1、功率MOSFET常规的开关特性 功率MOSFET在开通的过程中，当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2，漏极电流ID从0增加系统的最大的电流，VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系，而VDS的电压保持不变，这一个时间区域称为di/dt，主要由
IDC发布2019年全年全球服务器市场数据， 2019年全球服务器出货量和销售额分别为1174万台和873亿美元，同比轻微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服务器市场的销售额前三名分别为戴尔、HPE、浪潮，戴尔销售额同比下降6.9%，份额为17.8%，HPE销售额下降8.4%，份额为1
功率MOSFET的输出电容是非常重要的一个参数，读过功率MOSFET数据表的工程师应该注意到：输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，那么为什么会有这样的特性？ 众所周知，当电容二端的电压增加时，就会形成对电容的充电电流，电容二
TV、户外LED照明等功率比较大的电源系统中，通常输入端使用PFC功率因素校正电路。系统反复起动的过程中，如系统动态老化Burn In测试、输入打火测试，由于PFC控制芯片的供电VCC电源建立过程比较慢，特别是使用PFC的电感绕组给PFC控制芯片供电的情况，会导致功
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