英特尔大连芯片厂十月投产 65纳米工艺生产芯片组

英特尔近日宣布，其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。

2007年3月，英特尔宣布投资25亿美元在大连建立一个生产300毫米的晶圆厂。

当时，英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁表示，“英特尔大连厂是英特尔15年来第一次在全新的地点兴建晶圆厂。在根植中国的22年中，英特尔在封装测试和研发等领域在中国的投资已经累计超过13亿美元。此次新投资将使我们在中国的投资总额达到了40亿美元，从而使英特尔称为中国投资额最大的跨国公司之一。”

2007年9月，英特尔大连芯片厂奠基开建。这是英特尔在全球的第八个，亚洲第一个300毫米晶圆厂。据悉，英特尔大连芯片厂总投资达到25亿美元，总使用面积达到16.3万平方米，内含1.5万平方米的无尘室。

2009年6月，英特尔宣布大连芯片厂将以65纳米制造工艺代替90纳米制造工艺。这也是目前英特尔在中国可以采用的最先进的制造工艺。

在2009年，英特尔大连芯片厂建设取得了重大进展：2009年全面按计划完成建设任务。全年完成15.8万平方米的厂房和基础配套建设工程；综合办公楼落成启用；生产设备开始安装调试；员工规模达到了1000人。

据英特尔大连芯片厂总经理柯必杰介绍，英特尔大连芯片厂的准备工作有条不紊，生产设备已陆续安装调试到位，而200多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员工也已经回归大连，确保十月份工厂投产。