电机控制 - ST意法半导体

解决方案

ST是电机和运动控制领域的先驱，提供各种电机驱动器，可满足有刷直流电机，步进电机和无刷直流电机的要求，适用于各种电压和电流额定值。

STGP10M65DF2

650V、10 A 低损耗Trench Gate M系列IGBT

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STGWA25M120DF3

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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STIPNS1M50T-H

紧凑型SLIMM™-nano STIPNS1M50T-H模块采用SMD封装，可提高低功率电机驱动器的能效，同时提高可靠性并降低电磁干扰。

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STL130N6F7

N沟道60V、3mOhm typ.、130A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STL140N6F7

N沟道60V、0.0024mOhm typ.、140A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STL160N4F7

N沟道40V、2.1mOhm typ.、120A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STL220N6F7

N沟道60V、0.0012mOhm typ.、2600A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STL260N4F7

N沟道40V、2.1mOhm typ.、120A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STL320N4LF8

N 通道增强模式逻辑电平 40 V，最大 0.8mOhm，360A，STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

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STL325N4LF8AG

汽车级 N沟道增强模式逻辑电平40V，最大0.75mOhm，373 A，STripFET F8功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

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STL90N6F7

N沟道60V、0.0046mOhm typ.、9A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

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STP220N6F7

N沟道60V、0.0021mOhm typ.、120A TO-220封装 STripFET F7功率MOSFET

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STSPIN32F0251

新型250V STSPIN32 BLDC驱动器配备嵌入式STM32 MCU，减少PCB面积，降低总体设计成本

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STSPIN32F0601Q

采用QFN封装，配备MCU的600V三相控制器

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STSPIN32G4

采用嵌入式STM32G4 MCU的高性能三相电机控制器

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