东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
时间：2013-08-30 10:07:06
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[导读]21ic讯 低导通电阻可减少移动设备的传导损失东芝公司宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导
21ic讯 低导通电阻可减少移动设备的传导损失
东芝公司宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导通电阻，可减少设备的传导损失。
主要特性
采用第八代工艺打造，实现低导通电阻
采用TSON Advance封装，具有很好的导热性
高雪崩电阻
主要规格
东芝扩充低压N通道MOSFET阵容" width="447" height="106" />
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