基于STCMB1, G-HEMT和MasterGaN的200W 氮化镓适配器方案
STEVAL-GAN200CB是一款输出19V-200W的适配器方案，该方案有效降低了轻载待机功耗，提高了满载效率。ST E-模式的650V氮化镓功率SGT120R65AL及氮化镓芯片MasterGaN的使用使满载效率达到了95.5%
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65W USB Type-C® Power Delivery 3.0适配器是一款USBPD参考设计解决方案。它是一款基于VIPERGAN65(属于VIPerPlus系列的一种新型离线高压转换器，配有650 V HEMT功率GaN晶体管)的隔离式电源，专为准谐振反激式转换器而设计，能够在大范围内提供最高65 W的输出功率.
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VIPERGAN65
STUSB4761
该方案演示展示了全新ST Ki功率发射器与ST NFC部件相结合应用。Ki无线厨房是无线电力联盟(WPC)制定的一项新标准，旨在取代使用电源线的传统厨房电器(如搅拌机、烤面包机、电饭煲、咖啡机等)，并最终与电磁炉灶台结合。在此演示中，ST功率发送器将与“静态”和“动态”设备相结合，以展示不同的模式和功率控制。
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低成本智能光伏组件优化器参考方案，集成基于直流电力线通信的远程控制和网络管理。
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此方案演示分别展示了汽车行驶和充电过程中汽车电池的放电和充电过程。能量与流量的关系通过动态LED路径显示，充电状态、可用电量、行驶里程和温度均显示在面板上的显示屏。
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L9963E
140W USB PD 快充方案符合USB PD3.1 EPR 28V标准。效率满足CoC 2级及DoE 6级能效，230Vac输入时候满载效率达到94.4%。数字控制器ST-ONEHP用作ACF的功率控制及PD协议控制，MASTERGAN1用于ACF原边功率管。
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基于ST-One的高功率密度65W充电器采用了ST MasterGaN系列的氮化镓芯片。MasterGaN2集成了两个半桥结构的氮化镓及其驱动电路，便于使用。我们同时展示了使用传统绕线变压器及平面变压器的方案。
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基于STWBC2-HP和STWLC99的高达100W的笔记本无线充电
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基于STM32G473 AI的智能光伏拉弧检测，支持4通道并行工作。 使用基于TSV772运放的多级滤波器实现高达500KHz采样(250KHz 带宽)。支持STM32H7的评估以用于高阶AI。支持现场错误信息采集。
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意法半导体(ST)具备从低功率至高功率完整的无线充电PTx和RTx方案。可以满足不同功率段无线充电的需求。本次演讲将介绍ST无线充电PTx至RTx如何在实际项目中设计导入，并介绍无线充电设计过程中需要注意的事项。帮助用户了解如何采用ST的无线充电方案，更快，更有效地实现系统应用。
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无线充电IC
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STWBC86 符合Qi标准的感应式无线电源发射器，支持最高5W应用
STWLC38 符合Qi标准的感应式无线电源接收器，支持最高15W应用
意法半导体高性能模拟器件在运算放大器、接口、DCDC和LDO等领域，在自动化、工业、电源和汽车需求中发挥着不可或缺的作用。
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运算放大器 - 快速参考指南 (PDF)
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接口与收发器
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引领创新，ST意法半导体积极布局第三代半导体技术，稳步推进第三代半导体特别是氮化镓GaN技术在快充产品中的应用。借助ST在电源转换控制领域多年的积累，结合最新的氮化镓GaN技术，为您带来新一代快充及大功率辅助电源的完整解决方案。
本场演讲着重于ST VIPerGaN系列产品的介绍， 相关应用案例及技术细节的分享和探讨。第三代半导体助力快充产品的高速发展，开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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VIPERGAN100 采用增强模式GaN HEMT的高级准谐振离线高压变换器
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电池供电的大量应用促使降压芯片往高压大电流发展，L3751是一款75V输入的降压控制器，其具体参数，功能和典型应用都会在这里详细介绍。 隔离降压的需求也是越来越多，可以一起来看看我们有哪些具体的方案。
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L3751 6 V至75 V的宽输入电压同步降压控制器
L6986I: 38 V, 5W synchronous iso-buck converter
A6986I Automotive 38 V, 5W synchronous iso-buck converter
L6983I 38 V 10W synchronous iso-buck converter for isolated applications
ST专注无线充电技术的研究与产品开发，致力于无线充电技术创新与能效提升。公司具备完整的无线充电Tx，Rx解决方案，产品广泛应用于消费电子领域，工业领域，医疗领域，汽车领域等。作为WPC标准委员会的成员之一，ST始终致力于为客户提供高品质，高效率，高标准的解决方案，持续改善用户体验。本视频旨在向各位观众介绍ST在现阶段广泛应用的解决方案，希望通过本次介绍，可以让大家对ST无线充电产品有更全面的了解。
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本期视频中会介绍CAN总线的基础知识，特别是在汽车应用，解释保护器件的重要性，以及ST的ESDCAN系列如何解决这个问题。同时我们将深入研究保护质量的标准及ST可提供的工具和材料来选择合适的ESDCAN。
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汽车级ESD保护的评估板STEVAL-OET003V1的详情
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应用笔记AN2689
通过本期网络研讨会，我们来了解可控硅整流器(SCR)对电动汽车充电的作用。为了满足汽车电气化的更高要求，可控硅整流器在汽车插入充电站时限制了浪涌电流。可控硅整流器具有电压降较低的优点，当汽车电池供应于汽车交流负载时，可控硅整流器还为双向充电器提供高效的解决方案。在本次网络研讨会上，我们将了解在汽车充电拓扑结构中使用可控硅整流器的好处，以及如何轻松控制它们。本期研讨会专门为从事车载充电器或充电站前端设计的人员准备。ST的汽车级可控硅整流器系列产品专为可靠、高效的汽车充电应用而设计，可从离散表面贴装的30至130 A扩展到功率范围为3至50 kW的顶部散热式功率模块。无论您是初步进入这个行业还是有多年的经验，如果您需要了解可控硅整流器对汽车充电的作用，就来观看我们这期的研讨会吧!
