【2024年11月21日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与汽车行业头部技术供应商马瑞利（Marelli）正在合作开发先进的E/E架构解决方案。此次合作结合了两家公司在汽车领域的专业经验，并采用了英飞凌最新的 AURIX™ TC4x微控制器开发创新的区域控制单元（ZCU）。英飞凌的AURIX™ TC4x 系列专为新型 E/E 架构设计，该系列扩展了汽车微控制器单元（MCU）的功能，实现了安全可靠的处理。该MCU系列支持多Gbit以太网、PCI Express等高速通信接口以及CAN-XL、10BASE-T1S等新型接口，可在汽车制造商实现下一代E/E架构时提供出色的性能、数据吞吐量和灵活性。
【2024年11月19日, 德国慕尼黑讯】自动驾驶和电气化都是汽车行业的重要趋势。人工智能（AI）在这一趋势中发挥着至关重要的作用，它使车辆能够探测行人、分析驾驶员行为、识别交通标志、控制轨迹等。由于自动驾驶高度依赖具有机器学习（ML）能力的AI系统和能够安全、可靠、实时并行处理大量数据的处理器，因此边缘AI成为实现这一目标的关键技术。为应对这一挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）旗下公司Imagimob将机器学习功能集成到英飞凌符合ASIL-D标准的汽车 MCU中，例如AURIX™ TC3x和AURIX™ TC4x，增强其汽车产品的机器学习性能。
【2024年11月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出最新AURIX™ TC4x系列的首款产品AURIX™ TC4Dx微控制器（MCU）。AURIX™ TC4Dx基于28nm技术，可提供更强大的性能和高速连接。它将功率和性能方面的改进与虚拟化、人工智能（AI）、功能安全、网络安全和网络功能方面的最新趋势相结合，为实现新型电子/电气（E/E）架构和下一代软件定义汽车奠定了基础。像AURIX™ TC4Dx 这样的 MCU 对于控制和监测汽车中的各种系统至关重要，例如车辆运动控制、高级驾驶辅助系统（ADAS）和底盘。
2024财年：营收为149.55 亿欧元，同比下降 8%；利润为31.05 亿欧元；利润率为20.8%；调整后每股收益1.87欧元；自由现金流为2,300万欧元，调整后的自由现金流为16.90亿欧元。
【2024年11月7日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出 SECORA™ Pay Green技术。基于该技术的卡片设计将生产出全球首款采用环保和本地材料的完全可回收非接触式（双界面）支付卡卡体，为大幅减少支付卡行业的塑料废弃物和二氧化碳排放奠定基础。
【2024年11月5日, 德国慕尼黑讯】数据中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推动下，预计到2030年，这一数字将增长到7%左右，相当于整个印度目前的能耗。实现从电网到核心的高效功率转换对于实现卓越的功率密度至关重要，从而在降低总拥有成本（TCO）的同时提高计算性能。因此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）将推出TDM2354xD和TDM2354xT双相电源模块，具有出色的功率密度，适用于高性能AI数据中心。这些模块实现了真正的垂直功率传输（VPD），并提供了业界领先的电流密度1.6A/mm2。英飞凌在今年早些时候还推出了TDM2254xD双相功率模块。
【2024年11月4日，德国慕尼黑讯】3D深度传感器在车载监控系统中发挥着重要作用，能够实现创新的汽车座舱、与新服务的无缝连接，以及更高的被动安全性。它们对于满足欧洲新车评估计划（NCAP）的要求和安全评级，以及实现卓越的舒适性功能至关重要。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实现尺寸更小、成本更低、性能更强大的3D摄像头模块设计。
【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。
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