德国推出新型集成电路芯片密封管壳 满足宇航应用

据中国国防科技信息网报道，德国肖特电子封装业务部和德国卫星通信系统和设备制造商Tesat-Spacecom公司合作开发出满足宇航应用的密封管壳，并已从今年5月起用于欧空局(ESA)的微型地球观测卫星Proba-V。

该管壳首次用于使用氮化镓(GaN)功率放大器单片毫米波集成电路(MMIC)芯片的封装。德国肖特和Tesat-Spacecom公司为封装管壳中的热沉研究出最适宜的材料和几何形状，并在管壳中以密封高温共烧陶瓷(HTCC)多层陶瓷结构作为高频通道，因此将插入损耗和反射高频波降至最低。

Proba-V的通信系统重约140公斤，体积为1m3，包括一个基于GaN的特制微波放大器(首次用于欧洲卫星)，可用于在800km的高度、X波段(8GHz)传输照片，以监控地球上的植被。肖特公司估计，GaN可将信号强度和数据传输能力能力提高5～10倍，将做为通信系统中高性能材料。肖特公司补充道，MMIC放大器芯通过表面传递性能的有效范围只有几平方毫米，因此需要新型封装方式。

MMIC放大器芯片被安装在一个由肖特和Tesat-Spacecom公司联合研发的密封管壳中。由于陶瓷至金属通路的设计，高频波能够以非常低的衰减穿透管壳壁，因此将功耗(插入损耗)和反射损失降至最低。

肖特电子封装研发工程师ThomasZetterer说：“通过对电磁波的模拟和与制造方面的紧密合作，我们为这种特殊通路提供了最佳的几何图形和设计。”

管壳的第二个特性是底板的高导热性，可有效释放MMIC放大器内部产生的热量。为了做到这点，肖特和Tesat-Spacecom的研发团队研究出热沉的最佳材料和几何形状。公司表示，下一步将继续研究能够提供更高散热效率的材料，并在更高微波功率应用中进行测试。

Tesat-Spacecom组长EberhardMss评论说“和肖特公司合作使我们能够获得未来GaN放大器所急需的高热导封装。”