通过本期视频，我们来了解CAN总线和浪涌保护面临的众多挑战以及解决方案，帮助您选择符合设计需求的最佳保护装置，并了解选择ESDCAN设备的原因。
在本期视频中，我们来了解静电保护的重要性。通过一个快速的演示，我们来看看向微型控制器释放ESD会发生什么。一般来说，意法半导体的ESD保护器件，包括瞬态电压抑制器(TVS)主要具有以下特点：符合IEC 61000-4-2标准; 低钳位电压; 低泄漏电流，对保护具有可靠性; 超低电容和超宽带宽，信号具有完整性。ST提供多种封装选项，包括单线和多线、紧凑、平面和流体版本，以优化空间布局。
本期视频将关注ST最新的ECMF共模滤波器，该滤波器深度衰减蓝牙和WLAN频率下的共模噪声，并与强大的+10 kV接触放电ESD保护相结合。这些新的共模滤波器具有10.7 GHz的带宽，成为USB4、HDMI 2.1和USB 3.2等对最新高速标准的理想选择。
本方案是一个30kW 直流转化的数字电源解决方案，适用于汽车充电模块中。该平台使用了SCT025W120G3-4AG碳化硅MOSFET和 STTH60RQ06W 超快恢复二极管。本方案峰值效率高达98.2%，输出电压200-1000V，功率密度高达 50W/inch³。
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本方案是一个25kW 直流转化的数字电源解决方案。该平台使用了ST ACEPACK 模块A2F12M12W2和A2H6M12W3。本方案峰值效率高达98%，能够实现双向充放电功能。
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本方案是一个30kW 三相整流电源的数字电源解决方案，适用于汽车充电模块中。该平台使用了 SCT018W65G3AG 碳化硅MOSFET和 STPSC40H12C碳化硅二极管。本方案峰值效率高达98.5%，输入谐波小于5%，功率因数0.99。整体外形尺寸 430mm*330mm*80mm，功率密度高达 49W/inch³。
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本视频介绍STDES-PFCBIDIR参考设计方案。基于ST 650V和1200V碳化硅MOSFET和STM32G4数字微处理芯，实现了三相交流电与直流电之间的能量双向传输，该方案适合于需要回馈电网功能的充电桩和车载充电器的应用。碳化硅MOSFET的使用，以及三相拓扑的选取使电路能够达到接近99%的高效率，同时更高的开关频率也能够减小无源元件的尺寸和成本。
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本视频介绍方案的是一个 3kW 电信电源的完整系统解决方案。 它由 CCM无桥图腾柱功率因数校正器 (PFC) 和带同步整流器的全桥 LLC DC-DC 谐振转换器组成。 它采用了最新的 ST 电源套件器件：碳化硅 MOSFET、具有低 Rdson 的超结 MOS、隔离式 FET 驱动器和 32 位 MCU。 该参考设计为紧凑型解决方案开辟了道路，并提供了高峰值效率。 整个 PSU 在 230 VAC 时测得的峰值效率为 96.5%。 PSU 的整体外形尺寸为 105 mm x 281 mm x 41 mm，功率密度高达 40 W/inch³。
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本视频介绍2KW 3相交错ZVS 图腾柱PFC，其特点包括：
-. 输入115Vac-230Vac
-. 输出 Vout=390Vdc
-. 输出功率Pout=2kW@230Vac (1kW@115Vac)
-. 230Vac输入满载峰值效率超过99%
-. ZVS谐振工作
-. 三相交错并联
-. 电流迟滞控制
-. 功率密度: 1.85 W/cm3 ( 30.4 W/inc3)
-. 自然冷却，无需散热片
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本视频介绍及演示了CAN、LIN总线通讯时受到静电干扰，通过ST ESD保护器件进行充分保护，仍然可以正常工作，无任何影响。
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保护和EMI滤波器
本视频介绍及展示基于VIPREGAN50/65系列的45W/65W充电器。EVLVIPGAN50PD 45 W USB Type-C® Power Delivery 3.0适配器是一款USBPD参考设计解决方案。它是一款基于VIPERGAN50(属于VIPerPlus系列的一种新型离线高压转换器，配有650 V HEMT功率GaN晶体管)的隔离式电源，专为准谐振反激式转换器而设计，能够在大范围内提供最高50 W的输出功率。EVLVIPGAN65PD 是同系列输出最大65W功率的充电器方案。
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本视频介绍及展示基于ST-One和 MasterGaN的高功率密度快充解决方案。该方案的演示系统包括三部分：65W的快充demo板，基于STM32G4的USB PD以及基于STM32H7的一个触摸显示屏。该方案采用桥式整流加有源钳位反激拓扑结构，其中主控制器为ST-ONE,是首款集成了ARM内核的可编程电源数字控制芯片,内置有源钳位反激和同步整流控制器,并可轻松与快充协议IC协同工作。
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本视频介绍基于L6599A+MasterGaN的双输出半桥LLC方案，整个板子厚度小于10mm，特别适用于OLED TV电源应用。
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本视频介绍基于ST-One的高功率密度65W充电器采用了ST MasterGaN系列的氮化镓芯片。MasterGaN集成了两个半桥结构的氮化镓及其驱动电路，便于使用。我们同时展示了使用传统绕线变压器及平面变压器的方案。
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本视频介绍STDES-200GANADP板， STDES-200GANADP是一款输出19V-200W的适配器方案，控制器STCMB1集成了PFC和半桥LLC的控制，有效降低了轻载待机功耗，提高了平均i效率。氮化镓芯片MasterGaN的使用提高了整机效率。
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本视频介绍并演示基于STWBC2-HP和STWLC98的无线充电系统，实现直接对电动工具电池包的无线充电管理。
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本视频重于ST对宽禁带器件GaN产品及技术介绍、特别介绍最新的 MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势，同时会在相充电器/适配器等应用案例及技术细节进行分享和探讨。
1. 介绍ST氮化镓(GaN)产品 - MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势
2. MasterGaN和VIPerGaN在充电器/适配器/服务器待机电源应用案例研究
