德国慕尼黑 - 2021年10月27日 - 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出首款汽车电流传感器——全新XENSIV™ TLE4972。这款无磁芯电流传感器采用英飞凌久经考验的霍尔技术，可用于精确和稳定的电流测量。凭借其紧凑型设计和诊断模式，TLE4972是用于混合动力汽车和电池驱动汽车的牵引逆变器等xEV应用、以及电池主开关的理想选择。
慕尼黑和加州圣何塞--2021年10月21日--移动出行、能效和物联网半导体领域的全球领导者英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天宣布与非营利组织Rainforest Connection(RFCx)达成合作，利用声学技术、大数据和人工智能/机器学习来拯救雨林和监测生物多样性。在这个合作项目中，RFCx将尝试使用英飞凌的气体传感技术来提升和扩展其目前用于监测和保护脆弱的雨林生态系统的声学监听设备的能力。这包括监测灵长类动物、鸟类、青蛙、昆虫、蝙蝠和其他生物，并通过这项合作来保护森林免受非法采伐及火灾的种种威胁。
传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体，其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压，就必须采用碳化硅材料来制造功率晶体。以碳化硅为材料的功率晶体，在碳化硅的高临界电场强度之下，即使相同耐压条件之下，其磊晶层的厚度约为硅材料的1/10，进而其所造成的通态电阻能够有效被降低，达到高耐压低通态电阻的基本要求。
功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。 目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须要走向无桥型，才能进一步减少器件使用，减少功率器件数量与导通路径上的损耗。 在其中，图腾柱功率因素校正电路（totem-pole PFC）已证明为成功的拓扑结构，其控制法亦趋于成熟。
双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。
【2021年9月17日，德国慕尼黑和瑞典斯德哥尔摩讯】近日，Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔离式开关电容中间总线转换器(IBC)，可为数据中心提供高功率密度供电，从而提高电路板空间利用率，为其他组件释放空间。
作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
【2021年9月8日，德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议，共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中国上海讯——9月27日，为期三天的深圳国际电子展暨嵌入式系统展(ELEXCON 2021)将隆重开幕。
【2021年9月7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
【2021年9月3日，德国慕尼黑讯】在电力电子和半导体市场，系统方法的发展势头越来越好。
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。
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