联电携手新思完成首个14nm FinFET制程验证工具设计定案

联电与新思科技(Synopsys)共同宣布，两家公司的合作已获得成果，采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合，和Galaxy实作平台的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成联电第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。

在双方持续进展中的合作关系上，采用新思科技DesignWare矽智财解决方案来认证联电14奈米FinFET制程，可视为是双方此次合作的第一座里程碑。

联电表示，这次合作的第一个里程碑，可加速联电14奈米FinFET制程矽智财与相关设计的认证。有助于促进联电FinFET制程，获得更快速及更高电源效能的系统单晶片采用。

联电市场行销副总郭天全表示，此次设计定案的成功，是联电技术上的重要里程碑，此次合作的成果将可大大嘉惠设计公司，为其带来功耗、效能、成本上的好处。