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意法半导体积极布局第三代宽禁带半导体技术，其下SiC和GaN产品和技术组合最为广泛，包括分立器件，模块组合和晶圆裸片，能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对可持续发展、绿色能源等优质产品的需求。氮化镓材料非常高的电子迁移率使得器件具有非常低的导通电阻和非常高的开关频率，这是下一代电力电子系统设计的关键优势，意法半导体的GaN产品适用于各种各样的应用，如电源和适配器(PC、便携式电子产品、插座式USB充电器、无线充电器等)、功率因数校正(PFC)，以及DC/DC变换器。在汽车领域，GaN器件非常适合高效电动汽车车载充电器和轻度混合动力DC-DC变换器 。
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本视频重于ST对宽禁带器件SiC产品及技术介绍、特别介绍最新的SiC的竞争优势。
1. 介绍STPower产品系列及宽禁带器件的优点
2. ST碳化硅(SiC)产品概述
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STEVAL-DPSTPFC1 使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC图腾柱，具有浪涌电流限流器参考设计
本视频旨在阐述共模滤波器 + ESD保护组合在应用中的优势，并由ST的应用实验室专家提供特定部件及相应的测试结果。
您将获得以下信息：
*需要共模滤波器的噪声干扰的案例
* 共模滤波器如何抑制重新产生的噪声并保持有用信号
* 如何解决天线失感问题
* ECMFTM产品如何帮助设计符合EMC 标准
* 采用ECMF 产品可以如何提高 ESD 保护性能以保护 IC
* 通过我们应用实验室专家提供的方案：您将看到通过Wi-Fi连接和10Gbps传输的各种测试结果(RSSI测试结果、频谱分析和传输速度测试结果)
* 全新 USB4 和 HDMI 2.1 标准概述
* 相关应用及产品概述
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碳化硅材料是功率半导体主要进步发展方向，可显著提高电能利用率。新能源汽车，光伏，储能，大功率电源及高端工业都是碳化硅功率器件的主要应用场景。ST拥有完整的供应链和全面设计支持，可以提供优质的碳化硅产品，实现较长系统使用寿命和高可靠性，能很好满足更智能，更高效发电用电需求。
借此机会，邀请大家一起来分享探讨ST碳化硅产品最新技术，市场分析和相关资讯。
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应用手册AN4671–How to fine-tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
引领创新，ST积极布局第三代半导体技术，稳步推进第三代半导体特别是氮化镓GaN技术在快充产品中的应用。借助ST在电源转换控制领域多年的积累，结合最新的氮化镓GaN技术，为您带来下一代快充产品的完整解决方案。
本场演讲着重于ST快充领域的产品介绍、相关应用案例及技术细节的分享和探讨。第三代半导体助力快充产品的高速发展，开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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碳化硅 SiC可适用于所有能源优化的应用，例如能源生产，转换，分配和储存等。在优化汽车设计方面，可让充电更快，驾驶时间更长。在优化工业应用中，更可提升可靠性和效率。在数据存储效率方面，可实现紧凑高效性能。STPower系列有 碳化硅 MOSFETs和碳化硅二极管等不同的产品。
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随着工业自动化和半导体技术的发展，模拟器件的选型对于电子产品与系统设计已经成为工程师着重考虑的环节，在信号调理及系统反馈等方面，对于高性能运放的需求越来越多，且技术要求越来越复杂。
本次视频着重关注与ST在高性能运放产品的介绍及相关的应用案例及技术细节的分享和讨论。助力工业和汽车应用的发展。
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ST1PS03负载开关
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此视频介绍TSV792高带宽运算放大器，具高带宽 (50 MHz)，单位增益稳定的特性，拥有多项的优势， 如 高频信号精准放大和准确的低侧电流检测等。TSV792 可用于工业、智能家居 和 汽车 应用，并有多种封装选择。
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L6983 / 2 / 1 此3 款产品拥有相同功能但不同电压。 可以使用于多种应用如电池供电系统，工业总线，去中心化智能节点，常开且对噪声敏感的应用场景等。ST同时提供开发环境， 助您创建自己的系统。使用 eDesign Suite 进行仿真，还可采用ST提供的6款开发板进行原型设计和测试。
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st.com/L6983-2-1
eDesignSuite
L7983 - 紧凑型60 V & 300 mA DC-DC转换器。
开关稳压器， 10µA静态电流， 可用于许多关键应用， 如故障安全系统， 去中心化智能节点等。
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无线充电解决方案，通过电磁感应实现功率在发射电路板(TX)和电池供电设备(RX)之间传输，并拥有广泛的市场和应用前景，例如在智能手机、智能手表、计算机和外围设备、医疗设备甚至工业设备等领域，能够减少充电线和一次性电池的使用。
ST是无线充电方案及器件的主要供应商之一，提供包括从低功率到高功率，从TX到RX的全套无线充电方案。ST的多种无线充电解决方案，发射端TX和接收端RX通过调制信号和控制环路，实现对负载变化的响应和调节，并具有低待机功率检测和异物检测(FOD)等功能。ST还提供评估板和开发工具以及参考设计，以帮助客户开发符合Qi协议的高效紧凑无线充电方案。
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本视频记录意法半导体在线工业巡迴系列 - 电源与能源场，将会分享意法半导体的工业市场策略，同时视频的内容将涵盖：
5G TPS/CCM图腾柱PFC中STM32G4的数字电源解决方案
基于SiC技术的充电站和储能应用AC-DC转换解决方案
具有用于OLED电视之MasterGaN的10mm高度/ 150 + 350W LLC转换器设计考量
基于MasterGaN的65W有源箝位反激转换器的设计考量
50W + RX / TX 无线充电
5G通信电源功率离散组件解决方案
DC-DC 控制器电熔丝热插拔
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此视频介绍一个50W的无线充电解决方案和一个12W的反向的无线充电方案。
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此视频介绍 ST 2.5W 无线充电解决方案，这方案由于小尺寸，小功率，适合可穿戴应用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。该设备是单体的，集成了全桥MOS和驱动程序，Qi ASK/FSK和LDOs在内。它对 TX 和 RX 板都只需要很少的外部组件。 因此，此解决方案是紧凑的，尤其是 RX 板，完整的参考应用限制在 10x10 mm的PCB板内。板径不超过2厘米。
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无线充电IC
ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代!
