.1mmx1.6mm芯片级封装，脉冲电流为75A。EPC2203为80V、73mΩ器件，采用0.9mmx0.9mm芯片级封装，脉冲电流为18A。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10～100倍。
-
-
多相电源管理IC ISL91302B、ISL91301A/B
-
- ISL91302B、ISL91301A和ISL91301B可为智能手机和平板电脑应用处理器提供最高效的电源管理，同时具备最小的展板体积。ISL91302B单/双输出多相电源管理集成电路，可以在70 mm2解决方案尺寸内，提供高达20A的输出电流和94％的峰值效率。ISL91301A三相输出电源管理IC和ISL91301B四相输出电源管理IC均可提供高达16A的输出电流，峰值效率达94％。这些电源管理IC采用了R5调制技术，在负载瞬变期间提供业内最快的单周期瞬态响应、数字调谐补偿和高达6MHz的开关频率。
-
-
CAN FD控制器MCP2517FD
-
- CAN FD相对于传统的CAN 2.0有很多优势，包括更快的数据速率和数据字节消息扩展等。前沿的MCP2517FD CAN FD控制器可用于任何单片机（MCU），使开发人员能够轻松实现这一技术，而且完全不需要从新设计系统。由于CAN FD的应用和转换还处于起步阶段，因此，目前可用的CAN FD MCU数量还有限。此外，换一个系统MCU会明显增加成本，开发时间和风险也会增大。采用MCP2517FD后，系统设计人员只需添加一个外部组件就可以实现CAN FD功能，同时继续使用他们的大部分设计。
-
-
高集成度PoE IC Si3406x/Si3404
-
- Si3406x IC集成了PoE+ PD应用所需的所有电源管理和控制功能，把10/100/1000BASE-T以太网连接提供的高压转换为稳定的低压输出供电。通过使用经济的片外元件，同时保持高性能，优化的架构最大限度的减少了印制电路板（PCB）面积和片外BOM成本。与Si3406x系列产品互补，Si3404 IC为低功率15W PoE PD应用提供兼容802.3 Type 1标准的高性价比产品。Si3404在极小封装内集成了低功率PD应用所需的全部接口和控制功能。
-
-
东芝车规级40V N沟道功率MOSFET TPHR7904PB
-
- 这款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝前代设计（U-MOS IV）相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI（电磁干扰）。实现了最大导通电阻（RDS（ON）最大值）仅有0.79mΩ。该产品的低噪音特性降低了电磁干扰（EMI），并且采用可焊锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。
-
