作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
【2021年9月8日，德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议，共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中国上海讯——9月27日，为期三天的深圳国际电子展暨嵌入式系统展(ELEXCON 2021)将隆重开幕。
【2021年9月7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
【2021年9月3日，德国慕尼黑讯】在电力电子和半导体市场，系统方法的发展势头越来越好。
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。
如何评估IGBT模块的损耗与结温?英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。
英飞凌科技股份公司推出的全新MEMS*扫描仪解决方案，由MEMS镜片和MEMS驱动器组成，可助力实现全新的产品设计。
【2021年8月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司和罗伯特·博世有限公司推出了一款用于轻型汽车发电机的新型超低损耗二极管—有源整流二极管。
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