引领创新，ST 积极布局第三代半导体技术应用，ST独有的MasterGaN产品平台是基于经过市场检验的专业知识和设计能力整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术，集成高压半桥驱动和半桥配置的GaN晶体管的芯片，MasterGaN平台系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封装， 友好的设计环境能帮助加快新一代 400W 以内用于消费电子和工业领域的充电器和电源适配器的开发速度， ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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内容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技术介绍
2. ST SiC MOSFET产品介绍
3. SiC MOSFET的在工业上的典型应用以及带来的好处
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新能源转换器市场主要包括电动汽车领域的能量转换如OBC, DC-DC，Traction inverter，充电桩和工业领域的光伏，UPS, 储能等应用。针对不同应用对功率器件的具体需求，ST拥有MOSFET, IGBT, 二极管，SIC器件等不同类型的高密度功率器件。本材料针对新能源转换器市场的不同应用对ST的功率器件产品及其优势作个介绍。
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该视频主要介绍意法半导体公司推出的两款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率变换电路参考设计方案。第一款参考设计方案采用三相维也纳整流的电路拓扑，通过数字模拟混合控制的方式实现。方案适用于直流充电桩，车载充电器，交流电源等应用领域。第二款参考设计采用T型三电平的拓扑结构，全数字控制方式，能够实现能量的双向流动。该方案适合于直流充电桩，储能等应用。两款参考设计方案均使用了意法半导体公司的成熟元器件，能够帮助客户加速研发过程，快速进入市场。
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PFC转换器是針对输入电流进行控制，使其与输入电压同步，以增加功率因数并降低输入电流谐波。 在传统的PFC拓扑中，存在桥式二极管功率损耗，降低了PFC轉換器效率。 然而，無橋图腾柱式PFC轉換器，移除橋式整流的損耗，从而提高了效率。
该演示板将著重在無橋图腾柱PFC轉換器的实现，包括电路设计和数字控制演算法，同時推广最新ST的技术(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可实现於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，该参考设计通过使用两个工作在低频的SCR和两个工作在固定開關頻率的SiC MOSFET，在PFC启动序列中提供了浪涌电流限制的数字控制，進而消除傳統的继电器和NTC / PTC來提高功率密度。
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意法半导体的两款三相AC/DC功率转换解决方案，用以客户快速开发产品。采用碳化硅半导体器件，可以实现近99%的效率，并减小无源器件尺寸和成本。该方案适合用于电动汽车车载充电器、充电桩、工业电池充电器等应用，双向AC/DC功率转换功能适合用于需要V2G功能的充电桩和储能应用。
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STM32 G4系列数字控制器
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主要介绍意法半导体在服务器与通讯网络电源管理应用的解决方案，包含多项的( Multi-phase )的电源管理控制器以及功率元件( Dr.MOS )，以及48V系统的先进解决方案。提供完整的架构，适用於供给高速运算( HPC )的设计平台。
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意法半导体在SiC产品上有超过20年的经验，为客户带来了SiC Diode/MOSFET/Driver产品的一站式采购。目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陆续批产面世，新产品以丰富的产品类型，领先的工艺，充裕的产能，出色的可靠性将更适合客户项目的需求;此次研讨会ST技术专家将从Double Pulse测试，门极驱动设计，结合ST最新的15KW/30KW Vienna，15KW双向AC/DC整流电路Demo板，全方面介绍SiC MOSFET的设计要点。
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ST的15KW 基于Type2 形式的Vienna整流的参考设计电路
STDES-PFCBIDIR- 是ST的15KW T字三电平形式的，双向AC/DC参考设计电路
STNRG011是数字化PFC+LLC一体的电源控制方案, 该方案基于多模式PFC控制以及time shift LLC控制。STNRG011可以广泛的应用在300W以下的开关电源, 比如TV电源, LED照明电源, 6级能效适配器电源,工业电源等等。STNRG011采用的是S020封装, 集成了PFC和LLC控制, 减少了周边元器件, PFC部分采用ST最新的专利来实现高PF值和低THD, LLC部分是ST专利的time shift控制模式, 来实现低工频纹波和更快的动态响应。STNRG011完全是基于数字化的控制模式,几乎所有参数都支持NVM更改来实现客户需求的性能,灵活的调试电源来达到设计的目标.
大多数用电设备在电源开启瞬间,会有一个超级大浪涌电流从电网流入,电压反弹或电弧将会造成额外的电磁干扰(EMI)辐射;晶闸管(SCR/Triac)用在交流开关控制替换机械继电器方面，具有响应速度快、导通无电压反弹、关断无电弧及无噪音干扰的多种优势。意法半导体作为全球领先的功率半导体供应商，为家电/工业、汽车领域推出全面、高能效、可靠的晶闸管浪涌电流抑制解决方案。尤其配合电动/混动汽车市场趋势,可提供AECQ101认证的功率器件组合，更加助力车载OBC制造商追求低能耗、高品质的市场目标。
为了满足5G通讯大功率高能效高功率密度电源的需求，ST 功率分立器件部门提供了一整套功率分离器件解决方案，来帮助5G通讯电源客户实现更大功率更高能效高可靠性的电源产品。
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ST提供完整的光伏逆变器的功率分立方案。ST在对光伏逆变器系统的深刻理解的基础上，我们提供的最佳方案能够帮助客户实现最佳效率和功率密度。在本介绍中，我们将分享ST最新的功率器件产品，如IGBT，SJ-MOS，FRD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST F7系列是ST第七代低压MOSFET工艺，覆盖 电压范围在40V-100V. 主要特点是低导通阻抗和米勒电容，优化的Crss/Ciss的比值，性能优良的体二极，并且具备汽车级认证标准。另外F7可提供Dpack，D2Pack, Powerflat等贴片封装。
介绍ST IGBT和模块产品系列，基于电动机控制应用上，包括按不同应用/频率提供的 IGBT系列的讲解，以及对模块应用的模块封装和拓扑支持等进行介绍。 同时会根据不同的应用性能，拓扑，频率需求而定的ST功率器件解决方案作出建议。
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主要介绍ST最新的高可靠性小功率ACDC开关电源解决方案。针对高价性比市场如家电，IOT和电机驱动，将VIPer12升级到VIPer122,提升EMI及待机性的表现。针对三相输入，更高抗干扰性能及可靠性的场合，ST推出了集成1050V MOS的VIPer26K，适合智能电表，电焊机等工业类需求。针对下一代更低待机功耗的家电需求，推出了VIPer*1及VIPer0P.
