全球领先的射频功率芯片供应商——埃赋隆半导体(Ampleon)携手罗彻斯特电子，共同为Ampleon高性能射频晶体管VDMOS产品拓展全球市场渠道。
埃赋隆半导体（Ampleon）发布了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管产品线，加强其地面移动电台业务。这一新的12V LDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术，其应用范围包括商业、公共安全和国防移动无线电应用。新的12V LDMOS产品包括陶瓷和塑料封装，并且承诺的最短生产年限是15年。
2019年5月8日埃赋隆半导体(Ampleon)宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology，ART)，并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体管。
传感器是物联网(IoT)的关键构建块，促成IoT的各种应用，包括可穿戴设备、移动医疗、工业自动化、智能家居、智能楼宇等。对于不断激增的IoT节点，优化功耗至关重要。安森美半导体的完整低功耗传感器方案有助于加快IoT的设计开发，包括RSL10传感器开发套件和RSL10太阳能电池多传感器平台，结合尖端智能传感器技术及行业最低功耗的蓝牙低功耗，并具备所需的所有固件、软件以及移动和与云相关的功能，开箱即用，实现具有持久电池使用寿命甚至完全由太阳能供电的免电池的IoT应用。
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盘放大器
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS晶体管技术，推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。
此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)宣布推出两款新的宽带放大器系列。
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。
埃赋隆半导体(Ampleon)现已发布250W射频功率晶体管BLP2425M10S250P。
