功率MOSFET，通常由PWM或其它模式的控制器IC内部的驱动源来驱动。
DCDC或ACDC控制器的基准电压或参考电压也就是输出电压反馈管脚VFB对应的内部运放的基准电压，输出电压通过分压电阻连接到VFB管脚，在输入电压以及负载发生变化的时候，通过内部的调节，维持输出电压的稳定。如果环境温度发生变化，输出电压也要稳定，因此基准
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台
刘松 刘瞻 卢森茂 艾结华 中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工
刘松 刘瞻 艾结华 曹雪 张龙 新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性，和它们内部结构、单元尺寸以及电压额
摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法，特别说明了在实际的不同应用中，采用不同的输出电容的原因。谐振变换器必须采用时间相关输出电容Coss(tr)来计算死区时间
目前高频高效的DCDC变换器在汽车电子系统中的应用越来越多。高的开关频率可以使用较小的功率电感和输出滤除电容，从而在整体上减小的系统的尺寸，提高系统的紧凑性，并降低系统的成本；高的工作效率可以提高汽车电池的使用时间，降低系统的功率损耗，从而减小
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区下沉，这样在其内部形成P柱，和N区非常宽的接触面产生宽的耗尽层，
功率MOSFET的输出电容是非常重要的一个参数，读过功率MOSFET数据表的工程师应该注意到：输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，那么为什么会有这样的特性？ 众所周知，当电容二端的电压增加时，就会形成对电容的充电电流，电容二
实际的应用中，很多降压型BUCK变换器，通常要利用连接到相应管脚的大片PCB铜皮来散热：单芯片的BUCK电源IC，主要利用IC的GND管脚，焊接到PCB的GND铜皮来散热；部分内部封装分立MOSFET的BUCK电源IC，以及采用分立方案的BUCK变换器，如使用控制器驱动分立MOSFET
这样的一个应用：-12V的输入，+5V的非隔离输出， 也就是负电压输入、正电压输出，应该采用什么结构的变换器？ 反激变换器可以实现上述的电压变换，但要用到变压器，如果不用变压器，那么是否有其它的更简单的方法？ 电源控制IC内部所有的电路都是以IC的地
飞轮电容的工作原理类似于充电泵电容，可以实现如下功能: （1）叠加在浮动电压上实现升压，如叠加在BUCK、BOOST变换器开关节点SW的电容。 （2）实现升降压功能，如SEPIC电路的主功率回路电容。 （3）实现负压功能，如CUK电路的主功率回路电容。 如果将飞轮电
摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义，详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间
示波器都具有一定的带宽、采样率和存储深度，正确的选择具有合适的带宽、采样率和存储深度的示波器，才能保证波形测量的准确性。 例如下面的这一款采样率2.5 GS/s 、带宽500MHz示波器。 记录长度：62.5MPoints 采样率：1.25GS/s，单通道。 带宽：500MHz 带宽
1、功率MOSFET常规的开关特性 功率MOSFET在开通的过程中，当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2，漏极电流ID从0增加系统的最大的电流，VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系，而VDS的电压保持不变，这一个时间区域称为di/dt，主要由
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