ST 针对充电桩这类大功率，高功率密度，高可靠性并面临巨大成本压力的应用，可以提供低内阻，低寄生电容的Mosfet，VF和反向恢复特性优化的快恢复二极管。对于成本压力较大的方案，ST还可以提供新一代的IGBT器件;对于需要进一步提升功率密度的方案，ST还拥有先进的高可靠性的SiC Mosfet和二极管可供选择。
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共3节
Power MOSFET 规格书参数小课堂
主要介绍ST分立IGBT系列产品，为大范围的工业应用量身定制，特别是感应加热应用。此外，我们将研究感应加热现象和利用其独特特性的常用拓扑结构，以及将介绍我们专门用于感应加热应用的新型IGBT系列，并查看显示其改进性能的基准。
该视频主要介绍为什么以及如何保护USB-C型连接器免受过电压和ESD的影响。首先我们将介绍新的USB-C型连接器，并回顾保护要求。然后我们将介绍用于USB C型连接器的TCPP01-M12保护，并回顾相关的电子应用程序。
该视频主要介绍SLLIMMTM第二代智能功率模块，应用于电机驱动和一般家用电器的三相逆变器中，具有高性能和高效率。我们将探讨是什么使IPMs如此有趣，SLLIMM第二代的特点和好处，不同的封装选项和产品，以涵盖更广泛的功率范围和接近不同的应用。然后，我们将看到一些基准来验证SLLIMM第二代的功率和热性能，并讨论基于新的超级结MOSFET的SLLIMM第二代。最后，我们将概述用于IPMs的可用工具和软件
在该视频中，我们将回顾浪涌是什么，解释它对电路的影响和根本原因，并描述用来定义它们的标准。此外，我们还将介绍如何保护设备，并给出一个简单的例子。
以太网无处不在，最流行的数据传输链接之一，大多数人都知道并且会使用它作为。该视频介绍了如何通过PEP01-5841 对以太网供电保护
本视频介绍关于在Vienna维也纳方案中采用STM32G4的数字电源控制器的一个实现方案，並会讨论比较宏观的未来架构及常见的一些控制方式等等，并且提供了一个基于STM32G4的数字控制实际参考范例，以及设计考量。
內容分为4个部分，首先在第1部分会针对维也纳整流器以及30kW维也纳整流器數字电源方案介绍，以及分享数字电源控制的设计考量，最后会针对在这样的参考方案当中ST能够提供的关键元件以及辅助开发板等等。
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STDES-30KWVRECT
STM32G4
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SCTWA90N65G2V
STPSC40H12C
STGAP
STM32Cube初始化代码生成器
本视频介绍关于采用STM32的TIM定时器控制LED灯闪烁的实现编程和方案。
内容分为5个部分，首先介绍了TIM定时器类型，然后介绍了TIM定时器的工作原理，最后利用STM32教学实验平台验证了TIM2定时器的控制工作并给出了软件设计配置以及分析总结。
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STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本视频介绍脉宽调制PWM输出并在实验平台上利用STM32内部PWM定时器验证控制LED灯闪烁的方案。
内容分为6个部分，首先介绍了脉宽调制PWM的基本概念，然后介绍了PWM输出的工作原理、流程、基本参数，接着在实验平台上给出了PWM控制的验证，并给出了硬件电路和软件设计配置，最后对整个实验过程进行了分析和总结。
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STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本视频介绍了关于DAC数字模拟转换器，并采用STM32实验平台通过软硬件配合最终在液晶屏幕上显示验证了正弦波产生的方案。
内容分为6个部分，首先介绍了DAC的概念，然后介绍了DAC的工作原理包括DAC结构、转换、数据格式、触发源和DMA数据传输，接着介绍了实验室平台的实验要求和实验原理，并给出相关软件设计。最后对整个实验过程进行了分析和总结。
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STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本视频介绍了关于FSMC与TFT-LCD接口和显示，并利用STM32通过FSMC和液晶进行接口实现数据交互和控制。
内容分为6个部分，首先介绍了TFT-LCD包括基本概念、显示驱动，然后以ILI9341驱动为例介绍了工作原理包括颜色显示、FSMC，接着提出了实验的要求和提高，并给出了相应硬件电路和软件设计配置，最后对整个实验过程进行了分析和总结。
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STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本视频介绍了关于SPI读写Flash并利用STM32对Flash进行读写同时通过串口显示的方案。
内容分为6个部分，首先介绍了SPI的基本概念，其次介绍了其工作原理包括通讯连接、工作模式、时序、硬件结构、引脚和寄存器、Flash等。接着提出了实验要求，并给出了硬件电路和软件设计配置，最后对实验过程进行了分析和总结。
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STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本视频介绍了关于IGBT_SiC传输特性和转移特性测试并通过仿真和实验平台对ST的IGBT进行了测试验证的方案。
内容分为6个部分，首先介绍了ST典型功率器件包括IGBT和SiC MOSFET的概念和衬底材料对比，然后通过STGWA40H65DFB2介绍了IGBT的工作原理和静态特性，接着提出了实验要求并给出了硬件电路仿真，最后通过实验平台对IGBT进行了测试验证并给出了分析总结。
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Source: 南京航空航天大学周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
摘要：
•USB Power Delivery关键优势回顾
•为何采用 STM32实现经济高效的 USB-C Power Delivery设计
•带有 Type-C 端口保护的稳健解决方案
•用于Type-C Power Delivery的认证代码实例
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专为USB Type-C及功率传输而设的STM32解决方案
X-CUBE-TCPP软件包, 适用于STM32的USBPD SINK应用
X-CUBE-TCPP软件包, 适用于STM32的USBPD源应用
X-CUBE-TCPP软件包,面向STM32的USBPD双重角色应用
STM32G0
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为了满足更高能效更高功率密度开关电源的需求，ST 功率分立器件部门提供了宽禁带产品（SIC＆GaN）来帮助开关电源客户实现这个目标。
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本视频演示受电应用:
X-CUBE-TCPP软件包内含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™扩展板演示应用示例，具有用于受电应用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保护装置、用于供电应用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保护装置和用于双重功能端口(DRP)应用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery装置。
