100 V和 200 V器件与SOD-128封装占位兼容，引线宽度大于SlimSMA封装器件。
汽车级产品提高精度，温度系数低至 ± 5 ppm / K，公差仅为 ± 0.05 %
2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V，正向压降低至0.36 V
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
器件适用于消费类和工业应用
这款通孔器件采用铁粉磁芯技术，直流电阻低，有助于减少功耗，提高效率
新型传感器采用16位分辨率，提高灵敏度和线性度
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF。
汽车级金属化聚丙烯薄膜器件工作温度高达+125 °C，适用于混合动力和电动汽车
小型器件纹波电流提高至5.05 A，85 °C条件下使用寿命达5,000小时
这款边绕通孔器件采用铁粉合金磁芯技术降低DCR，减少功耗提高效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
产品为设计人员提供无线充电使用最广范的线圈
器件在温度85°C，相对湿度85%，额定电压条件下经过1000小时THB测试以确保在恶劣环境条件下具有极长使用寿命
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