2020年2月3日，美国新泽西州普林斯顿---美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
2019年12月9日，美国新泽西州普林斯顿--新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2019年7月24日，美国新泽西州普林斯顿---新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。
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