对于受电应用，扩展板插在STM32 Nucleo开发板(任何STM32 Nucleo-64开发板、NUCLEO-G071RB、NUCLEO-G474RE或NUCLEO-L412RB-P)上，配有执行代码的STM32微控制器。
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X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C Power Delivery（SINK）扩展板，基于TCPP02-M18（适用于STM32 Nucleo)
X-NUCLEO-DRP1M1 USB Type-C Power Delivery双重功能电源（DRP）和双重功能数据（DRD）扩展板，基于TCPP03-M20，用于STM32 Nucleo
TCPP01-M12 USB Type-C端口保护，用于受电应用
USB Type-C端口保护，用于供电应用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保护，用于双重功能电源应用
本视频演示供电应用:
X-CUBE-TCPP软件包内含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™扩展板演示应用示例，具有用于受电应用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保护装置、用于供电应用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保护装置和用于双重功能端口(DRP)应用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery装置。
对于供电应用，扩展板插在STM32 Nucleo开发板(NUCLEO-G071RB、NUCLEO-G474RE或NUCLEO-F446RE)上，配有执行代码的STM32微控制器。
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TCPP01-M12 USB Type-C端口保护，用于受电应用
USB Type-C端口保护，用于供电应用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保护，用于双重功能电源应用
本视频演示双重角色电源DRP应用:
X-CUBE-TCPP软件包内含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™扩展板演示应用示例，具有用于受电应用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保护装置、用于供电应用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保护装置和用于双重功能端口(DRP)应用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery装置。
对于DRP应用，扩展板插在配有STM32微控制器的STM32 Nucleo开发板上，该微控制器具有USB Type-C™ Power Delivery控制器(STM32G0、STM32G4、STM32L5、STM32U5)
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TCPP01-M12 USB Type-C端口保护，用于受电应用
USB Type-C端口保护，用于供电应用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保护，用于双重功能电源应用
针对新能源市场和光储充应用，介绍意法半导体丰富的功率半导体解决方案，包括IGBT，HV Mosfet以及宽禁带SiC和PowerGaN。
1，ST功率器件概述
2，HV Mosfet， IGBT， SiC和PowerGaN最新产品技术和产品路线
3，ST针对新能源的功率解决方案
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STDES-DABBIDIR25 kW双有源桥双向电源转换器，用于电动汽车充电和电池储能系统
ST 碳化硅 和 氮化镓产品介绍，技术路线，产能投资布局及重点应用。
1. SiC 技术及产业分布;
2. SiC产品组合,路线及封装;
3. PowerGaN技术及产业分布;
4. PowerGaN 的产品组合,路线及封装
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STEVAL-DPSTPFC1使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC图腾柱，具有浪涌电流限流器参考设计
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本方案是一个30kW 三相整流电源的数字电源解决方案，适用于汽车充电模块中。该平台使用了 SCT018W65G3AG 碳化硅MOSFET和 STPSC40H12C碳化硅二极管。本方案峰值效率高达98.5%，输入谐波小于5%，功率因数0.99。整体外形尺寸 430mm*330mm*80mm，功率密度高达 49W/inch³。
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本方案是一个30kW 直流转化的数字电源解决方案，适用于汽车充电模块中。该平台使用了SCT025W120G3-4AG碳化硅MOSFET和 STTH60RQ06W 超快恢复二极管。本方案峰值效率高达98.2%，输出电压200-1000V，功率密度高达 50W/inch³。
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本方案是一个25kW 直流转化的数字电源解决方案。该平台使用了ST ACEPACK 模块A2F12M12W2和A2H6M12W3。本方案峰值效率高达98%，能够实现双向充放电功能。
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STDES-PFCBIDIR参考设计方案基于ST 650V和1200V碳化硅MOSFET和STM32G4数字微处理芯，实现了三相交流电与直流电之间的能量双向传输，该方案适合于需要回馈电网功能的充电桩和车载充电器的应用。碳化硅MOSFET的使用，以及三相拓扑的选取使电路能够达到接近99%的高效率，同时更高的开关频率也能够减小无源元件的尺寸和成本。
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该方案是一个 3kW 电信电源的完整系统解决方案。 它由 CCM无桥图腾柱功率因数校正器 (PFC) 和带同步整流器的全桥 LLC DC-DC 谐振转换器组成。 它采用了最新的 ST 电源套件器件：碳化硅 MOSFET、具有低 Rdson 的超结 MOS、隔离式 FET 驱动器和 32 位 MCU。 该参考设计为紧凑型解决方案开辟了道路，并提供了高峰值效率。 整个 PSU 在 230 VAC 时测得的峰值效率为 96.5%。 PSU 的整体外形尺寸为 105 mm x 281 mm x 41 mm，功率密度高达 40 W/inch³。
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-. 输入115Vac-230Vac
-. 输出 Vout=390Vdc
-. 输出功率Pout=2kW@230Vac (1kW@115Vac)
-. 230Vac输入满载峰值效率超过99%
-. ZVS谐振工作
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-. 功率密度: 1.85 W/cm3 ( 30.4 W/inc3)
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该方案演示了CAN、LIN总线通讯时受到静电干扰，通过ST ESD保护器件进行充分保护，仍然可以正常工作，无任何影响
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该演示展示了一个 USB-C PD 电池充电用例，其中包含源和接收器设备应用。通过触摸屏可以监控可用的PDO列表并驱动接收器以手动选择供电配置文件。如果未执行任何操作，演示将启动每个配置文件的接收器滚动附件(电源协商)。定制设备(手机、平板电脑、笔记本电脑)也允许通过 ST-ONE USB-C PD 适配器连接和充电。
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基于L6599A+MasterGaN的双输出半桥LLC方案整个板子厚度小于10mm，特别适用于OLED TV电源应用。
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基于ST-One的高功率密度65W充电器采用了ST MasterGaN系列的氮化镓芯片。MasterGaN集成了两个半桥结构的氮化镓及其驱动电路，便于使用。我们同时展示了使用传统绕线变压器及平面变压器的方案。
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STDES-200GANADP是一款输出19V-200W的适配器方案，控制器STCMB1集成了PFC和半桥LLC的控制，有效降低了轻载待机功耗，提高了平均i效率。氮化镓芯片MasterGaN的使用提高了整机效率。
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基于STWBC2-HP和STWLC98的无线充电系统，实现直接对电动工具电池包的无线充电管理。
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兼容Qi的电感式无线充电器功率发射器，适用于高达100W的应用 STWBC2-HP
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基于STWBC2-HP和STWLC99的高达100W Qi兼容无线功率传输
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主要介绍 ST功率分立产品在新能源的一些应用。碳排放的问题带动了新能源的发展，如再生能源，电动车或是外面的充电桩。意法半导体功率分立产品相当广泛，高低压Power MOSFET， IGBT， 电源模块的模式，电源模块， 碳化硅MOSFET等等，都会一一为大家介绍。
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本视频介绍的是ST 70+W无线充电解决方案，您是否遇到过以下问题，充电头或充电线与手机电脑不匹配，或者是充电线的种类太多了，您是否想过假如能用一种充电的方式给所有的充电设备进行充电，不用担心这些问题也是ST无线充电想帮你解决的。ST开发了一系列的无线充电产品和方案。无线充电评估版涵盖了从2.5W到70W不同功率等级的TX和RX解决方案。
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本视频介绍这款来自意法半导体的高功率密度200W电源适配器，同时也会对样机的主要特性; 样机的模块化概念; 样机所使用到的关键元器件; 样机的功能性测试结果; 样机的效率测试结果; 样机的热成像表现; 以及意法半导体在智能功率氮化镓的策略; 和ST现有的评估板作出介绍。
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本视频介绍关于在Vienna维也纳方案中采用STM32G4的数字电源控制器的一个实现方案，並会讨论比较宏观的未来架构及常见的一些控制方式等等，并且提供了一个基于STM32G4的数字控制实际参考范例，以及设计考量。
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PFC转换器是針对输入电流进行控制，使其与输入电压同步，以增加功率因数并降低输入电流谐波。 在传统的PFC拓扑中，存在桥式二极管功率损耗，降低了PFC轉換器效率。 然而，無橋图腾柱式PFC轉換器，移除橋式整流的損耗，从而提高了效率。
该演示板将著重在無橋图腾柱PFC轉換器的实现，包括电路设计和数字控制演算法，同時推广最新ST的技术(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可实现於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，该参考设计通过使用两个工作在低频的SCR和两个工作在固定開關頻率的SiC MOSFET，在PFC启动序列中提供了浪涌电流限制的数字控制，進而消除傳統的继电器和NTC / PTC來提高功率密度。
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意法半导体的两款三相AC/DC功率转换解决方案，用以客户快速开发产品。采用碳化硅半导体器件，可以实现近99%的效率，并减小无源器件尺寸和成本。该方案适合用于电动汽车车载充电器、充电桩、工业电池充电器等应用，双向AC/DC功率转换功能适合用于需要V2G功能的充电桩和储能应用。
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主要介绍意法半导体在服务器与通讯网络电源管理应用的解决方案，包含多项的( Multi-phase )的电源管理控制器以及功率元件( Dr.MOS )，以及48V系统的先进解决方案。提供完整的架构，适用於供给高速运算( HPC )的设计平台。
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意法半导体在SiC产品上有超过20年的经验，为客户带来了SiC Diode/MOSFET/Driver产品的一站式采购。目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陆续批产面世，新产品以丰富的产品类型，领先的工艺，充裕的产能，出色的可靠性将更适合客户项目的需求;此次研讨会ST技术专家将从Double Pulse测试，门极驱动设计，结合ST最新的15KW/30KW Vienna，15KW双向AC/DC整流电路Demo板，全方面介绍SiC MOSFET的设计要点。
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650 V 碳化硅功率肖特基二极管
1200V 碳化硅(SiC)二极管
ST的15KW 基于Type2 形式的Vienna整流的参考设计电路
STDES-PFCBIDIR- 是ST的15KW T字三电平形式的，双向AC/DC参考设计电路
大多数用电设备在电源开启瞬间,会有一个超级大浪涌电流从电网流入,电压反弹或电弧将会造成额外的电磁干扰(EMI)辐射;晶闸管(SCR/Triac)用在交流开关控制替换机械继电器方面，具有响应速度快、导通无电压反弹、关断无电弧及无噪音干扰的多种优势。意法半导体作为全球领先的功率半导体供应商，为家电/工业、汽车领域推出全面、高能效、可靠的晶闸管浪涌电流抑制解决方案。尤其配合电动/混动汽车市场趋势,可提供AECQ101认证的功率器件组合，更加助力车载OBC制造商追求低能耗、高品质的市场目标。
为了满足5G通讯大功率高能效高功率密度电源的需求，ST 功率分立器件部门提供了一整套功率分离器件解决方案，来帮助5G通讯电源客户实现更大功率更高能效高可靠性的电源产品。
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ST电源管理介绍
N-沟道 (350V 至 700V) M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC)MOSFET
晶闸管 (SCR) 和 交流开关
主要介绍ST最新的高可靠性小功率ACDC开关电源解决方案。针对高价性比市场如家电，IOT和电机驱动，将VIPer12升级到VIPer122,提升EMI及待机性的表现。针对三相输入，更高抗干扰性能及可靠性的场合，ST推出了集成1050V MOS的VIPer26K，适合智能电表，电焊机等工业类需求。针对下一代更低待机功耗的家电需求，推出了VIPer*1及VIPer0P.
ST F7系列是ST第七代低压MOSFET工艺，覆盖 电压范围在40V-100V. 主要特点是低导通阻抗和米勒电容，优化的Crss/Ciss的比值，性能优良的体二极，并且具备汽车级认证标准。另外F7可提供Dpack，D2Pack, Powerflat等贴片封装。
无线充电解决方案，通过电磁感应实现功率在发射电路板(TX)和电池供电设备(RX)之间传输，并拥有广泛的市场和应用前景，例如在智能手机、智能手表、计算机和外围设备、医疗设备甚至工业设备等领域，能够减少充电线和一次性电池的使用。
ST是无线充电方案及器件的主要供应商之一，提供包括从低功率到高功率，从TX到RX的全套无线充电方案。ST的多种无线充电解决方案，发射端TX和接收端RX通过调制信号和控制环路，实现对负载变化的响应和调节，并具有低待机功率检测和异物检测(FOD)等功能。ST还提供评估板和开发工具以及参考设计，以帮助客户开发符合Qi协议的高效紧凑无线充电方案。
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无线充电IC
本视频记录意法半导体在线工业巡迴系列 - 电源与能源场，将会分享意法半导体的工业市场策略，同时视频的内容将涵盖：
5G TPS/CCM图腾柱PFC中STM32G4的数字电源解决方案
基于SiC技术的充电站和储能应用AC-DC转换解决方案
具有用于OLED电视之MasterGaN的10mm高度/ 150 + 350W LLC转换器设计考量
基于MasterGaN的65W有源箝位反激转换器的设计考量
50W + RX / TX 无线充电
5G通信电源功率离散组件解决方案
DC-DC 控制器电熔丝热插拔
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电源和变换器的应用
能源生产和分配的应用
计量的应用
此视频介绍一个50W的无线充电解决方案和一个12W的反向的无线充电方案。
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无线充电IC
此视频介绍 ST 2.5W 无线充电解决方案，这方案由于小尺寸，小功率，适合可穿戴应用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。该设备是单体的，集成了全桥MOS和驱动程序，Qi ASK/FSK和LDOs在内。它对 TX 和 RX 板都只需要很少的外部组件。 因此，此解决方案是紧凑的，尤其是 RX 板，完整的参考应用限制在 10x10 mm的PCB板内。板径不超过2厘米。
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无线充电IC
ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代!
引领创新，ST 积极布局第三代半导体技术应用，ST独有的MasterGaN产品平台是基于经过市场检验的专业知识和设计能力整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术，集成高压半桥驱动和半桥配置的GaN晶体管的芯片，MasterGaN平台系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封装， 友好的设计环境能帮助加快新一代 400W 以内用于消费电子和工业领域的充电器和电源适配器的开发速度， ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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MasterGaN1
MasterGaN2
MasterGaN3
MasterGaN4
MasterGaN5
内容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技术介绍
2. ST SiC MOSFET产品介绍
3. SiC MOSFET的在工业上的典型应用以及带来的好处
相关产品：
碳化硅(SiC)MOSFET
STDES-VIENNARECT
STDES-PFCBIDIR
ST电源管理介绍
新能源转换器市场主要包括电动汽车领域的能量转换如OBC, DC-DC，Traction inverter，充电桩和工业领域的光伏，UPS, 储能等应用。针对不同应用对功率器件的具体需求，ST拥有MOSFET, IGBT, 二极管，SIC器件等不同类型的高密度功率器件。本材料针对新能源转换器市场的不同应用对ST的功率器件产品及其优势作个介绍。
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功率MOSFET
ST电源管理介绍
ST的IGBT
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6链接
碳化硅(SiC)MOSFET
该视频主要介绍意法半导体公司推出的两款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率变换电路参考设计方案。第一款参考设计方案采用三相维也纳整流的电路拓扑，通过数字模拟混合控制的方式实现。方案适用于直流充电桩，车载充电器，交流电源等应用领域。第二款参考设计采用T型三电平的拓扑结构，全数字控制方式，能够实现能量的双向流动。该方案适合于直流充电桩，储能等应用。两款参考设计方案均使用了意法半导体公司的成熟元器件，能够帮助客户加速研发过程，快速进入市场。
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STDES-VIENNARECT
STNRG388A
STDES-PFCBIDIR
STM32G4
碳化硅(SiC)MOSFET
ACEPACK功率模块
STGAP栅驱动器
ST提供完整的光伏逆变器的功率分立方案。ST在对光伏逆变器系统的深刻理解的基础上，我们提供的最佳方案能够帮助客户实现最佳效率和功率密度。在本介绍中，我们将分享ST最新的功率器件产品，如IGBT，SJ-MOS，FRD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST的IGBT产品介绍
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC) MOSFET
ST 针对充电桩这类大功率，高功率密度，高可靠性并面临巨大成本压力的应用，可以提供低内阻，低寄生电容的Mosfet，VF和反向恢复特性优化的快恢复二极管。对于成本压力较大的方案，ST还可以提供新一代的IGBT器件;对于需要进一步提升功率密度的方案，ST还拥有先进的高可靠性的SiC Mosfet和二极管可供选择。
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650V HB2
650V HB系列
N-沟道 (350V 至 700V) M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC)MOSFET
主要介绍ST分立IGBT系列产品，为大范围的工业应用量身定制，特别是感应加热应用。此外，我们将研究感应加热现象和利用其独特特性的常用拓扑结构，以及将介绍我们专门用于感应加热应用的新型IGBT系列，并查看显示其改进性能的基准。
该视频主要介绍为什么以及如何保护USB-C型连接器免受过电压和ESD的影响。首先我们将介绍新的USB-C型连接器，并回顾保护要求。然后我们将介绍用于USB C型连接器的TCPP01-M12保护，并回顾相关的电子应用程序。
在该视频中，我们将回顾浪涌是什么，解释它对电路的影响和根本原因，并描述用来定义它们的标准。此外，我们还将介绍如何保护设备，并给出一个简单的例子。
以太网无处不在，最流行的数据传输链接之一，大多数人都知道并且会使用它作为。该视频介绍了如何通过PEP01-5841 对以太网供电保护
